BUNDESPATENTGERICHT 23 W (pat) 36/05 _______________ (Aktenzeichen) Verkündet am 27. November 2007 … B E S C H L U S S In der Beschwerdesache … betreffend die Patentanmeldung 199 38 480.0-33 hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 27. November 2007 unter Mitwirkung des Vorsit-zenden Richters Dr. Tauchert sowie der Richter Lokys, Schramm und Maile BPatG 154 08.05 - 2 - beschlossen: Auf die Beschwerde wird der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 2. Dezember 2004 aufgehoben und das Patent mit folgenden Un-terlagen erteilt: Patentansprüche 1 bis 3, Beschreibung, Seiten 1 bis 7, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 27. Novem-ber 2007, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 3. A n m e l d e t a g : 13. August 1999 B e z e i c h n u n g : Photonische Halbleitervorrichtung G r ü n d e I Die Patentanmeldung der Anmelderin wurde am 13. August 1999 unter Inan-spruchnahme einer japanischen Priorität vom 17. August 1998 (Az.: JP 10-230599) mit der Bezeichnung „Photonische Halbleitervorrichtung“ beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht. - 3 - Im Prüfungsverfahren wurden als Stand der Technik folgende Druckschriften er-mittelt: 1) EP 0 607 435 A1, 2) JP 10 - 173 228 A mit zugehörigem Abstract, 3) DE 196 48 955 A1 und 4) JP 10 - 186 423 A mit zugehörigem Abstract. Mit Beschluss vom 2. Dezember 2004 hat die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts die Anmeldung zurückgewiesen, weil der Ge-genstand des geltenden Patentanspruchs 1 vom 28. Februar 2001 gegenüber der Lehre nach Entgegenhaltung 1) nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des zu-ständigen Fachmanns beruhe, da dieser eine niedrigindizierte Ebene des Quarz-substrats bevorzuge, vgl. die Beschlussbegründung, insbesondere den die Sei-ten 3 und 4 überbrückenden Abs. Hiergegen richtet sich die Beschwerde der Anmelderin vom 16. Februar 2005. In der mündlichen Verhandlung vom 27. November 2007 verteidigt die Anmelderin ihre Anmeldung mit Patentansprüchen 1 bis 3, Beschreibung, Seiten 1 bis 7, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 27. November 2007, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 3. - 4 - Sie beantragt, den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deut-schen Patent- und Markenamts vom 2. Dezember 2004 aufzuhe-ben und das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen: Patentansprüche 1 bis 3, Beschreibung, Seiten 1 bis 7, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 27. Novem-ber 2007, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 3. Der geltende Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut: „Photonische Halbleitervorrichtung, umfassend: ein Z-geschnittenes Quarzsubstrat; und eine Verbindungs-Halbleiterschicht, angeben durch InxGayAlzN (worin x + y + z = 1 und 0 0,3 = 30 % ist (vgl. geltende Beschreibung Seite 5, Zeilen 4 bis 14). Aber auch die übrigen Entgegenhaltungen vermögen nicht, den Fachmann dazu anzuregen, hexagonale III-V-Verbindungs-Halbleiterschichten aus InxGayAlzN auf der Z-Ebene von Quarzsubstraten abzuscheiden, wie der Patentanspruch 1 der vorliegenden Anmeldung lehrt. - 9 - Die Entgegenhaltung 2) offenbart die Lehre, auf einem spiegelpolierten Quarzsub-strat (quartz substrate 101 with the mirror-finished surface) eine hexagonale kri-stalline Pufferschicht ausgerichtet in der C-Achse (hexagonal crystal buffer layer 102 oriented in the C-axis / nach der Computerübersetzung handelt es sich hier um ZnO) und weitere einkristalline III-V-Verbindungs-Halbleiter, wie Ga1-xAlxN und InyGa1-y-zAlzN, abzuscheiden. Eine Anregung, Z-geschnittene Quarzsubstrate für die Abscheidung III-V-Verbin-dungs-Halbleiter, wie InxGayAlzN, zu verwenden, enthält die Entgegenhaltung 2) nicht. Die Entgegenhaltung 3) befasst sich mit III-V-Verbindungs-Halbleitern auf diversen Substraten, wobei Quarz als mögliches Substratmaterial noch nicht einmal er-wähnt wird, vgl. dort Spalte 9, Zeilen 24 bis 37. Schließlich betrifft die Entgegenhaltung 4) einen akustisch-optisches Ablenkungs-element (acousto-optic deflection element 1), das auf einem nahe Z-geschnittenen Quarzsubstrat (quartz crystal substrate 2 near Z-cut) einen piezoelektrischen dün-ne Schicht aus ZnO aufweist (piezoelectric thin film 3 consisting of ZnO). Nachdem in dieser Entgegenhaltung auf die Piezoeigenschaften von ZnO zur Er-zeugung von Oberflächenwellen abgestellt wird, vermag diese Entgegenhaltung den Fachmann nicht dazu anregen, auch III-V-Verbindungs-Halbleiterschichten aus InxGayAlzN auf Z-geschnittenen Quarzsubstraten abzuscheiden, ohne rück-schauend tätig zu werden. Damit beruht die photonische Halbleitervorrichtung gemäß Patentanspruch 1 auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fachmanns. - 10 - 4) Die Patentansprüche 2 und 3 betreffen vorteilhafte, nicht selbstverständliche Ausgestaltungen der Lehre des Patentanspruchs 1. Deren Patentfähigkeit wird von derjenigen nach Patentanspruch 1 mitgetragen. 5) Die geltende Beschreibung erfüllt die an sie zu stellende Anforderungen, weil darin der Stand der Technik angegeben ist, von dem die Erfindung ausgeht, und die Erfindung anhand der ursprünglichen Figuren 1 bis 3 hinreichend erläutert ist. 6) Demnach musste der angefochtene Beschluss aufgehoben und das Patent er-teilt werden. Dr. Tauchert Lokys Schramm Maile Be
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