BPatG 15408.05BUNDESPATENTGERICHT23 W (pat) 348/05_______________(Aktenzeichen)Verkündet am21. April 2009…B E S C H L U S SIn der Einspruchssache…- 2 -…betreffend das Patent 196 30 902hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 21. April 2009 unter Mitwirkung des Richters Lokys als Vorsitzenden, der Richterin Dr. Hock sowie der Richter Brandt und Mailebeschlossen:Das Patent wird widerrufen.G r ü n d eI.Das Patent 196 30 902 wurde am 1. August 1996 mit der Bezeichnung „Einrich-tung zur Temperaturüberwachung in einer leistungselektronischen Anordnung“ beim Deutschen Patent- und Markenamt angemeldet und mit Beschluss der Prü-fungsstelle für Klasse H01L vom 2. Februar 2005 erteilt. Dessen Patenterteilung wurde am 14. Juli 2005 veröffentlicht.Gegen das Patent hat die- 3 -S… GmbH & Co. KG (Einsprechende zu 1)mit Schriftsatz vom 13. Oktober 2005, beim Deutschen Patent- und Markenamt eingegangen per Telefax am 13. Oktober 2005, und dieI… AG (Einsprechende zu 2)mit Schriftsatz vom 11. Oktober 2005, beim DPMA eingegangen am 13. Oktober 2005, Einspruch erhoben.Beide Einsprechende beantragen übereinstimmend, das Patent in vollem Umfang zu widerrufen. Zur Begründung machen sie geltend, der Gegenstand des erteilten Patents sei nach den §§ 1 bis 5 PatG nicht patentfähig, weil er weder neu sei noch auf erfinderischer Tätigkeit beruhe. Dabei haben die Einsprechenden u. a. auf die DruckschriftenD6/E2 K. Reinmuth, L. Lorenz: „Protected IGBTs and Modules“, PCIM Europe, Januar/Februar 1995, S. 20 bis 23, undD5/E1 Jürgen Jessen, Detlev Stahl: „Thermo-Chips, KTY-Halbleiter-Sensoren in Theorie und Praxis“, ELRAD 1993, Heft 10, Seiten 52 bis 53verwiesen.Die Patentinhaberin hat den Darlegungen der Einsprechenden widersprochen.In der mündlichen Verhandlung stellen die Einsprechenden zu 1 und 2 überein-stimmend den Antrag,das Patent zu widerrufen.- 4 -Die Patentinhaberin stellt den Antrag,das Patent in der erteilten Fassung und hilfsweise mit folgenden Unterlagen beschränkt aufrechtzuerhalten:Patentansprüche 1 und 2, eingereicht in der mündlichen Verhand-lung vom 21. April 2009, und anzupassende Beschreibung und er-teilte Zeichnung.Der erteilte und mit dem Hauptantrag verteidigte Anspruch 1 lautet:„Einrichtung zur Temperaturüberwachung einer Leistungshalblei-teranordnung, insbesondere eines Leistungshalbleitermodules, mit einer elektrisch isolierenden Trägerplatte (1), die Metallisierungs-flächen (2) aufweist, auf der zumindest ein Leistungshalbleiter-bauelement (3) angeordnet ist, und unter Verwendung eines tem-peraturabhängigen elektrischen Widerstandsbauelements (4a) als Temperatursensor,dadurch gekennzeichnet, dassa) das Widerstandsbauelement ein Silizium-Chipwiderstand (4a) mit Metallisierungen auf seinen oberen und unteren Hauptflächen ist, undb) der Silizium-Chipwiderstand (4a) auf einer Metallisierungsflä-che (2, 2a) auf der Trägerplatte (1) befestigt ist.“Dabei wurde in Übereinstimmung mit dem Vortrag der Patentinhaberin in der mündlichen Verhandlung hinter der Angabe „insbesondere eines Leistungs-halbleitermodules“ ein Komma ergänzt und die Angabe „Widerstandbauelement“ im Oberbegriff in Übereinstimmung mit der sprachlich korrekten Angabe im kenn-zeichnenden Teil durch „Widerstandsbauelement“ ersetzt.- 5 -Der Anspruch 1 nach Hilfsantrag ergänzt die Lehre nach Hauptantrag durch das Anfügen des Merkmals:„ …, wobeider Silizium-Chipwiderstand (4a) potentialfrei auf einer eigenen Metallisierungsfläche (2a) der Trägerplatte (1) angeordnet ist und seine elektrischen Anschlüsse über Bonddrähte (5) und Modulan-schlüsse (6) aus einem Leistungshalbleitermodul potentialfrei her-ausgeführt sind.“Der nebengeordnete Anspruch 2 nach Hilfsantrag ergänzt die Lehre des An-spruchs 1 nach Hauptantrag durch das Anfügen des Merkmals:„ …, wobeidie beiden elektrischen Anschlüsse des Silizium-Chipwiderstan-des (4a) aus einem Leistungshalbleitermodul herausgeführt sind, undein elektrischer Anschluss der beiden elektrischen Anschlüsse des Silizium-Chipwiderstands (4a) zusammen mit wenigstens einem weiteren Halbleiterbauelement (3) auf einer Metallisierungsflä-che (2) der Leiterplatte (1) montiert ist und damit das selbe Poten-tial aufweist.“Hinsichtlich der Unteransprüche 2 und 3 nach dem Hauptantrag wird ebenso wie hinsichtlich weiterer Einzelheiten auf die Patentschrift und den Akteninhalt verwie-sen.II.1. Die Zuständigkeit des Bundespatentgerichts für die Entscheidung über den Einspruch ergibt sich aus § 147 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 PatG in der bis einschließlich - 6 -30. Juni 2006 maßgeblichen Fassung. Danach ist nicht das Patentamt, sondern das Patentgericht zuständig, wenn - wie im vorliegenden Fall - die Einspruchsfrist nach dem 1. Januar 2002 zu laufen begonnen hat und der Einspruch vor dem 1. Juli 2006 eingelegt worden ist. Diese befristete Regelung ist zwar zum 1. Juli 2006 ohne weitere Verlängerung ausgelaufen, so dass ab 1. Juli 2006 die Zuständigkeit für die Entscheidung in den Einspruchsverfahren wieder an das Patentamt zurückverlagert wurde. Dennoch bleibt das Bundespatentgericht für die durch § 147 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 PatG zugewiesenen Einspruchsverfahren auch nach dem 30. Juni 2006 zuständig, weil der Gesetzgeber eine anderweitige Zu-ständigkeit für diese Verfahren nicht ausdrücklich festgelegt hat und deshalb der in allen gerichtlichen Verfahren geltende Rechtsgrundsatz der „perpetuatio fori“ (analog § 261 Abs. 3 Nr. 2 ZPO und analog § 17 Abs. 1 Satz 1 GVG) zum Tragen kommt, wonach eine einmal begründete Zuständigkeit bestehen bleibt.Diese Rechtsauffassung zur fortdauernden Zuständigkeit des Bundespatentge-richts wurde durch den Bundesgerichtshof bestätigt , vgl. BGH GRUR 2009, 184, Leitsatz - „Ventilsteuerung“ m. w. N.2. Das Streitpatent bezieht sich auf eine Einrichtung zur Temperaturüberwa-chung in einer leistungselektronischen Anordnung.Bei Leistungshalbleitermodulen ist es üblich, eine Temperaturüberwachung vorzu-sehen, deren Signal beim Feststellen einer Übertemperatur zum Abschalten des Moduls verwendet wird, um eine Zerstörung des Moduls durch zu große Erwär-mung zu verhindern. Dabei kann die Temperaturüberwachung entweder indirekt, nämlich durch Anordnen eines temperaturempfindlichen Bauelements auf der Trägerplatte eines Leistungshalbleitermoduls, oder direkt durch Messung der Temperatur des Halbleiterbauelements selbst erfolgen, wobei in diesem Fall der der Temperaturerfassung dienende Baustein auf den Leistungshalbleiter geklebt oder auf dem Leistungshalbleiterchip integriert ist.- 7 -Das Streitpatent bezieht sich auf eine Temperaturüberwachung nach der ersten, also der indirekten Erfassungsmethode, die geeignet ist, Temperaturerhöhungen mit langsamerem Temperaturanstieg festzustellen, wie sie bspw. durch ungenü-gende Kühlung verursacht wird, die sich aus dem Ausfall eines Kühllüfters, einem Abdecken der Lüftungsschlitze eines Geräts oder einer Erhöhung der Kühlmittel-temperatur ergibt. Die für solche Fälle geforderte Reaktionszeit darf zwar länger als die für einen Kurzschlussfall sein, jedoch soll auch hier die Störung mit relativ kurzer Zeitverzögerung erfasst werden, vgl. Abschnitt [0006] der Patentschrift.Aus dem Stand der Technik bekannte Anordnungen weisen einen schlechten Wärmeübergang auf und sind damit ungenau oder träge. Zudem erfordert ihre In-tegration besondere Fertigungsschritte.Dem Streitpatent liegt daher als technisches Problem die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung zur Durchführung der indirekten Erfassung von Temperaturerhöhun-gen in Leistungshalbleiteranordnungen anzugeben, die mit geringem Aufwand im Rahmen der üblichen Modulfertigung realisierbar ist und zu einer ausreichend ge-nauen und schnellen Temperaturerfassung führt, vgl. Abschnitt [0012] der Patent-schrift.Gemäß dem erteilten Anspruch 1 wird diese Aufgabe durch eine Einrichtung zur Temperaturüberwachung einer Leistungshalbleiteranordnung, insbesondere eines Leistungshalbleitermodules, mit einer elektrisch isolierenden Trägerplatte, die Metallisierungsflächen aufweist, auf der zumindest ein Leistungshalbleiterbauele-ment angeordnet ist, und unter Verwendung eines temperaturabhängigen elektri-schen Widerstandsbauelements als Temperatursensor gelöst, die bzw. das da-durch gekennzeichnet ist, dass das Widerstandsbauelement ein Silizium-Chipwi-derstand mit Metallisierungen auf seinen oberen und unteren Hauptflächen ist, und dass der Silizium-Chipwiderstand auf einer Metallisierungsfläche auf der Trä-gerplatte befestigt ist.- 8 -Die beiden nebengeordneten Ansprüche 1 und 2 nach Hilfsantrag lehren darüber hinaus zwei alternative Möglichkeiten des elektrischen Anschlusses des Silizium-Chipwiderstands. Gemäß dem Anspruch 1 nach Hilfsantrag ist der Silizium-Chip-widerstand potentialfrei auf einer eigenen Metallisierungsfläche der Trägerplatte angeordnet und seine elektrischen Anschlüsse sind über Bonddrähte und Modul-anschlüsse potentialfrei aus dem Leistungshalbleitermodul herausgeführt. Alterna-tiv hierzu ist bei der Einrichtung nach dem nebengeordneten Anspruch 2 nach Hilfsantrag einer der beiden elektrischen Anschlüsse des Silizium-Chipwider-stands zusammen mit wenigstens einem weiteren Halbleiterbauelement auf einer Metallisierungsfläche der Leiterplatte montiert und weist somit dasselbe Potential wie dieser auf. Beide Anschlüsse des Silizium-Chipwiderstands sind aus dem Leistungshalbleitermodul herausgeführt.Da Silizium-Chipwiderstände wie Silizium-Halbleiterschaltungs-Chips im Rahmen der herkömmlichen Fertigungs- und Montagetechnologie handhab- und montierbar sind, ermöglicht der Einsatz dieser Chipwiderstände als Temperatursensoren es, die isolierende Trägerplatte in einem einzigen Fertigungsschritt sowohl mit den Halbleiterbauelementen als auch mit den Chipwiderständen zu bestücken und die Halbleiterbauelemente und die Chip-Widerstände gemeinsam zu kontaktieren. Dies ermöglicht eine vereinfachte Fertigung.3. Die Zulässigkeit der Einsprüche ist zwar nicht angegriffen worden, jedoch ist die Zulässigkeit eines Einspruchs vom Patentamt und Patentgericht in jedem Verfahrensstadium von Amts wegen zu prüfen, vgl. Schulte 8. Auflage § 59 Rdn. 56 und 160.Die frist- und formgerecht erhobenen Einsprüche sind zulässig. Die Einsprechen-den haben im Einspruchsschriftsatz entsprechend § 59 Abs. 1 Satz 3 PatG zu-mindest einen der in § 21 PatG genannten Widerrufsgründe, nämlich den der mangelnden Patentfähigkeit in Form der fehlenden Neuheit bzw. erfinderischen Tätigkeit geltend gemacht und die Tatsachen, die den Einspruch rechtfertigen, im - 9 -Einzelnen angegeben (§ 59 Abs. 1 Satz 4 PatG). Dabei haben sie in der Ein-spruchsbegründung die für die Beurteilung des behaupteten Widerrufsgrundes maßgeblichen tatsächlichen Umstände im Einzelnen so dargelegt, dass die Pa-tentinhaberin und das Patentgericht ohne eigene Ermittlungen daraus abschlie-ßende Folgerungen für das Vorliegen oder Nichtvorliegen des Widerrufsgrundes ziehen können, vgl. Schulte PatG, 8. Auflage, § 59 Rdn. 94 und 97.4. Die Einrichtung zur Temperaturüberwachung nach Anspruch 1 nach Hauptan-trag und die Einrichtungen zur Temperaturüberwachung nach den nebengeord-neten Ansprüchen 1 und 2 nach Hilfsantrag erweisen sich nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung als nicht patentfähig, da sie nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fachmanns beruhen.Bei dieser Sachlage kann dahinstehen, ob die Patentansprüche nach Haupt- und nach Hilfsantrag zulässig und ihre Gegenstände neu sind, vgl. BGH GRUR 1991, 120,121 II.1. - „Elastische Bandage“.Als Fachmann ist hier ein berufserfahrener Fachhochschul-Ingenieur der Elektro-technik zu definieren, der in der Leistungsbauelemente-Industrie mit der Weiter-entwicklung von Leistungshalbleiter-Modulen befasst ist.5. In Übereinstimmung mit der im Oberbegriff des erteilten Anspruchs 1 gegebe-nen Lehre offenbart die Druckschrift D6/E2 dem Fachmann eine Einrichtung zur Temperaturüberwachung einer Leistungshalbleiteranordnung, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls (Protected IGBTs and Modules / Titelzeile auf S. 20), bei dem die Temperatur des Moduls durch einen auf der Trägerplatte angebrach-ten Temperatursensor ermittelt wird (Operating conditions are also conceivable under which […] overheating of the semiconductor beyond the permissible range occurs (e.g. failure of the cooling system). Two principles of detecting overtem-perature are known: Indirect by measuring the temperature of the module baseplate […] / S. 23, re. Sp., Abs. 1).- 10 -Wie sich schon aus der Angabe „module base plate“ in der Druckschrift D6/E2 für den Fachmann ergibt, ist das Leistungshalbleiterelement und der Temperatursen-sor dabei auf einer Trägerplatte angeordnet, wobei die Trägerplatte in fachüblicher Weise aus einer Leiterplatte aus isolierendem Material mit Metallisierungsflächen gebildet wird. Als Temperatursensor wird ein temperaturabhängiger elektrischer Widerstand verwendet (mit dem Buchstaben „į³JHNHQQ]HLFKQHWHV:LGHUVWDnds-symbol, dessen Signal einer Steuer- und Schutzschaltung (Drive and protection IC) zugeführt wird / Schaltplan gemäß Fig. 2 und Fig. 5).Damit entnimmt der Fachmann dieser Druckschrift eine Einrichtung zur Tempera-turüberwachung gemäß der im Oberbegriff des Anspruchs 1 gegebenen Lehre.Für den Fachmann beruht es nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit, dabei einen Silizium-Chipwiderstand als temperaturabhängigen Widerstand zu verwenden.Denn die weitere Druckschrift D5/E1 gibt dem Fachmann die Anregung, Halbleiter-Thermosensoren in Form von Silizium-Widerstandschips zur Überwachung der Halbleitertemperatur einer Leistungsstufe einzusetzen (Benötigt man […] eine numerische Aussage über einen weiten Temperaturbereich, beispielsweise zur Erfassung der […] Halbleitertemperatur eines Leistungsstufe […], erweisen sich diese Bauteile (gemeint sind hier herkömmliche Widerstände) […] als weniger ge-eignet. Abhilfe schaffen hier Halbleiter-Thermosensoren / S. 52, Sp. 2).Diese Halbleiter-Thermosensoren werden in Übereinstimmung mit der Lehre des Teilmerkmals a) des kennzeichnenden Teils des erteilten Anspruchs 1 aus Sili-zium-Chips gebildet, bei denen die Ober- und die Unterseite einer Lage dotierten Siliziums jeweils mit einer Metallisierung versehen ist (Eine Lage dotiertes Silizium ist auf einer Metallisierung, die eine der Elektroden bildet, aufgebracht. Bei der zweiten Elektrode handelt es sich um ein Loch in der Isolationslage, durch wel-ches die relativ großflächige zweite Kontaktebene reicht / S. 52, re. Sp., Zeilen 4 bis 12 i. V. m. Bild 1).- 11 -Bei dieser Bauform liegt es für den Fachmann unmittelbar nahe, die Chips mit der auf ihrer Unterseite vorgesehenen Elektrode auf einer Metallisierungsfläche der Trägerplatte aufzubringen, wie es das Teilmerkmal b) des Kennzeichens des er-teilten Anspruchs 1 lehrt.Damit gelangt der Fachmann ohne erfinderische Tätigkeit zu der Einrichtung zur Temperaturüberwachung einer Leistungshalbleiteranordnung bzw. eines Leis-tungshalbleitermoduls gemäß Anspruch 1 nach Hauptantrag. Mit diesem Anspruch hat das Patent somit keinen Bestand.Bezüglich der Gegenstände der Unteransprüche 2 und 3 nach Hauptantrag, die mit denen der Ansprüche 1 und 2 nach Hilfsantrag inhaltsgleich sind, wird auf die nachfolgenden Ausführungen zum Hilfsantrag verwiesen.6. Die Lehre des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag beruht auch nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.Denn das potentialfreie Anordnen des Widerstandes auf einer eigenen Metallisie-rungsfläche und das potentialfreie Herausführen der Anschlüsse über Bonddrähte und Modulanschlüsse aus dem Modul stellen lediglich die einzige alternative Mög-lichkeit zu der in der Druckschrift D5/E1 (a. a. O.) offenbarten Vorgehensweise dar, wobei die entsprechenden Maßnahmen im Rahmen des fachmännischen Könnens liegen.Auch mit diesem Anspruch hat das Patent somit Bestand.7. Auch die im nebengeordneten Anspruch 2 nach Hilfsantrag angegebene Ein-richtung zur Temperaturüberwachung ist nicht patentfähig, denn der Fachmann entnimmt die zusätzlich zum Anspruch 1 nach Hauptantrag gegebene Lehre zum gemeinsamen Anschließen des Silizium-Chipwiderstandes und eines Halbleiter-- 12 -bauelements auf einer Metallisierungsfläche und zum Herausführen der An-schlüsse aus dem Modul bereits der Druckschrift D6/E2.Wie dort insbesondere der Schaltplan gemäß der Fig. 2 zeigt, werden die beiden elektrischen Anschlüsse des als Temperatursensor verwendeten Widerstands (į)aus dem Leistungshalbleitermodul (IGBT mit Freilaufdiode, Strombegrenzungswi-derstand, Temperatursensor-Widerstand und Übergabepunkten / re. Teil der Schaltung außerhalb des gestrichelt eingerahmten Bereichs) herausgeführt und mit den entsprechenden Anschlüssen des Treiber- und Schutz-IC’s (Drive and protection IC / Fig. 2, gestrichelt eingerahmter Teil der Schaltung) verbunden. Da-bei ist der eine elektrische Anschluss des Widerstands zusammen mit dem Kol-lektoranschluss des IGBT an die Masseleitung (GND=Ground) angeschlossen.Für den Fachmann ist dies gleichbedeutend damit, dass der entsprechende An-schluss des Widerstands zusammen mit dem Kollektoranschluss des IGBT auf ei-ner Metallisierungsfläche, nämlich dem Massekontakt der Leiterplatte montiert ist. Damit ist einer der beiden Anschlüsse des Temperatursensor-Widerstands mit ei-nem Halbleiterbauelement auf einer Metallisierungsfläche montiert und weist damit dasselbe Potential wie dieser auf, wie der Anspruch 2 nach Hilfsantrag 2 es lehrt.Die im Anspruch 2 nach Hilfsantrag gegebene Lehre beruht damit ebenfalls nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns. Auch mit diesem Anspruch hat das Patent damit keinen Bestand.- 13 -8. Bei dieser Sachlage war das Patent zu widerrufen.Lokys Dr. Hock Brand MailePr
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