BPatG 154 05.11 BUNDESPATENTGERICHT 23 W (pat) 10/14 _______________ (Aktenzeichen) Verkündet am 18. Februar 2016 … B E S C H L U S S In der Beschwerdesache … betreffend die Patentanmeldung 10 2008 034 299.8 hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 18. Februar 2016 unter Mitwirkung des Vorsit-zenden Richters Dr. Strößner und der Richter Brandt, Dr. Friedrich, und Dr. Himmelmann - 2 - beschlossen: Die Beschwerde wird zurückgewiesen. G r ü n d e I. Die vorliegende Anmeldung mit dem Aktenzeichen 10 2008 034 299.8 und der Bezeichnung „Licht emittierendes Bauelement auf Nitridbasis“ wurde am 23. Juli 2008 unter Inanspruchnahme der Priorität KR 10-2007-0096081 vom 20. September 2007 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht. Die Prüfungsstelle für Klasse H01L hat im Prüfungsverfahren den Stand der Technik gemäß den Druckschriften D1 US 2003/0006409 A1 D2 US 2007/0108456 A1 D3 US 2004/0232440 A1 und D4 Yoshitaka Taniyasu, Makoto Kasu, Naoki Kobayashi; Lattice parameters of wurtzite Al1−xSixN ternary alloys; In: Applied Physics Letters Volume 79, Number 26, 24 December 2001, S. 4351-4353 (von der Anmelderin genannt) zitiert und im Prüfungsbescheid vom 31. März 2010, auf den die Anmelderin mit Eingabe vom 29. Juli 2010 reagiert hat, sowie im Ladungszusatz vom 31. Juli 2012 und der zugehörigen Anhörung vom 2. Oktober 2012 insbesondere ausgeführt, dass der ermittelte Stand der Technik den Gegenstand der Anmel-dung dem Fachmann nahelege und dass zudem die Anmeldung den bean-spruchten Gegenstand nicht so deutlich und vollständig offenbare, dass der Fachmann ihn ausführen könne. Dem hat die Anmelderin mit Eingabe vom - 3 - 22. Februar 2013 widersprochen und darin auch auf die Druckschrift D4 als Beleg für die Ausführbarkeit hingewiesen. Da sich die Prüfungsstelle diesen Ausführun-gen nicht anschließen konnte, hat sie die Anmeldung mit der Begründung fehlen-der Ausführbarkeit zurückgewiesen (§ 34 Abs. 4 PatG). Ihre Entscheidung hat die Prüfungsstelle in einem auf den 9. Dezember 2013 da-tierten Beschluss begründet, der in der elektronischen Akte des DPMA als PDF-Datei mit der Bezeichnung „Zurückweisungsbeschluss - Signiert“ und einer Sig-naturdatei „SIG-1“ zu finden ist. Gegen diesen Beschluss, dem Vertreter der Anmelderin am 12. Dezember 2013 zugestellt, richtet sich die am 10. Januar 2014 über Fax beim DPMA eingegan-gene Beschwerde mit der nachgereichten Beschwerdebegründung vom 12. März 2014. Zusammen mit der Ladung zur mündlichen Verhandlung hat der Senat die Anmel-derin auch auf die Relevanz der folgenden Druckschriften hingewiesen: D5 T. Akasaka u. a.; Reduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin SixAl1-xN interlayers; In: Applied Physics Letters Volume 83, Number 20, 17. November 2003, S. 4140-4142 D6 US 2007/0057282 A1 D7 US 2005/0230696 A1 und D8 US 6 620 643 B1. Die ordnungsgemäß geladene Anmelderin ist – wie zuvor schriftlich angekündigt – zur mündlichen Verhandlung nicht erschienen. Die Anmelderin beantragt mit Schriftsatz vom 12. März 2014 sinngemäß: - 4 - 1. Den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 9. Dezember 2013 aufzuheben. 2.a) Hauptantrag Ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Licht emittierendes Bauelement auf Nitridbasis“, dem Anmeldetag 23. Juli 2008 unter Inanspruchnahme der Priorität KR 10-2007-0096081 vom 20. September 2007 auf der Grundlage folgender Unterlagen: Patentansprüche 1 bis 7 vom 22. Februar 2013 ge-mäß Hauptantrag, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 22. Februar 2013; Beschreibungsseiten 1/9 bis 9/9 vom 22. Februar 2013, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 22. Februar 2013; 2 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 3 vom 12. August 2008, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 12. August 2008; 2.b) Hilfsantrag 1 Hilfsweise das unter 2.a) genannte Patent auf der Grundlage fol-gender Unterlagen zu erteilen: Patentansprüche 1 bis 5 vom 12. März 2014 gemäß Hilfsantrag 1, eingegangen am 12. März 2014; die unter 2.a) genannten Beschreibungsseiten und Zeichnungen; 2.c) Hilfsantrag 2 Hilfsweise das unter 2.a) genannte Patent auf der Grundlage fol-gender Unterlagen zu erteilen: - 5 - Patentansprüche 1 bis 6 vom 22. Februar 2013 ge-mäß Hilfsantrag 2, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 22. Februar 2013; die unter 2.a) genannten Beschreibungsseiten und Zeichnungen. Die jeweiligen Ansprüche 1 des Hauptantrags sowie der Hilfsanträge 1 und 2 lau-ten, mit einer Gliederung ergänzt, folgendermaßen: Anspruch 1 des Hauptantrags (inhaltliche Änderungen des Anspruchs 1 zum ursprünglichen Anspruch 1 sind unterstrichen): „Licht emittierendes Bauelement auf Nitridbasis, (a) mit einer Pufferschicht (2-2), (b) einer Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art, (c) einer aktiven Schicht (2-4) und (d) einer Nitridhalbleiterschicht (2-5) der p-Art, (e) die auf einem Substrat (2-1) gebildet sind, (f) wobei innerhalb der Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art eine aus Al1-xSixN bestehende Zwischenschicht (2-a) gebildet ist, (g) wobei die Si-Zusammensetzung x der Zwischenschicht (2-a) im Bereich von 0,02 bis 0,2 liegt.“ Anspruch 1 des Hilfsantrags 1 (inhaltliche Änderungen des Anspruchs 1 zum ursprünglichen Anspruch 1 sind unterstrichen): „Licht emittierendes Bauelement auf Nitridbasis, (a) mit einer Pufferschicht (2-2), (b) einer Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art, (c) einer aktiven Schicht (2-4) und - 6 - (d) einer Nitridhalbleiterschicht (2-5) der p-Art, (e) die auf einem Substrat (2-1) gebildet sind, (f‘) wobei innerhalb der Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art, die eine Gesamtdicke von 1,0 bis 5,0 µm hat, eine aus Al1-xSixN bestehende Zwischenschicht (2-a) gebildet ist, (g‘) wobei die Zwischenschicht (2-a) an einer Position, die 1/3 bis 2/3 der Gesamtdicke der Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art entspricht, gebildet ist und eine Dicke von 10 bis 500 nm hat.“ Anspruch 1 des Hilfsantrags 2 (inhaltliche Änderungen des Anspruchs 1 zum Anspruch 1 des Hauptantrags sind unterstrichen): Licht emittierendes Bauelement auf Nitridbasis, (a) mit einer Pufferschicht (2-2), (b) einer Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art, (c) einer aktiven Schicht (2-4) und (d) einer Nitridhalbleiterschicht (2-5) der p-Art, (e) die auf einem Substrat (2-1) gebildet sind, wobei: (h) für das Substrat (2-1) ein aus Saphir gebildetes Kristallwachstumssubtrat verwendet ist, (i) für die Pufferschicht (2-2) eine aus InAlGaN-Folgen gebildete Pufferschicht verwendet ist, (j) für die Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art eine Nitridhalb-leiterschicht (2-3) der n-Art mit einer Störstellenkonzentration von 1x1017 /cm3 bis 5x1019 /cm3 und einer Dicke von 1,0 bis 5,0 µm verwendet ist, wobei ein Inertgas oder eine MO-Quelle verwendet ist, (f) innerhalb der Nitridhalbleiterschicht (2-3) der n-Art eine aus Al1-xSixN bestehende Zwischenschicht (2-a) gebildet ist, (g‘‘) wobei x im Bereich von 0,02 bis 0,2 liegt, - 7 - (k) wobei die Zwischenschicht (2-a) eine Zwischenschicht (2-a) mit einer Störstellenkonzentration von 3x1018 /cm3 bis 5x1020 /cm3 und einer Dicke von 10 bis 500 nm verwendet ist, (l) wobei eine MO-Quelle aus Trimethylaluminum (TMAl) zum Erhalt von Al und ein Inertgas zum Erhalt von Si, oder eine MO-Ausgangsquelle unter einer NH3-Atmosphäre bei 800 bis 1000 °C verwendet ist, (m) für die aktive Schicht (2-4) eine multiple Quantenausgangs-struktur, in der Quantenausgangsschichten (3-1) aus InzGal1-zN (0,1
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