BUNDESPATENTGERICHT 23 W (pat) 23/00 _______________ (Aktenzeichen) Verkündet am 16. April 2002 … B E S C H L U S S In der Beschwerdesache betreffend die Patentanmeldung 197 41 609.8-33 … hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 16. April 2002 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Beyer, sowie der Richter Dr. Meinel, Knoll und Lokys beschlossen: Auf die Beschwerde der Anmelderin wird der Beschluß der Prü-fungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und Marke- BPatG 154 6.70 - 2 - namtes vom 2. Mai 2000 aufgehoben und das Patent 197 41 609 mit folgenden Unterlagen erteilt: Patentansprüche 1 bis 6, Beschreibungsseiten 1 bis 8, diese Un-terlagen jeweils übergeben in der mündlichen Verhandlung, und 3 Blatt Zeichnung, Figuren 1 bis 3, 5 und 6, eingegangen am 9. April 2002, und ein Blatt offengelegte Zeichnung, Figur 4. Bezeichnung: Verwendung einer Übergitterstruktur aus einer Mehrzahl von hintereinander angeordneten Heterogrenz-flächen-schichtfolgen zur Verbesserung der lateralen Stromausbreitung in einer lichtemittierenden Halbleiterdiode Anmeldetag: 20. September 1997. Gründe I Die vorliegende Patentanmeldung ist mit der Bezeichnung „Halbleiterschicht-anordnung zur lateralen Stromausbreitung sowie lichtemittierende Halbleiterdiode (LED) mit einer solchen Halbleiterschicht-anordnung“ am 20. September 1997 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht worden. Mit Beschluß von 2. Mai 2000 hat die zuständige Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und Markenamtes die Anmeldung zurückgewiesen. Die Prüfungsstelle hat ihre Entscheidung damit begründet, daß der Gegenstand nach dem damals geltenden, ursprünglichen Patentanspruch 1 keinen Unterschied zum Stand der Technik und damit keineswegs eine erfinderische Komponente aufweise, dh die beanspruchte Schichtenfolge nicht neu und auf jeden Fall nicht erfinderisch sei, - 3 - weil die Halbleiterschichtanordnungen gemäß den im Prüfungsverfahren genannten Entgegenhaltungen - US-Patentschriften 5 132 750 und 5 550 391, - E. Greger et al. :”Polarization Effect in Light Emitting Diodes With Orderd GaInP Active Layers” in Appl. Phys. Lett. Bd 68 (1996) Seiten 2383 bis 2385, - N. Wada et al. :“GaAs/AlGaAs Light Emitters Fabricated on Undercut GaAs on Si” in Jap. J. of Appl Phys. Bd 33 (1994) Seiten 1268 bis 1274 und - W. Bludau:“Halbleiter-Optoelektronik“ C. Hanser-Verlag, München (1995) Seiten 188 bis 189 ebenfalls Heterogrenzflächenschichtfolgen aufwiesen und somit zwangsläufig Band-diskontinuitäten aufträten mit einer Anreicherungszone für Majoritätsladungsträger, vgl den angefochtenen Beschluß Seite 4, drittle Abs bis Seite 5, 1. Abs. Gegen diesen Beschluß richtet sich die Beschwerde der Anmelderin. In der mündlichen Verhandlung hat die Anmelderin neue Ansprüche 1 bis 6 mit an-gepaßter Beschreibung überreicht und die Auffassung vertreten, daß dem Gegenstand des neugefaßten Patentanspruchs 1 der nachgewiesene Stand der Technik, einschließlich der von ihr selbst genannten Entgegenhaltungen gemäß - der europäischen Offenlegungsschrift 0 434 233, - der Literaturstelle H. Sugawara et al.: “High-Efficiency InGaAlP Visible Light-Emitting Diodes“ in Jpn. J. Appl. Phys. Bd 31 (1992) Seiten 2446 bis 2451, - dem Fachbuch von Ibach / Lüth: “Festkörperphysik – Einführung in die Grundlagen“ 4. Auflage (1995) Springer Verlag, Seiten 368 bis 381, sowie - 4 - - dem Fachbuch von Bergmann/Schaefer: “Lehrbuch der Experimentalphysik, Bd 6 – Herausgeber Raith :“ Festkörper“ (1992) Verlag Walter de Gruyter, Seiten 564 und 565 nicht patenthindernd entgegenstehe. Die Anmelderin beantragt, den Beschluß der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deut-schen Patent- und Markenamts vom 2. Mai 2000 aufzuheben und das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen: Ansprüche 1 bis 6, Beschreibungsseiten 1 bis 8, diese Unter-lagen jeweils übergeben in der mündlichen Verhandlung, und 3 Blatt Zeichnung, Figuren 1 bis 3, 5 und 6, eingegangen am 9. April 2002, und ein Blatt offengelegte Zeichnung, Figur 4. Der geltende Patentanspruch 1 hat (nach Korrektur eines Bezugszeichens) folgenden Wortlaut: „Verwendung einer Übergitterstruktur (2b) aus einer Mehrzahl von hintereinander angeordneten Heterogrenzflächenschichtfolgen zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleiterdiode (LED) mit ver-besserter lateraler Stromausbreitung zwischen einer Stromaus-trittsfläche (1a) eines Frontkontaktes (1) und einer parallel dazu angeordneten Wirkfläche (3a) einer optisch aktiven Schicht (3), wobei die Stromaustrittsfläche (1a) kleiner als die Wirkfläche (3a) ist und jede aus zwei Halbleiterschichten (2.1, 2.2) bestehende Heterogrenzflächenschichtfolge eine ausreichende Banddiskonti-nuität mit einer Anreicherungszone (2.3) für die Majoritätsla-dungsträger zur Bildung eines lateralen Stromkanales (2.3) in ei- - 5 - ner der die Heterogrenzflächenschichtfolge bildenden Halbleiter-schicht (2.1) aufweist und die Bandabstände der Heterogrenzflä-chenschichtfolgen ein höheres Energieniveau aufweisen als die optisch aktive Schicht (3).“ Zu den Unteransprüchen 2 bis 6 und bezüglich weiterer Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen. II Die Beschwerde ist zulässig und auch begründet, denn der Gegenstand des nunmehr geltenden Patentanspruchs 1 erweist sich nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung als patentfähig. 1) Sämtliche Patentansprüche sind zulässig, denn alle Anspruchsmerkmale sind für den Durchschnittsfachmann – einen berufserfahrenen, mit der Entwicklung von lichte-mittierenden Halbleiterdioden oder Halbleiterlasern befaßten Diplom-Physiker oder Di-plom-Ingenieur der Fachrichtung Elektrotechnik mit Universitätsabschluß - aus der Gesamtheit der ursprünglichen Anmeldungsunterlagen als zur Erfindung gehörend offenbart herzuleiten. Der geltende Patentanspruch 1 geht auf die gemäß ursprünglichem Anspruch 6 beanspruchte Verwendung einer Halbleiterschichtanordnung im Rückbezug u.a. auf den ursprünglichen Patentanspruch 1 iVm dem Ausführungsbeispiel nach Figur 1 mit zugehöriger Beschreibung auf Seite 6 zurück, wobei die Konkretisierung der Halb-leiterschichtanordnung als eine Übergitterstruktur ihre inhaltliche Offenbarungsstütze in der ursprünglichen Beschreibung auf Seite 4, le Abs und Seite 8, le Abs findet. Es ist auch für die Offenbarung der Lehre des geltenden Patentanspruchs 1 un-schädlich, daß abweichend von dieser Lehre im ursprünglichen Patentanspruch 6 die - 6 - Heterogrenzflächenschichtfolge auf isotype Halbleiterschichten beschränkt war, da gemäß der ursprünglichen Beschreibung Seite 4, 2. Abs die Dotierung der jeweiligen Schichten der Heterogrenzflächenschichtfolge sowohl isotyp als auch verschieden (p-n, p-i-n, i-n usw) sein kann. Die Verwendung gemäß dem geltenden Anspruch 2, wonach die Bandverbiegung des Majoritätsladungsträgerbandes wenigstens das Fermi-Niveau erreicht, ist in der ursprünglichen Beschreibung auf Seite 3, 1. Abs und Seite 7, le Abs offenbart. Die Verwendung gemäß den geltenden Unteransprüchen 3 bis 5 geht auf den ursprünglichen Anspruch 6 iVm den jeweiligen ursprünglichen Unteransprüchen 3 bis 5 zurück, während der geltende Unteranspruch 6 seine inhaltliche Stütze in der Beschreibung ab Seite 8, 2. Abs zu dem Ausführungsbeispiel nach Figur 6 findet. 2) Die vorliegende Patentanmeldung geht von einer lichtemittierenden Halbleiterdiode (LED) gemäß der europäischen Offenlegungsschrift 0 434 233 als nächstliegendem Stand der Technik aus, dem zufolge bereits erkannt wurde, daß bei lichtemittierenden Halbleiterdioden eine nicht ausreichende Stromaufweitung zur Lichterzeugung direkt unterhalb der nicht transparenten Elektrode führt, was eine sehr begrenzte Lichtausbeute zur Folge hat, vgl dort Sp 1, vorl Abs. Die dortige Lösung dieses Problems sieht eine transparente Fensterschicht (window layer 24) mit einer Dicke von 2 bis 30 µm und mit einer höheren elektrischen Leitfähigkeit oberhalb der aktiven Schichten (lower confining layer 21, active layer 22, upper confining layer 23) mit einer doppelten Heterostruktur vor, vgl Sp 3, Zeilen 15 bis 55 sowie Spalte 4, Zeilen 25 bis 39 iVm Figur 2 und vgl analog die Literaturstelle H. Sugawara (a.a.O) in Figur 3 die 7µm dicke Fensterschicht zur Stromaufweitung (current -spreading layer). Als nachteilig bei diesen bekannten Lösungen wird von der Anmelderin die gegenüber den aktiven Schichten (Dicke
Full & Egal Universal Law Academy