BPatG 154 05.11 BUNDESPATENTGERICHT 23 W (pat) 3/15 _______________ (Aktenzeichen) Verkündet am 21. Juni 2016 … B E S C H L U S S In der Beschwerdesache … betreffend die Patentanmeldung 100 17 090.0 hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 21. Juni 2016 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Strößner und der Richter Dr. Friedrich, Dr. Zebisch und Dr. Himmelmann - 2 - beschlossen: Die Beschwerde wird zurückgewiesen. G r ü n d e I. Die vorliegende Anmeldung mit dem Aktenzeichen 100 17 090.0 und der Bezeich-nung „Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben“ wurde am 6. April 2000 unter Inanspruchnahme der japanischen Priorität 11-259163 vom 13. September 1999 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht, wobei gleichzeitig Prüfungsantrag gestellt wurde. Die Prüfungsstelle für Klasse H01L hat im Prüfungsverfahren insbesondere die Druckschrift D3 US 5 319 230 A zitiert und im ersten Prüfungsbescheid vom 8. November 2005 sowie in den La-dungszusätzen vom 22. Oktober 2012 und 16. April 2014 bzw. in den entspre-chenden Anhörungen vom 13. Dezember 2012 und 28. Mai 2014 sowohl ihre Be-denken bezüglich der Zulässigkeit der Ansprüche und der Patentfähigkeit der mit ihnen beanspruchten Gegenstände geäußert als auch auf gewährbare Ansprüche hingewiesen. Da aber im Ergebnis keine Einigung erzielt werden konnte, hat die Prüfungsstelle in der am 28. Mai 2014 durchgeführten Anhörung die Anmeldung bezogen auf den Haupt- sowie den 1. und 3. Hilfsantrag mit der Begründung feh-lender erfinderischer Tätigkeit hinsichtlich der Druckschrift D3 und bezogen auf den 2. Hilfsantrag mit der Begründung unzulässiger Erweiterung zurückgewiesen. - 3 - Gegen diesen Beschluss, der Anmelderin am 20. Oktober 2014 zugestellt, richtet sich die am 18. November 2014 beim DPMA eingegangene Beschwerde mit der nachgereichten Beschwerdegründung vom 16. April 2015. Zusammen mit der Ladung zur mündlichen Verhandlung hat der Senat die Anmel-derin auch auf die Relevanz der folgenden Druckschriften hingewiesen: D8 US 5 726 087 A D9 JP 11-233 509 A und D10 US 5 674 788 A. In der mündlichen Verhandlung hat die Anmelderin einen weiteren Anspruchssatz als 4. Hilfsantrag eingereicht. Sie beantragt: 1. Den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 28. Mai 2014 (schriftlich begründet durch Beschluss vom 16. Oktober 2014) aufzuheben. 2.a) Hauptantrag Ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben“, dem Anmeldetag 6. April 2000 unter Inanspruchnahme der Priorität JP 11-259163 vom 13. September 1999 auf der Grundlage folgender Unterlagen: - Patentansprüche 1 bis 15, eingegangen am 17. April 2015; - Beschreibungsseiten 1 bis 3 und 5 bis 35, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am Anmeldetag; - Beschreibungsseite 4, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am 10. März 2006; - Beschreibungsseiten 4a und 4b, eingegangen im Deutschen Pa-tent- und Markenamt am 8. November 2013; - 4 - - 26 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 41, eingegangen im Deutschen Patent- und Markenamt am Anmeldetag; 2.b) Hilfsantrag 1 Hilfsweise für die unter 2.a) genannte technische Neuerung ein Patent auf der Grundlage folgender Unterlagen zu erteilen: - Patentansprüche 1 bis 15 gemäß Hilfsantrag 1, eingegangen am 17. April 2015; - die unter 2.a) genannten Beschreibungsseiten und Zeichnun-gen; 2.c) Hilfsantrag 2 Weiter hilfsweise für die unter 2.a) genannte technische Neuerung ein Patent auf der Grundlage folgender Unterlagen zu erteilen: - Patentansprüche 1 bis 15 gemäß Hilfsantrag 2, eingegangen am 17. April 2015; - die unter 2.a) genannten Beschreibungsseiten und Zeichnun-gen; 2.d) Hilfsantrag 3 Weiter hilfsweise für die unter 2.a) genannte technische Neuerung ein Patent auf der Grundlage folgender Unterlagen zu erteilen: - Patentansprüche 1 bis 5 gemäß Hilfsantrag 3, eingegangen am 17. April 2015; - die unter 2.a) genannten Beschreibungsseiten und Zeichnun-gen; 2.e) Hilfsantrag 4 Weiter hilfsweise für die unter 2.a) genannte technische Neuerung ein Patent auf der Grundlage folgender Unterlagen zu erteilen: - 5 - - Patentansprüche 1 bis 15 gemäß Hilfsantrag 4, überreicht in der mündlichen Verhandlung am 21. Juni 2016; - die unter 2.a) genannten Beschreibungsseiten und Zeichnun-gen. Die jeweiligen selbständigen Ansprüche 1 bzw. 10 des Haupt- sowie des 1. bis 4. Hilfsantrags lauten, mit einer Gliederung ergänzt, folgendermaßen: Anspruch 1 des Hauptantrags: Feldeffekthalbleitervorrichtung a) mit einem gestapeltem Gateisolierfilm und einer Gateelektrode auf einer Oberfläche einer Halbleiterschicht, wobei der gestapelte Gateisolierfilm i. einen thermischen Oxidfilm (9) auf der Oberfläche der Halbleiter-schicht (100) ii. und einen CVD Oxidfilm (10, 24) auf dem thermischen Oxidfilm (9) iii. und ein Verhältnis einer Dicke des CVD Oxidfilms (10, 24) zu der ei-nes gesamten gestapelten Gateisolierfilms von mindestens 20%, aufweist, b) wobei der gestapelte Gateisolierfilm Stickstoff enthält, welcher in der Nähe einer Grenzfläche zwischen dem thermischen Oxidfilm (9) und der Halb-leiterschicht (100) und einer Grenzfläche zwischen der Gateelektrode (11) und dem CVD Oxidfilm (10, 24) verteilt ist. Anspruch 10 des Hauptantrags (mit korrigierten Rechtschreibfehlern): Verfahren zur Herstellung einer Feldeffekthalbleitervorrichtung a) mit einem gestapelten Gateisolierfilm und einer Gateelektrode (11) auf ei-ner Halbleiterschicht (100), wobei ein Schritt des Bildens des gestapelten Gateisolierfilms die Schritte aufweist i. Bilden eines thermischen Oxidfilms (9) durch thermische Oxidation auf der Halbleiterschicht, und - 6 - ii.
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