BPatG 15405.11BUNDESPATENTGERICHT19 W (pat) 60/08_______________(Aktenzeichen)Verkündet am13. Februar 2012…B E S C H L U S SIn der Beschwerdesache…betreffend die Patentanmeldung 10 2006 040 753.9-32hat der 19. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 11. Januar 2012 unter Mitwirkung des Vorsitzen-den Richters Dipl.-Ing. Bertl, der Richter Dr.-Ing. Kaminski und Dr.-Ing. Scholz so-wie des Richters am Landgericht Dr. Schön- 2 -beschlossen:Der Beschluss der Prüfungsstelle für die Klasse H02J des Deut-schen Patent- und Markenamts vom 24. Juni 2008 wird aufgeho-ben und das Patent 10 2006 040 753 mit folgenden Unterlagen er-teilt:Patentansprüche 1 und 2 gemäß Hauptantrag vom 11. Januar 2012,Beschreibung Seiten 1 bis 12 vom 11. Januar 2012 und Seite 18 vom Anmeldetag und Zeichnungen vom Anmeldetag.G r ü n d eI.Das Deutsche Patent- und Markenamt - Prüfungsstelle für Klasse H02J - hat die am 31. August 2006 eingereichte Patentanmeldung mit Beschluss vom 24. Juni 2008 zurückgewiesen, da sowohl der geltende Patentanspruch 1 als auch der geltende Patentanspruch 8 Änderungen enthalte, die den Gegenstand der An-sprüche erweiterten und für welche seitens der Anmelderin trotz wiederholter Auf-forderung auch keine Offenbarungsstellen in den ursprünglichen Unterlagen auf-gezeigt werden konnten.Gegen diesen Beschluss richtet sich die Beschwerde der Anmelderin vom 1. September 2008, eingegangen am 4. September 2008.- 3 -Sie hat in der mündlichen Verhandlung beantragt,den Beschluss der Prüfungsstelle für die Klasse H02J des Deut-schen Patent- und Markenamts vom 24. Juni 2008 aufzuheben und das Patent 10 2006 040 753 mit folgenden Unterlagen zu er-teilen:Ansprüche 1 und 2 gemäß Hauptantrag vom 11. Januar 2012Beschreibung Seiten 1 bis 12 vom 11. Januar 2012 und Seite 18 vom AnmeldetagZeichnungen vom Anmeldetag.Der mit einer eingefügten Merkmalsgliederung versehene geltende Patentan-spruch 1 gemäß Hauptantrag lautet (nach Streichung einer Wortdoppelung im Merkmal 3/3. Spiegelstrich und mit Einfügung offensichtlich fehlender Bezugszif-fern in Merkmal 5):"1. Schaltungsanordnung zur redundanten Stromversorgung einer nachgeschalteten Last, beinhaltend:- einen ersten Strompfad mit einem ersten Schaltele-ment (1, FET1), an dem eingangsseitig eine erste Span-nung (UB1) anliegt;- zumindest einen zweiten Strompfad mit einem zweiten Schaltelement (3, FET2), an dem eingangsseitig eine zweite Eingangsspannung (UB2) anliegt;- eine erste, mit dem ersten Strompfad verbundene Steuereinrichtung (2) zur Steuerung des ersten Schalt-elements (1, FET1);- zweite, mit dem zweiten Strompfad und mit gegebenen-falls vorhandenen weiteren Strompfaden jeweils verbun-- 4 -denen Steuereinrichtungen (4) zur Steuerung des zwei-ten Schaltelements bzw. weiterer Schaltelemente (3, FET2); und- einem gemeinsamen Ausgangsanschluss aller Strom-pfade, an dem eine Lastversorgungsspannung (UB) ausgegeben wird; wobei- in einem normalen Betriebszustand jede Steuereinrich-tung (2, 4) das zugeordnete Schaltelement (1, FET1, 3, FET2) in einem Durchlasszustand hält, und in einem abnormalen Betriebszustand in Abhängigkeit vom Stromfluss im jeweiligen Strompfad diejenige der Steuereinrichtungen (2, 4), die sich in diesem Strom-pfad befindet, das Schaltelement in diesem Strompfad in einen Sperrzustand schaltet, wobei2. das erste und das zweite Schaltelement (1, FET1, 3, FET2) ein selbstsperrender MOSFET ist,3. alle Steuereinrichtungen (2, 4) jeweils- aus gleichen und gleich verschalteten Elementen aufge-baut sind;- parallel zu dem jeweiligen Schaltelement (1, FET1, 3, FET2) angeordnet sind;- einen ersten Eingang (UB1_on, UB2_on) zum Verset-zen und Halten des jeweiligen Schaltelements (1, FET1, 3, FET2) in den/dem leitenden Zustand durch eine Steuereinheit aufweist;- einen zweiten Eingang (Isense) zum Erfassen eines von dem jeweiligen Schaltelement (1, FET1, 3, FET2) er-zeugten Stroms aufweist;- 5 -- einen ersten Ausgang (IN) zum Steuern des Schaltzu-stands des jeweiligen Schaltelements (1, FET1, 3FET2) in Abhängigkeit von dem an dem zweiten Ein-gang (Isense) erfassten Stromes aufweist; und- einen zweiten Ausgang (STAT_UB1, STAT_UB2) zum Rückmelden des Schaltzustands des jeweiligen Schalt-elements (1, FET1, 3, FET2) an die Steuereinheit und Erfassen des Schaltzustands durch dieselbe aufweist,4. wobei alle Strompfade durch eine in Sperrichtung betriebene interne Diode des jeweiligen Schaltelements (1, FET1, 3, FET2) entkoppelt sind,5. wobei jeder MOSFET (FET1, FET2) einen Source-An-schluss (S), einen Drain-Anschluss (D), einen Gate-An-schluss (G) und einen Ausgangsanschluss (Isense) aufweist,wobei der Source-Anschluss (S) des MOSFET (FET1, FET2) mit der die Batteriespannung (UB1, UB2) führenden Leitung verbunden ist und an seinem Drain-Anschluss (D) die Batterie-spannung (UB) für die nachgeschaltete, zu versorgende Ein-richtung liefert,6. wobei jede Steuereinrichtung (2, 4) aus folgenden Bauteilen besteht:wobei zweiten Widerstand (R2, R6), der an einem seiner En-den mit dem Source-Anschluss (S) des MOSFET (FET1, FET2) und an dem anderen seiner Enden mit dem Gate-An-schluss (G) eines ersten Feldeffekttransistors (T1, T4) und der Anode einer Zenerdiode (D2, D3) verbunden ist, deren Katho-de mit dem Drain-Anschluss (D) des MOSFET (FET1, FET2) verbunden ist, wobei die Zenerdiode (D2, D3) zwischen dem - 6 -Drain-Anschluss (D) des MOSFET (FET1, FET2) und dem zweiten Widerstand (R2, R6) in Sperrichtung gepolt ist, der Source-Anschluss (S) des ersten Feldeffekttransistors (T1, T4) mit dem Drain-Anschluss (D) des MOSFET (FET1, FET2) ver-bunden ist, und der Drain-Anschluss (D) des ersten Feldeffekt-transistors (T1, T4) mit einem Ende eines dritten Wider-stands (R3, R8) verbunden ist, dessen anderes Ende wiede-rum mit einem fünften Widerstand (R5, R10) verschaltet und gleichzeitig zu dem Basisanschluss eines Bipolartransis-tors (T3, T6) geführt ist, das andere Ende des fünften Wider-stands (R5, R10) mit dem Emitter des Bipolartransistors (T3, T6) und einem Ende einer Diode (D5, D4) verbunden ist, wel-che somit ebenfalls mit dem Emitter des Bipolartransis-tors (T3, T6) verschaltet und im Übrigen in Durchlassrichtung zu einer Masse (GND) des Kraftfahrzeugs hin angeordnet ist, der Kollektoranschluss des Bipolartransistors (T3, T6) mit ei-nem Ende eines vierten Widerstands (R4, R9) verbunden ist, an dessen anderem Ende das Einschaltsignal (UB1_on, UB2_on) zugeführt wird, sowie mit dem Gate-Anschluss (G) eines zweiten Feldeffekttransistors (T2, T5) verbunden und ferner zu dem Signalausgang (STAT_UB1, STAT_UB2) ge-führt ist, der Source-Anschluss (S) des Feldeffekttransis-tors (T2, T5) mit dem Emitter des Bipolartransistors (T3, T6), der Diode (D5, D4) und dem fünften Widerstand (R5, R10) verbunden ist, und der Drain-Anschluss (D) des zweiten Feld-effekttransistors (T2, T5) über den ersten Widerstand (R1, R7) an den Gate-Anschluss (G; IN) des MOSFET (FET1, FET2) geführt ist, wobei ein Ausgangsanschluss (Isense) des MOS-FET (FET1, FET2) zu dem Basisanschluss des Bipolartransis-tors (T3, T6) und zwischen den dritten und den fünften Wider-stand (R3, R8, R5, R10) führt,- 7 -7. und wobei jede Steuereinrichtung so ausgelegt ist, dass beim Auftreten einer gegenüber dem/den anderen Batteriespannun-gen (UB1) niedrigeren Batteriespannung (UB2) an der Klem-me einer der Steuereinrichtungen aufgrund der zwischen dem Drain-Anschluss (D) und dem Source-Anschluss des zugehö-rigen MOSFET auftretenden positiven Spannung ein positiver Strom über den Ausgangsanschluss (Isense) dieses MOSFET über den fünften Widerstand (R5) zur Masse führt, dessen Spannungsabfall die Abschaltung des MOSFET einleitet, und dass bei Überschreiten der Schwellenspannung des ersten, selbstsperrenden Feldeffekttransistors (T1, T4) eine Mitkopp-lung über den fünften Widerstand (R5, R10) und den Bipolar-transistor (T3, T6) erfolgt und der MOSFET (FET1, FET2) voll-ständig abgeschaltet wird."Mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen soll die Aufgabe gelöst werden, eine redundante Stromversorgung für sicherheitsrelevante Systeme in Kraftfahrzeugen zu schaffen, welche in Halbleiter-Schaltelementen auftretende Verlustleistungen minimiert und die in diesen auftretenden Spitzenleistungen be-grenzt (S. 2 Abs. 3 der geltenden Beschreibung).Wegen weiterer Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.II.Die statthafte und auch sonst zulässige Beschwerde hat mit dem geänderten Pa-tentbegehren auch Erfolg.- 8 -Denn die geltenden Patentansprüche 1 bzw. 2 enthalten jeweils keine Angaben, die den Gegenstand der Anmeldung erweitern (§ 38 Abs. 1 PatG); der Gegen-stand gemäß Hauptanspruch ist gegenüber dem im Verfahren genannten Stand der Technik auch neu (§ 3 Abs. 1 PatG) und ergibt sich für den Fachmann schließ-lich auch nicht in naheliegender Weise aus dem Stand der Technik (§ 4 PatG).Als zuständigen Fachmann sieht der Senat einen Diplom-Ingenieur (FH) der Elek-trotechnik an mit Berufserfahrung in der Entwicklung und Anwendung von Schal-tungssystemen zur Stromversorgung elektrischer Verbraucher in Kraftfahrzeugen und Nutzfahrzeugen.1. Die geltenden Patentansprüche sind zulässig, da ihre Merkmale in den ur-sprünglichen Anmeldeunterlagen jeweils als zur Erfindung gehörend offenbart sind.Merkmal 1 ergibt sich aus dem ursprünglichen Anspruch 1, wobei die ursprünglich zahlreichen "zumindest"-Angaben für das nun beanspruchte Schaltungssystem mit mindestens zwei identisch aufgebauten Stromzweigen (vgl. die u. U. S. 7 Z. 11 i. V. m. S. 3 Z. 27 bis 29: in Abhängigkeit von der Anzahl vorhandener Strompfa-de…) anzupassen waren.Die unklare Angabe "(schlechte) elektrische Eigenschaften" im sechsten Spiegel-strichmerkmal war durch die einzig klar offenbarte Abhängigkeit vom Stromfluss im jeweiligen Strompfad zu ersetzen, die der Fachmann den Ausführungen zum Abschaltvorgang (S. 10 Abs. 1 bis 4 der u. U.) entnimmt.- 9 -Merkmal 2 entspricht dem ursprünglichen Anspruch 3, wobei der Fachmann die-ses Merkmal im Hinblick auf das zweite Spiegelstrichmerkmal von Merkmal 1 (zu-mindest einen zweiten Strompfad…) so versteht, dass jedes in den ggfls. mehre-ren zweiten Stromkreisen vorhandene zweite Schaltelement ein selbstsperrender MOSFET ist.Merkmal 3 entspricht dem ursprünglichen Anspruch 4, wobei der Fachmann unter einem "von dem jeweiligen Schaltelement (1, FET1, 3, FET2) erzeugten Strom" den dieses Schaltelement zwischen Source- und Drain-Anschluss durchfließenden Strom versteht. Denn im Zusammenhang mit der Vermeidung von Querströmen (S. 9 Z. 2 bis S. 10 Z. 26 der u. U., insbes. S. 9 Z. 11 bis 18) offenbaren die An-meldeunterlagen als einzige klare und insoweit auch vollständige und ausführbare Lehre, dass der Stromfluss im jeweiligen MOSFET und die infolgedessen am MOSFET auftretende Source-Drain-Spannung dessen Abschaltung durch die Steuereinrichtung bewirkt.Merkmal 4 entspricht den Sachmerkmalen des ursprünglichen Anspruchs 11, der den Inversbetrieb der MOSFETs beschreibt.Die erforderlichen Anschlüsse jedes MOSFETs und deren Verschaltung zur Stromversorgung gemäß Merkmal 5 ist auf Seite 6, Zeilen 5 bis 8 und Zeilen 13 bis 13 der ursprünglichen Unterlagen im Zusammenhang mit den einzigen Ausfüh-rungsbeispiel erfindungswesentlich offenbart.Merkmal 6 betrifft die mit jedem Strompfad jeweils verbundene komplette Steuer-schaltung, wie sie in Figur 2 der Anmeldung für die dort gezeigten lediglich zwei Strompfade dargestellt, beziffert und auf Seite 6 Zeile 17 bis Seite 7, Zeile 10 der Anmeldeunterlagen beschrieben ist. Hinsichtlich der Gleichheit aller Steuereinrich-tungen gemäß Merkmal 3 waren diese Angaben sprachlich sowie hinsichtlich der Bezugsziffern anzupassen.- 10 -Zwar sind in den Anmeldeunterlagen für die elektronischen Bauteile der Steuer-schaltung keine Kenndaten angegeben. Jedoch gehört die Dimensionierung der in Figur 2 gezeigten und in Merkmal 6 beschriebenen Schaltung nach Ansicht des Senats zum allgemeinen Fachwissen des hier zuständigen Fachmanns, sodass die auf Seite 10, Zeilen 1 bis 26 der ursprünglichen Unterlagen angegebene Schaltungsfunktion erreicht wird.Deshalb war zu Vervollständigung der mit den Merkmalen 1 bis 6 gegebenen Leh-re das Merkmal 7 zulässig mit den Worten anzuschließen, "dass jede Steuerein-richtung so ausgelegt ist, dass…".Am Anmeldetag waren dem Fachmann zwar MOSFETs oder auch integrierte Schaltungen bekannt, in denen außer einem Mosfet weitere Schaltungsfunktionen zu dessen Überwachung realisiert und an entsprechenden Ausgangsanschlüssen abgreifbar sind.Da aber die Anmeldeunterlagen keine Angaben enthalten, eine bestimmte Mosfet-Bauform zu verwenden, versteht der Fachmann unter einer "internen Stromquelle Isense" bzw. unter einem von dieser "gelieferten Strom" (z. B. S. 10 Z. 4), dass der anmeldungsgemäß zu verwendende MOSFET einen Ausgang aufweist, der einen positiven Strom über den Widerstand R5, R10 zur Masse erzeugen kann, z. B. durch eine an diesem Ausgang auftretende Spannung, wenn die Drain-Source-Spannung positiv ist (S. 10 Z. 1 bis 12).Dass der vom MOSFET-Ausgang erzeugte Strom die Abschaltung des MOSFET lediglich "einleitet", ergibt sich aus dem in der Beschreibung im Zusammenhang mit der Mitkopplung Offenbarten, demzufolge beim Einschalten des ersten Feldef-fekttransistors T1, T4 der zusätzlich durch den Widerstand R5, R10 fließende Strom (S. 10 Z. 13 bis 26 der u. U.) zur vollständigen Abschaltung des MOSFET führt (S. 10 Z. 23).- 11 -Merkmal 7 ist dem Fachmann demnach an den voranstehend angegebenen Stel-len der Anmeldeunterlagen erfindungswesentlich offenbart.Der geltende Anspruch 2 entspricht dem ursprünglichen Anspruch 5.2. Der Gegenstand gemäß dem geltenden Anspruch 1 ist neu.Die DE 197 57 113 A1 offenbart dem Fachmann mit den Worten des Anspruchs 1 eine1. Schaltungsanordnung zur redundanten Stromversorgung einer nachgeschalteten Last (Sp. 1 Z. 22 bis 30), beinhaltend:- einen ersten Strompfad mit einem ersten Schaltele-ment T1, an dem eingangsseitig eine erste Span-nung UBN1 anliegt (Fig. 1);- zumindest einen zweiten Strompfad mit einem zweiten Schaltelement T3, an dem eingangsseitig eine zweite Ein-gangsspannung UBN2 anliegt;- eine erste, mit dem ersten Strompfad verbundene Steuer-einrichtung STG zur Steuerung des ersten Schaltele-ments T1;- zweite, mit dem zweiten Strompfad und mit gegebenen-falls vorhandenen weiteren Strompfaden jeweils verbun-denen Steuereinrichtungen STG zur Steuerung des zwei-ten Schaltelements T3 und ggf. weiterer Schaltelemente; und- einem gemeinsamen Ausgangsanschluss aller Strompfa-de, an dem eine Lastversorgungsspannung UAUS ausge-geben wird (Sp. 1 Z. 65 bis 68, Anspruch 1); wobei- 12 -- in einem normalen Betriebszustand jede Steuereinrichtung das zugeordnete Schaltelement T1, T3 in einem Durch-lasszustand hält (Sp. 3 Z. 19 bis 29) und in einem abnor-malen Betriebszustand in Abhängigkeit vom Stromfluss im jeweiligen Strompfad diejenige der Steuereinrichtungen sperrt, die sich in diesem Strompfad befindet, das Schalt-element in diesem Strompfad in einen Sperrzustand schal-tet (Sp. 2 Z. 44 bis 54).Der Gegenstand gemäß Patentanspruch 1 unterscheidet sich von dem aus dieser Druckschrift bekannten schon dadurch, dass - entgegen Merkmal 2 - dort weder angegeben noch mitzulesen ist, dass die Mosfets selbstsperrend sind. Denn Fi-gur 1 offenbart lediglich selbstleitende Mosfets.Auch sind die Steuerschaltungen STG lediglich hinsichtlich ihrer Wirkungsweise beschrieben (z. B. Sp. 2 Z. 44 bis 61), nicht aber hinsichtlich des inneren Aufbaus, sodass auch Merkmal 6 des Anspruchs 1 dort nicht bekannt ist.In Figur 1 der DE 102 12 164 A1 ist i. V. m. dem zugehörigen Text eine weitere Schaltungsanordnung zur redundanten Stromversorgung (nämlich entweder aus der Leistungsversorgung 112 oder der Leistungsversorgung 114) einer nachge-schalteten Last 110 bekannt, beinhaltend einen ersten Strompfad 122 mit einem ersten Schaltelement 124, an dem eingangsseitig eine erste Spannung anliegt (die Spannung am Ausgang 120 der Leistungsversorgung 112), zumindest einen zwei-ten Strompfad mit einem zweiten Schaltelement 174, an dem eingangsseitig eine zweite Eingangsspannung (am Ausgang 170) anliegt.- 13 -Schon abweichend vom geltenden Patentanspruch 1 ist die dortige Redundanz nicht durch einen gleichzeitigen Normalbetrieb aus mindestens zwei Eingangs-spannungen verwirklicht sondern dadurch, dass nur eine der beiden Leistungsver-sorgungen aktiv ist und im Fehlerfall auf die verbleibende "gute" Leistungsversor-gung umgeschaltet wird (vgl. dort z. B. [0028] bis [0030] oder Sp. 7 Z. 29 bis 58).In weiterer Abweichung von Merkmal 1 des Anspruchs 1 sind die beiden Schalt-elemente 124, 174 auch nicht mit jeweils einer Steuereinrichtung verbunden, son-dern nur mit jeweils einer Überwachungsschaltung 116, 118, welche Teil einer ein-zigen (Gesamt)Steuerschaltung 160 sind, mit der das Umschalten zwischen den beiden Leistungsversorgungen 112, 114 bewirkt wird (s. o.).Ob über diese Abweichungen hinaus weitere Übereinstimmungen mit dem Gegen-stand des geltenden Anspruchs 1 bestehen, kann im Rahmen der Neuheitsbe-trachtung dahingestellt bleiben.Die EP 1 253 704 A1 betrifft Schutzmassnahmen für steuerbare Elektronikbautei-le, insbesondere Schaltungsanordnungen für Mosfets 77 (Fig. 7 i. V. m. Fig. 5, Abs. [0029], [0031]), welche im Inversbetrieb betrieben sind und in Parallelschal-tung zur redundante Stromversorgung einer nachgeschalteten Last dienen (erstes Teilmerkmal 1).In Übereinstimmung mit weiteren Teilmerkmalen 1 des geltenden Anspruchs 1 be-inhaltet auch diese Schaltungsanordnung einen ersten Strompfad 36 mit einem ersten Schaltelement 77, an dem eingangsseitig eine erste Spannung (Fig. 5: Source 33 am Eingang IN von Fig. 7) anliegt, zumindest einen zweiten Strom-pfad 38 (Fig. 5) mit einem zweiten Schaltelement 77, an dem eingangsseitig eine zweite Eingangsspannung (aus Source 34 am Eingang IN von Fig. 7) anliegt, eine erste, mit dem ersten Strompfad verbundene Steuereinrichtung 79 zur Steuerung des ersten Schaltelements 77, zweite, mit dem zweiten Strompfad 38 und mit ge-gebenenfalls vorhandenen weiteren Strompfaden jeweils verbundenen Steuerein-- 14 -richtungen 79 zur Steuerung des zweiten Schaltelements 77 und ggfls. weiterer Schaltelemente.Abweichend vom fünften Spiegelstrichmerkmal in Merkmal 1 offenbart diese Schaltung keinen gemeinsamen Ausgangsanschluss aller Strompfade, an dem ei-ne Lastversorgungsspannung UAUS ausgegeben wird; denn die beiden Strompfade sind dort der Last 35 (Fig. 5) getrennt voneinander zugeführt.Auf weitere Übereinstimmungen der bekannten mit der anspruchsgemäßen Schal-tungsanordnung kommt es im Rahmen der Neuheit auch hier nicht an.3. Der Gegenstand gemäß dem geltenden Patentanspruch 1 ergibt sich für den Fachmann nicht in naheliegender Weise aus dem Stand der Technik ergibt.Ausgehend von der aus der DE 197 57 113 A1 als nächstkommender Stand der Technik bekannten Schaltungsanordnung stellt sich die anmeldungsgemäße Auf-gabe, eine redundante Stromversorgung für sicherheitsrelevante Systeme in Kraft-fahrzeugen zu schaffen, welche in Halbleiter-Schaltelementen auftretende Verlust-leistungen minimiert und die in diesen auftretenden Spitzenleistungen begrenzt, in der Praxis regelmäßig von selbst.Denn bei geringeren Verlustleistungen bedarf es einem geringeren Aufwand zur Bauelemente-Kühlung, was die vom Fachmann für Serienprodukte der hier in Re-de stehenden Art zu beachtenden Kosten der Schaltung ebenso verringert wie die Verwendbarkeit von Elementen mit geringerer Spitzenleistung.Zur Lösung dieser Aufgabe offenbaren zwar alle drei vorgenannten Entgegenhal-tungen jeweilige Steuerschaltungen, welche auf die am Mosfet auftretenden Span-nungen bzw. Ströme in der gewünschten Weise reagieren, um den Mosfet und/oder die Spannungsversorgung zu schützen (z. B. Fig. 1 Sp. 2 Z. 44 bis 61 - 15 -der DE 197 57 113 A1 / Fig. 1 i. V. m. Abs. [0031] bis [0033] und [0046] der DE 102 12 164 A1 / Figur 7 der EP 1 253 704 A2).Es ist aber im Wesentlichen lediglich die Reaktion derselben auf die am jeweiligen Mosfet auftretenden Spannungen bzw. Ströme beschrieben; die Schaltungen selbst sind lediglich als Blockschaltbilder dargestellt (Fig. 1 der DE 197 57 113 A1 bzw. Fig. 7 der EP 1 253 704 A2) oder soll im Kern als frei-programmierbares Gat-ter-Array FGPA 162 ausgestaltet sein (Fig. 1 i. V. m. [0031] der DE 102 12 164 A1).Die Erfinder haben, mit der im Merkmal 6 beschriebenen übersichtlichen Anord-nung aus Transistoren, Dioden und einigen Widerständen, welche ohne weitere Maßnahmen direkt von der am Source-Eingang des jeweiligen MOSFET anliegen-den Eingangsspannung betrieben wird und den im Merkmal 7 angegebenen mit-gekoppelten Ausschaltvorgang bewirkt, eine konkrete Steuerschaltung geschaf-fen, auf die dem Fachmann im entgegengehaltenen Stand der Technik kein Hin-weis gegeben wird.Bei dieser Sachlage widerspricht auch nicht der Patentfähigkeit,- dass sowohl der in Merkmal 4 des geltenden Anspruchs 1 an-gegebene Inversbetrieb von parallelgeschalteten Mosfets,- als auch die sich aus Merkmal 6 i. V. m. Merkmal 7 des An-spruchs 1 ergebende alleinige Versorgung jeder Steuereinrich-tung aus der am jeweiligen Mosfet anliegenden Eingangsspan-nung bereits im Zusammenhang mit der in Figur 7 der EP 1 253 704 A1 bekanntgewordenen Schaltungsanordnung verwirklicht ist,- 16 -- dass zumindest die Beschreibung der DE 102 12 164 A1 (Sp. 7 Z. 29 bis 32 und Z. 49 bis 54) die Verwendung selbstsperrender Mosfets offenbart, die auch gemäß Merkmal 2 des geltenden Anspruchs vorgesehen ist, und- dass auch der Aufbau der Steuereinrichtungen aus gleichen und gleich verschalteten Elementen und die Parallelschaltung zum jeweiligen Schaltelement, mit Eingängen zum EIN-Schal-ten der Schaltelemente (Merkmal 3, erster, zweiter Spiegel-strich) und mit einem Ausgang zum Steuern des Schaltzustan-des (fünfter Spiegelstrich) zumindest aus der EP 1 253 704 A2, Figur 5 bis 7 bekannt sind,- dass Eingänge 144, 184 bzw. 194 zum Erfassen eines vom Schaltelement erzeugten (Rück)Stromes (über die Span-nung USD bzw. der Rückwärtsstromindikator) gemäss Merk-mal 3, vierter Spiegelstrich) aus DE 102 12 684 A1 bekannt sind (Anspr. 6).Denn es ist auch nicht ersichtlich, dass alle diese für sich bekannten Maßnahmen einzeln oder in Kombination den Fachmann zu der in den Merkmalen 6 und 7 de-tailliert beschriebenen Steuereinrichtung führen könnten.4. Die Beschreibung ist an das nun geltende Patentbegehren angepasst. In der Beschreibungseinleitung ist zumindest die nächstkommende Druckschrift angege-ben und in ihrem Bezug zur Erfindung dargelegt (Schulte, PatG, 8. Auflage, § 34 Rdn. 219).Bertl Dr. Kaminski Dr. Scholz Dr. SchönPü
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