23 W (pat) 13/15  - 23. Senat (Techn.Beschw.)

BPatG 154 05.11 BUNDESPATENTGERICHT 23 W (pat) 13/15 _______________ (Aktenzeichen) Verkündet am 18. Oktober 2016 … B E S C H L U S S In der Beschwerdesache … betreffend die Patentanmeldung 10 2008 033 234.8 hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 18. Oktober 2016 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Strößner und der Richter Dr. Friedrich, Dr. Zebisch und Dr. Himmelmann - 2 - beschlossen: 1. Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deut-schen Patent- und Markenamts vom 21. April 2015 (schrift-lich begründet durch Beschluss vom 27. April 2015) wird aufgehoben. 2. Es wird ein Patent erteilt mit der Bezeichnung „Feldeffekttransistor“, dem Anmeldetag 15. Juli 2008 unter Inanspruchnahme der Priorität JP 2007-217254 vom 23. August 2007 auf der Grundlage folgender Unterlagen:  Patentansprüche 1 und 2, überreicht in der mündli-chen Verhandlung am 18. Oktober 2016;  Beschreibungsseiten 1, 2, 4, 7 bis 11 und 13 bis 15, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 13. August 2008;  Beschreibungsseiten 3, 3a, 5, 6, 12 und 16 bis 22, überreicht in der mündlichen Verhandlung am 18. Oktober 2016;  14 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 10C, einge-gangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 13. August 2008. G r ü n d e I. Die vorliegende Anmeldung mit dem Aktenzeichen 10 2008 033 234.8 und der Bezeichnung „Feldeffekttransistor“ wurde am 15. Juli 2008 mit englischsprachigen Unterlagen unter Inanspruchnahme der japanischen Priorität 2007-217254 vom - 3 - 23. August 2007 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht. Deutsch-sprachige Anmeldeunterlagen wurden mit Eingabe vom 13. August 2008 nachge-reicht. Die Prüfungsstelle hat im Prüfungsverfahren den Stand der Technik gemäß den Druckschriften D1 JP 07-142 512 A D2 US 2005 / 0 023 555 A1 D3 JP 04-302 149 A D4 US 4 549 197 A D5 JP 04-115 555 A D6 JP 10-284 508 A (von der Anmelderin genannt) D7 JP 2007 115 894 A (von der Anmelderin genannt) berücksichtigt und in den Prüfungsbescheiden bzw. Ladungszusätzen vom 23. Februar 2010, 23. September 2014 und 17. April 2015 ihre Bedenken bezüg-lich der Patentfähigkeit der jeweils geltenden Anspruchssätze geäußert. Dem hat die Anmelderin in ihren Eingaben vom 13. Juli 2010 und 10. April 2015 bei gleich-zeitiger Einreichung neuer Anspruchssätze widersprochen, woraufhin die Prü-fungsstelle die Anmeldung in der Anhörung vom 21. April 2015 mit der Begrün-dung fehlender erfinderischer Tätigkeit hinsichtlich der Druckschriften D3 und D5 zurückgewiesen hat. Ihre Entscheidung hat die Prüfungsstelle mit Beschluss vom 27. April 2015 schriftlich begründet. Gegen diesen Beschluss, dem Vertreter der Anmelderin am 30. April 2015 zuge-stellt, richtet sich die am 29. Mai 2015 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingegangene Beschwerde mit der nachgereichten Beschwerdebegründung vom 29. Juni 2016. Zusammen mit der Ladung ist die Anmelderin auch auf die Relevanz der folgen-den Druckschriften hingewiesen worden: - 4 - D8 DE 195 22 364 C1 und D9 US 4 436 766. In der mündlichen Verhandlung hat die Anmelderin einen neuen Anspruchssatz vorgelegt. Sie beantragt: 1. den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deut-schen Patent- und Markenamts vom 21. April 2015 (schrift-lich begründet durch Beschluss vom 27. April 2015) aufzu-heben. 2. Ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Feldeffekttransistor“, dem Anmeldetag 15. Juli 2008 unter Inanspruchnahme der Priorität JP 2007-217254 vom 23. August 2007 auf der Grundlage folgender Unterlagen:  Patentansprüche 1 und 2, überreicht in der mündli-chen Verhandlung am 18. Oktober 2016;  Beschreibungsseiten 1, 2, 4, 7 bis 11 und 13 bis 15, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 13. August 2008;  Beschreibungsseiten 3, 3a, 5, 6, 12 und 16 bis 22, überreicht in der mündlichen Verhandlung am 18. Oktober 2016;  14 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 10C, einge-gangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 13. August 2008. Der in der Verhandlung überreichte Anspruchssatz umfasst den selbständigen Anspruch 1 sowie den abhängigen Anspruch 2. Der Hauptanspruch hat folgenden Wortlaut: - 5 - „1. Feldeffekttransistor mit: (a) einem Halbleitersubstrat, das einen aktiven Bereich (33A) und einen den aktiven Bereich (33A) umgebenden Elementtrennungsbereich (33B) hat, die auf einem Oberflächenabschnitt des Halbleitersubstrats festgelegt sind; (b) einer Vielzahl von ohmschen Drainkontakten (10A), die angeordnet sind, um den aktiven Bereich (33A) auf dem Halbleitersubstrat zu kreuzen; (c) einem ohmschen Sourcekontakt (15A), der angeordnet ist, um den aktiven Bereich (33A) auf dem Halbleitersubstrat zwischen zwei ohmschen Drainkontakten (10A), die mit ihm benachbart sind, zu kreuzen; (d) einem Drainkopplungsabschnitt (10B), der auf dem Element-trennungsbereich (33B) des Halbleitersubstrats angeordnet ist und Enden der ohmschen Drainkontakte (10A) auf derselben Seite von ihnen koppelt; (e) einem Gate (20), das wenigstens zwei Gatefinger (20A) hat, die angeordnet sind, um den aktiven Bereich (33A) auf dem Halbleitersubstrat von Bereichen zwischen dem ohmschen Drainkontakt (10A) und dem ohmschen Sourcekontakt (15A) zu kreuzen, wobei der ohmsche Sourcekontakt (15A) zwischen zwei der Gatefinger (20A) angeordnet ist; (f) einer Gateenergiezufuhrleitung (20B), die auf dem Elementtrennungsbereich (33B) des Halbleitersubstrats angeord-net ist, die zwei Gatefinger (20A) an deren Enden gegenüber der Anordnungsseite des Drainkopplungsabschnittes (10B) koppelt und den Gatefingern (20A) eine Gatespannung zuführt; (g) einem Isolierfilm (36), der über dem Gate und dem Halbleitersubstrat gebildet ist; und (h) einem Gaterandkopplungsabschnitt (20C) über dem Isolierfilm (36), welcher Gaterandkopplungsabschnitt (20C) mit - 6 - den zwei Gatefingern (20A) an einem Ende davon auf der Anordnungsseite des Drainkopplungsabschnittes (10B) durch in dem Isolierfilm (36) gebildete Durchgangslöcher (27) gekoppelt ist, wobei der Gaterandkopplungsabschnitt (20C) so angeordnet ist, um den ohmschen Drainkontakt (10A) und den Drainkopplungs-abschnitt (10B) nicht zu kreuzen, (i) wobei der Gaterandkopplungsabschnitt (20C) so abgestützt ist, dass sich unter ihm ein Hohlraum befindet.“ Bezüglich des Anspruchs 2 und der weiteren Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen. II. Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde ist zulässig und hinsichtlich des in der mündlichen Verhandlung vom 18. Oktober 2016 eingereichten Anspruchs-satzes auch begründet, denn die Ansprüche 1 und 2 sind zulässig und geben eine gewerblich anwendbare Lehre. Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 ist zu-dem patentfähig, da er durch den im Verfahren befindlichen Stand der Technik nicht patenthindernd getroffen (§§ 1 - 5 PatG) wird, so dass der angefochtene Be-schluss der Prüfungsstelle aufzuheben und das Patent in dem beantragten Um-fang zu erteilen war (§ 79 Abs. 1 PatG i. V. m. § 49 Abs. 1 PatG). 1. Die Anmeldung betrifft einen Feldeffekttransistor mit ineinandergreifenden kammartigen Source-, Drain- und Gate-Elektroden. Leistungsfeldeffekttransistoren für Hochfrequenzanwendungen weisen üblicher-weise kammförmige Gateanordnungen mit parallel zueinander ausgebildeten Ga-tefingern auf, da eine solche Ausgestaltung den Vorteil bietet, die Gate-Breite ver-größern zu können, ohne den Gatewiderstand übermäßig ansteigen zu lassen. Wie zudem in der Beschreibungseinleitung anhand des in den Figuren 10 A, B und C dargelegten Stands der Technik gemäß den Druckschriften D6 und D7 er-- 7 - läutert, ist es zusätzlich bekannt, die einzelnen Gatefinger an ihren jeweiligen En-den zur weiteren Widerstandsreduktion miteinander zu verbinden. Durch solche ineinandergreifenden kammartigen Source-, Drain- und Gate-Struk-turen lassen sich zwar die Leistungseigenschaften von Feldeffekttransistoren weiter verbessern, doch stellt sich dabei das Problem unerwünschter parasitärer Kapazitäten insbesondere zwischen der Gate- und der Drain-Struktur des Tran-sistors. Vor diesem Hintergrund liegt der Anmeldung daher als objektives technisches Problem die Aufgabe zugrunde, die parasitären Kapazitäten zwischen der Gate- und der Drain-Struktur eines Feldeffekttransistors mit ineinandergreifenden kammartigen Source-, Drain- und Gate-Elektroden zu verringern und dessen Hochfrequenzeigenschaften zu verbessern, vgl. Beschreibungsseite 1 bis Seite 3, Zeile 22 und Beschreibungsseite 3a. Gelöst wird diese Aufgabe durch den Feldeffekttransistor nach Anspruch 1. Dieser zeichnet sich gegenüber herkömmlichen Feldeffekttransistoren mit ineinan-dergreifenden kammartigen Source-, Drain- und Gate-Strukturen dadurch aus, dass wenigstens zwei Gatefinger (20A) auf der einen Seite mittels der Gateener-giezuführleitung (20B) und auf der gegenüberliegenden anderen Seite mittels des Gaterandkopplungsabschnitts (20C) gekoppelt sind, wobei der Gaterandkopp-lungsabschnitt (20C) die zwei Gatefinger (20A) über in dem Isolierfilm (36) gebil-dete Durchgangslöcher (27) koppelt und zusätzlich so abgestützt ist, dass sich un-ter ihm ein Hohlraum befindet. Der grundlegende Aufbau des beanspruchten Feldeffekttransistors ist in Fig. 5 und 8F i. V. m. Fig. 1 dargestellt: Die auf der rechten Seite der Figur 5 gezeigte, kammartig ausgebildete Drainelekt-rode (10) mit den fünf ohmschen Drainkontakten (10A) als Drainelektrodenfinger - 8 - und mit dem die Finger verbindenden Drainverbindungsabschnitt (10B) bzw. der Drainverdrahtung (10D) greift oberhalb des aktiven Bereichs (33A) in die beiden kammartig ausgebildeten Sourcelektroden (15) mit den jeweils zwei ohmschen Sourcekontakten (15A) als Sourceelektrodenfinger und mit dem die Finger verbin-denden Sourceverbindungsabschnitten (15B) bzw. den Sourceverdrahtun-gen (15D). Zwischen den gegenüberliegenden Source- und Drainelektrodenfin-gern sind zusätzlich Gateelektrodenfinger (20A) angeordnet, die mittels der Ga-teenergiezuführungsverdrahtung (20B) auf der linken Seite der Figur miteinander verbunden sind und die Gateelektrode (20) bilden. Wesentlich für die beanspruchten Transistoren ist nun, dass jeweils zwei Gatefin-ger (20A) zusätzlich an ihren Enden mittels des Gaterandkopplungsab-schnitts (20C) miteinander verbunden sind, so dass die Gatefinger (20A) auf der einen Seite über die Gateenergiezuführungsverdrahtung (20B) und auf der ande-ren Seite über die Gaterandkopplungsabschnitte (20C) miteinander gekoppelt sind und somit den jeweiligen Sourcefinger (15A) von oben betrachtet umschließen, wobei die Gatefinger (20A) aber die Drainfinger (10A) und den Drainverbindungs-abschnitt (10B) nicht kreuzen. Zudem ist nach Merkmal (g) ein Isolierfilm (36) über den Gatefingern (10A) gebildet, und gemäß Merkmal (h) sind an den Enden der Gatefinger Durchgangslöcher (27) in dem Isolierfilm (36) über den Gatefin-- 9 - gern (10A) eingebracht, mittels derer die Gaterandkopplungsabschnitte (20C) die Gatefinger kontaktieren und miteinander verbinden. Zusätzlich befindet sich nach Merkmal (i), wie in Fig. 8F gezeigt, unterhalb des Gaterandkopplungsab-schnitts (20C) ein Hohlraum, was, wie in Fig. 9 der Anmeldung erläutert, die para-sitäre Kapazität zwischen Gate und Drain reduziert und die Hochfrequenzcharak-teristiken des Transistors verbessert, vgl. geltende Beschreibungsseite 18, Zeile 3 bis Seite 22, Zeile 2. 2. Die Ansprüche 1 und 2 sind zulässig. Anspruch 1 geht zurück auf den ursprünglichen Anspruch 1, wobei die Merk-male (e) und (h) gegenüber dem ursprünglichen Anspruch geändert und die Merkmale (g) und (i) neu aufgenommen wurden. Die entsprechende Offenbarung findet sich in den ursprünglichen Unterlagen auf Seite 18, Zeile 3 bis Seite 21, Zeile 15 i. V. m. den Figuren 5 und 8F. Anspruch 2 entspricht dem ursprünglichen Anspruch 2. 3. Der gewerblich nutzbare (§ 5 PatG) Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 ist hinsichtlich des vorgenannten Stands der Technik neu (§ 3 PatG) und beruht die-sem gegenüber auch auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fach-manns (§ 4 PatG). Dieser ist hier als berufserfahrener und mit der Herstellung und Entwicklung von Feldeffekttransistoren für Hochfrequenzanwendungen befasster Physiker oder Ingenieur der Elektrotechnik mit Hochschulabschluss zu definieren. 4. Gemäß Merkmal (i) des Anspruchs 1 befindet sich unter dem Gaterandkopp-lungsabschnitt (20C) ein Hohlraum. Für eine derartige Ausgestaltung des Gaterandkopplungsabschnitts gibt es in dem entgegengehaltenen Stand der Technik keine Anregung. - 10 - Die den nächstkommenden Stand der Technik bildende Druckschrift D3, vgl. de-ren Abstract und die Figuren 1 bis 5 sowie die englische Bezugszeichenliste, of-fenbart mit den Worten des Anspruchs 1 einen Feldeffekttransistor (Field-Effect Transistor / vgl. den Titel des Abstracts) mit: (a) einem Halbleitersubstrat, das einen aktiven Bereich (electric conduction region 1) und einen den aktiven Bereich umgebenden Elementtrennungsbereich (semi insulating region 2) hat, die auf einem Oberflächenabschnitt des Halbleitersubstrats festgelegt sind; (b‘) einer Vielzahl von ohmschen Drainkontakten (drain electrode 3), die angeordnet sind, um den aktiven Bereich (1) auf dem Halbleitersubstrat teilweise zu überdecken; (c‘) einem ohmschen Sourcekontakt (source electrode 4), der angeordnet ist, um den aktiven Bereich (1) auf dem Halbleitersubstrat zwischen zwei ohmschen Drainkontakten (3), die mit ihm benachbart sind, teilweise zu überdecken; (d) einem Drainkopplungsabschnitt (first pass wiring 6), der auf dem Elementtrennungsbereich (2) des Halbleitersubstrats angeordnet ist und Enden der ohmschen Drainkontakte (3) auf derselben Seite von ihnen koppelt (vgl. Fig. 1, oben); (e) einem Gate, das wenigstens zwei Gatefinger (gate electrode 21) hat, die angeordnet sind, um den aktiven Bereich (1) auf dem Halbleitersubstrat von Bereichen zwischen dem ohmschen Drainkontakt (3) und dem ohmschen Sourcekontakt (source electrode 4) zu kreuzen, wobei der ohmsche Sourcekontakt (4) zwischen zwei der Gatefinger (21) angeordnet ist (vgl. Fig. 1); (f) einer Gateenergiezufuhrleitung (secondary layer wiring 25), die auf dem Elementtrennungsbereich (2) des Halbleitersubstrats angeordnet ist, die zwei Gatefinger (21) an deren Enden gegenüber der Anordnungsseite des Drainkopplungsabschnittes (6) koppelt (vgl. Fig. 1, unten) und den Gatefingern (21) eine Gatespannung zuführt; - 11 - (g) einem Isolierfilm (interlayer insulation film 11), der über dem Gate (21) und dem Halbleitersubstrat gebildet ist (vgl. Fig. 3, Fig. 5); und (h) einem Gaterandkopplungsabschnitt (first pass wiring 33) über dem Isolierfilm (11), welcher Gaterandkopplungsabschnitt (33) mit den zwei Gatefingern an einem Ende davon auf der Anordnungsseite des Drainkopplungsabschnittes (vgl. Fig. 1, oben) durch in dem Isolierfilm (11) gebildete Durchgangslöcher (contact hole 32) gekoppelt ist (vgl. Fig. 5), wobei der Gaterandkopplungsabschnitt (33) so angeordnet ist, um den ohmschen Drainkontakt (3) und den Drainkopplungsabschnitt (6) nicht zu kreuzen (vgl. Fig. 1). Im Unterschied zur Lehre des Anspruchs 1 sind die Source- und Drainkontakte des in Druckschrift D3 offenbarten Feldeffekttransistors nicht so ausgebildet, dass sie den aktiven Bereich kreuzen, da sie nur auf einer Seite über ihn hinausgehen und nicht auf zwei Seiten. Zudem ist auch das Merkmal (i) des Anspruchs 1, wo-nach der Gaterandkopplungsabschnitt (20C) so abgestützt ist, dass sich unter ihm ein Hohlraum befindet, in Druckschrift D3 nicht offenbart. Insbesondere hinsicht-lich dieses erfindungswesentlichen Merkmals kann Druckschrift D3 dem Fach-mann keine Anregung geben. Denn anders als in der Anmeldung ist die Lehre der Druckschrift D3 darauf ausge-richtet, das Eindringen von Feuchtigkeit über das Kontaktloch zum Gate zu ver-hindern. Dazu ist in den Figuren 8 bis 10 der Druckschrift D3 erläutert, dass die Gatestruktur (5) üblicherweise durch ein die erste und die zweite Isolier-schicht (11, 12) durchdringendes Kontaktloch (9) mit der zweiten Leiterbahn-ebene (8) verbunden sei (vgl. Fig. 10), und dass aufgrund dieser speziellen An-ordnung relativ leicht Feuchtigkeit über das Kontaktloch zum Gate gelangen und das Bauelement schädigen könne. Zwar sei es bekannt, diese Gefahr durch Ver-größern des Abstands zwischen dem aktiven Gatebereich und dem Kontaktloch zu verringern, doch führe dies zu einer unerwünschten Erhöhung parasitärer Wi-derstände und Kapazitäten, vgl. die Absätze [0004] und [0005]. Als Lösung dieses - 12 - Problems wird in Druckschrift D3 nun vorgeschlagen, die Gatefinger, wie in Fig. 1 gezeigt, einzeln zu kontaktieren und zudem den einzelnen Gatefinger nicht über ein Kontaktloch, das beide Isolationsschichten durchdringt, zu kontaktieren (vgl. Fig. 10, Bezugszeichen 9), sondern mittels zweier zueinander versetzter Kontakt-löcher (vgl. Fig. 3, Bezugszeichen 22 und 24), so dass die auf dem Halbleiter an-geordnete Gateleitung (21) über das erste Kontaktloch (22) mit der ersten Metall-schicht (23) verbunden ist und diese dann seitlich versetzt über das zweite Kon-taktloch (24) mit der zweiten Metallschicht kontaktiert wird. Zusätzlich ist vorge-schlagen, das die Gateleitung (21) mit der ersten Metallschicht (23) verbindende Kontaktloch mit fünfeckigem Querschnitt auszubilden, was zusammen mit den an-deren Maßnahmen sowohl die parasitären Widerstände und Kapazitäten verrin-gern als auch die Schädigung des Gates durch eindringende Feuchtigkeit verhin-dern soll. Ausgehend von Druckschrift D3 hat der Fachmann keine Veranlassung, zwischen dem Gaterandkopplungsabschnitt (33, vgl. Fig. 1 u. 5) und der darunter befindli-chen Isolationsschicht (11) zusätzlich einen Hohlraum auszubilden. Zwar weiß der Fachmann, wie durch Druckschrift D8 belegt, dass es bei solchen Feldeffekttran-sistoren mit ineinandergreifenden kammartigen Source-, Drain- und Gate-Elektro-den vorteilhaft sein kann, die Gate- und Sourceleitung bzw. die Drain- und Sourceleitung an Kreuzungspunkten mittels Luftbrücken voneinander zu isolieren (vgl. in der Druckschrift D8 bspw. Spalte 6, Zeilen 13 bis 30 mit Figur 2, Bezugs-zeichen 33 und 34). Jedoch ergibt sich auch bei Übertragung dieser Lehre auf das Bauelement der Druckschrift D3 nicht der beanspruchte Feldeffekttransistor. Denn wie dort anhand der Figuren 1 und 3 ersichtlich, sind die Gateenergiezufuhrlei-tung (25) und die Sourcelektrode (4 bzw. 7) am gegenseitigen Kreuzungspunkt durch die zweite Isolationsschicht (12) voneinander isoliert. Der Fachmann würde demnach bei einer Kombination der Lehren beider Druckschriften die obere, zweite Isolationsschicht (12) im Kreuzungsbereich entfernen, um dadurch einen Hohlraum zwischen der Gateenergiezufuhrleitung (25) und der Sourcelektrode (4 bzw. 7) auszubilden. Im Unterschied dazu müsste der Fachmann, um zur Lehre - 13 - des Anspruchs 1 zu gelangen, jedoch einen Hohlraum zwischen dem Gaterand-kopplungsabschnitt (33, vgl. Fig. 1 u. 5) und der unteren, ersten Isolations-schicht (11) vorsehen, wofür es in diesen Druckschriften aber keine Anregung gibt. Auch aus dem übrigen entgegengehaltenen Stand der Technik erhält der Fach-mann keinen entsprechenden Hinweis. Die Druckschriften D1, D6 und D7 beschreiben verschiedene Varianten von Feld-effekttransistoren mit ineinandergreifenden kammartigen Source-, Drain- und Gate-Elektroden, und Druckschrift D2 befasst sich mit GaN basierten Feldeffekt-transistoren. Keines dieser Dokumente kann jedoch dem Fachmann eine Anre-gung bezüglich des Merkmals (i) von Anspruch 1 geben. In Druckschrift D4 ist ein Feldeffekttransistor für den Mikrowellenbereich beschrie-ben, bei dem die Gateleitung (24) mittels Luftbrücken (22) über die Sourcelei-tung (16) geführt wird, vgl. deren Fig. 1 mit Beschreibung, und aus Druckschrift D5 ist ein Transistor bekannt, dessen Gateelektrode (1a) mittels einer über der Drain-elektrode (2) angeordneten Luftbrücke (1b, 1c) kontaktiert ist, vgl. dessen Abstract. Auch diese Druckschriften offenbaren demnach keine Luftbrücken ge-mäß der Lehre des Anspruchs 1. Druckschrift D9 offenbart lediglich ein allgemeines Herstellungsverfahren zur Aus-bildung von Luftbrücken. Aus keinem dieser Druckschriften erhält der Fachmann somit einen Hinweis, unter dem Gaterandkopplungsabschnitt einen Hohlraum vorzusehen. 5. An den Patentanspruch 1 kann sich Unteranspruch 2 anschließen, da er den Transistor nach Patentanspruch 1 vorteilhaft weiterbildet. Zudem sind in der gel-tenden Beschreibung mit Zeichnung die Halbleitervorrichtungen gemäß den An-sprüchen ausreichend erläutert. - 14 - 6. Bei dieser Sachlage war der angefochtene Beschluss aufzuheben und das Patent im beantragten Umfang zu erteilen. III. Rechtsmittelbelehrung Gegen diesen Beschluss steht der Anmelderin - vorbehaltlich des Vorliegens der weiteren Rechtsmittelvoraussetzungen, insbesondere einer Beschwer - das Rechtsmittel der Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbeschwerde nicht zugelassen hat, ist sie nur statthaft, wenn einer der nachfolgenden Verfahrensmängel gerügt wird, nämlich 1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war, 2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der Ausübung des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder wegen Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war, 3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war, 4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes vertreten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens ausdrücklich oder stillschweigend zugestimmt hat, 5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung ergangen ist, bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des Verfahrens verletzt worden sind, oder 6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist. Die Rechtsbeschwerde ist innerhalb eines Monats nach Zustellung des Beschlusses - 15 - schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe, einzureichen oder durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als Bevollmächtigten in elektronischer Form bei der elektronischen Poststelle des BGH, www.bundesgerichtshof.de/erv.html. Das elektronische Dokument ist mit einer prüfbaren qualifizierten elektronischen Signatur nach dem Signaturgesetz oder mit einer prüfbaren fortgeschrittenen elektronischen Signatur zu versehen. Die Eignungsvoraussetzungen für eine Prüfung und für die Formate des elektronischen Dokuments werden auf der Internetseite des Bundesgerichtshofs www.bundesgerichtshof.de/erv.html bekannt gegeben. Dr. Strößner Dr. Friedrich Dr. Zebisch Dr. Himmelmann Pr

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