BPatG 154 08.05 BUNDESPATENTGERICHT _______________ (Aktenzeichen) 13. November 2007 … der Geschäftsstelle B E S C H L U S S In der Beschwerdesache betreffend die Patentanmeldung 198 44 985.2-33 23 W (pat) 35/05 Verkündet am … des Vorsit-enden Richters Dr. Tauchert sowie der Richter Knoll, Lokys und Maile eschlossen: hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 13. November 2007 unter Mitwirkung z b- 2 - Die Beschwerde der Anmelderin wird zurückgewiesen. - 3 - G r ü n d e I es strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers“ beim Deutschen Patent- und arkenamt eingereicht. 5) M. Kazumura et al.: „Feasibility of the LPE Growth of AlxGayIn1-x- -yP on nannt hat. Mit Beschluss vom 9. Dezember 2004 hat die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts die Anmeldung zurückgewiesen, weil der Ge-genstand des ursprünglichen Patentanspruchs 1 gegenüber demjenigen nach Ent-gegenhaltung 7) (die von der Prüfungsstelle im Beschluss fälschlicherweise mit Die Patentanmeldung 198 44 985.2-33 wurde am 30. September 1998 mit der Be-zeichnung „Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zum Herstel-len dM Im Prüfungsverfahren wurden als Stand der Technik folgende Druckschriften er-mittelt: 1) US 5 814 838 A, 2) EP 0 691 689 A1, 3) EP 0 434 233 B1, 4) US 5 661 742 A, GaAs Substrates”, Japanese Journal of Appl. Phys., Vol. 22 (1983) Sei-ten 654 bis 657, 6) M. Bleicher: „Das thermodynamische Gleichgewicht in Gasphasenepita-xiesystemen zur Abscheidung von ternären InAlP- und InGaP-Misch-kristallschichten“ VDI-Z 117 (1975) Seite 235 und 7) EP 0 434 233 A1, wobei die Anmelderin die Entgegenhaltung 3) selbst in ihren Anmeldungsunterla-gen ge - 4 - US 5 578 523 A zitiert wurde) nicht neu sei, vgl. die Beschlussbegründung, insbe-ondere Seite 4. Gegen ten Be-schluss ruar 2005, beim Deutschen Patent- und Markenamt am Montag, den 7. Februar 2005 eingegan-gen. Mit ihre ündung verteidigt sie ihre Patentanmeldung mit den Pa-ntansprüchen 1 bis 11, bei dem Bundespatentgericht eingegangen am Auf die er 2007, mit der die Be-schwerdeführerin auf die Relevanz der vollständigen Entgegenhaltung 7) hinge-wiesen ssätze zum Hil der mündlichen Verhandlung vom 13. November 2007 verteidigt die Anmelderin atentansprüchen 1 bis 11 nach Hauptantrag, hilfs-eise mit den Patentansprüchen 1 bis 9 nach Hilfsantrag 1 und weiter hilfsweise mit den d vertritt die Auffassung, dass der Gegenstand gemäß Patentanspruch 1 gemäß Hauptantrag, zumindest aber de chließ-lich das er dem ermittelten Stand der Technik neu sei und auf einer erfinderischen Tätigkeit be-ruhe. sdiesen, dem Vertreter der Anmelderin am 5. Januar 2005 zugestell richtet sich die Beschwerde der Anmelderin vom 4. Febr Beschwerdebegrte16. März 2006. Zwischenverfügung des Senats vom 5. Novembwurde, reichte die Anmelderin am 8. November 2007 zwei Anspruchfsantrag 1 und 2 ein. Inihre Patentanmeldung mit den Pw Patentansprüchen 1 bis 6 nach Hilfsantrag 2 unr Gegenstand gemäß Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag 1 und s Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag 2 gegenüb - 5 - Sie beantragt, den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deut-en Patent- und Markenamts vom 9. Dezember 2004 aufzuhe- und das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen: schben Pat ngen am 16. März 2006, ur-sprünunlgenden Unterlagen zu erteilen: ht am 8. November 2007, ur- Patsprünunentansprüche 1 bis 11, eingegangliche Beschreibungsseiten 1 bis 5 und ursprüngliche Zeich-g, eine Figur. Hilfsweise beantragt sie, das Patent mit foPatentansprüche 1 bis 9, eingereicsprüngliche Beschreibungsseiten 1 bis 5 und ursprüngliche Zeich-nung, eine Figur. Weiter hilfsweise beantragt sie, das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen: entansprüche 1 bis 6, eingereicht am 8. November 2007, ur-ngliche Beschreibungsseiten 1 bis 5 und ursprüngliche Zeich-g, eine Figur. - 6 - Der geltende Patentanspruch 1 nach Hauptantrag hat folgenden Wortlaut: „1. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit einer aktiven Schicht (3), die InGaAlP aufweist und der in einer Hauptab-strahlrichtung (8) des Halbleiterkörpers eine elektrisch leitende Strahlungsauskoppelschicht (5) nachgeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsauskoppelschicht (5) InxGa1-x-yAlyP mit 0
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