23 W (pat) 36/10  - 23. Senat (Techn.Beschw.)

BPatG 15405.11BUNDESPATENTGERICHT23 W (pat) 36/10_______________(Aktenzeichen)Verkündet am17. Dezember 2013…B E S C H L U S SIn der Beschwerdesache…- 2 -betreffend das Patent 103 43 502hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 17. Dezember 2013 unter Mitwirkung des Vor-sitzenden Richters Dr. Strößner und der Richter Brandt, Metternich und Dr. Friedrichbeschlossen:1. Der Beschluss der Patentabteilung 1.33 des Deutschen Pa-tent- und Markenamts vom 2. Dezember 2009 wird aufgeho-ben.2. Das Patent Nr. 103 43 502 wird widerrufen.G r ü n d eI.Die Patentanmeldung 103 43 502 wurde am 19. September 2003 mit der Be-zeichnung „Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Verbindung und Bau-gruppe mit einer wärmeleitenden Verbindung“ beim Deutschen Patent- und Mar-kenamt eingereicht. Die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent-und Markenamts hat auf den Stand der Technik gemäß den DruckschriftenD1 US 5 247 426 undD2 DE 41 32 947 A1- 3 -verwiesen und nach mehreren Prüfungsbescheiden mit Beschluss vom 16. Janu-ar 2008 ein Patent erteilt. Veröffentlichungstrag der Patenterteilung ist der 12. Ju-ni 2008.Gegen das Patent hat die S… GmbH & Co. KG mit Schriftsatzvom 11. September 2008, per Fax beim DPMA fristgerecht eingegangen am sel-ben Tag, Einspruch erhoben und beantragt, das Patent in vollem Umfang zu wi-derrufen. Zur Begründung hat sie geltend gemacht, der Gegenstand des Patents sei gemäß §§ 1 bis 5 PatG nicht patentfähig, und hierzu im Verlauf des Ein-spruchsverfahrens auf die DruckschriftenE1 Katalog „SEMITOP, Cool components“, von Semikron International Dr. Fritz Martin GmbH & Co. KG, Nürnberg, 10/98, S. 1 bis 7,E2 Y. Li, U. Scheuermann, C. Göbl, K. Hanson, S. Misra, J. Fishbein: „A New Innovative Solution for Integrated Power Circuits“, Con-ference Proceedings PCIM Hong Kong, 1997, S. 111 - 119, ISBN 3-928643-17-7,E3 DE 201 00 984 U1 undE4 DE 695 01 405 T2verwiesen.In der mündlichen Verhandlung vor der Patentabteilung 1.33 vom 2. Dezem-ber 2009 hat die Patentinhaberin das Patent mit Ansprüchen 1 bis 4 nach Haupt-antrag und mit Ansprüchen 1 bis 3 nach Hilfsantrag verteidigt und die beschränkte Aufrechterhaltung des Patents beantragt. Die Patentabteilung hat das Patent da-raufhin mit Beschluss vom 2. Dezember 2009 mit den Ansprüchen 1 bis 4 gemäß Hauptantrag beschränkt aufrechterhalten.- 4 -Gegen den am 4. Februar 2010 zugestellten Beschluss hat die Einsprechende mit Schriftsatz vom 1. März 2010, fristgerecht eingegangen per Fax am selben Tag, Beschwerde eingelegt. In der mit Schriftsatz vom 4. März 2011 nachgereichten Beschwerdebegründung hat sie dargelegt, das Verfahren nach dem Anspruch 1 sei nicht neu gegenüber dem Stand der Technik gemäß der Druckschrift E1. Dar-über hinaus beruhe das Verfahren nach Anspruch 1 aber auch weder gegenüber diesem Stand der Technik für sich genommen noch bei einer Zusammenschau mit der Druckschrift E4 auf einer erfinderischen Tätigkeit. Gleiches gelte auch im Hin-blick auf die Druckschriften E2 und E3.In der mündlichen Verhandlung vom 17. Dezember 2013 hat der Vertreter der Einsprechenden beantragt,den Beschluss der Patentabteilung 1.33 des Deutschen Patent-und Markenamts vom 2. Dezember 2009 aufzuheben und das Patent Nr. 103 43 502 zu widerrufen.Der Vertreter der Patentinhaberin stellte den Antrag,1. das Patent Nr. 103 43 502 auf der Grundlage folgender Unterlagen beschränkt aufrechtzuerhalten:Patentansprüche 1 - 4 und Beschreibungsseiten 2/9 - 4/9, eingegan-gen am 17. Dezember 2013 als Hauptantrag, sowie Figuren 1 - 8 gemäß der Patentschrift;2. hilfsweise, das Patent Nr. 103 43 502 auf der Grundlage folgender Unterlagen beschränkt aufrechtzuerhalten:- 5 -Patentansprüche 1 - 3 und Beschreibungsseiten 2/9 - 4/9, eingegan-gen am 17. Dezember 2013 als Hilfsantrag 1, sowie Figuren 1 - 8 gemäß der Patentschrift.Der Anspruch 1 nach Hauptantrag lautet:„1. Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Verbindung zwischen einer Wärmeableitfläche (2) eines Leistungshalbleitermoduls (1) und einem Kühlele-ment (3), bei dem Wärmeleitpaste (6) zwischen der Wärmeableitfläche (2) und dem Kühlelement (3) angeordnet wird,wobei eine Vielzahl von Wärmeleitpastenfeldern (12) in einer vorgegebenen Raster-Struktur (11) auf die Wärmeableitfläche und/oder den Kühlkörper aufge-bracht wird und die Wärmeleitpastenfelder (12) bei der Montage von Leistungs-halbleitermodul (1) und Kühlkörper (3) zu einer Wärmeleitpastenschicht verei-nigt werden,wobei eine Schablone mit (15) Öffnungen (20, 21) unterschiedlicher Große verwendet wird, so dass Wärmeleitpastenfelder mit entsprechend unterschiedli-chen Wärmeleitpastenmengen erzeugt werden.“Im Anspruch 1 nach Hilfsantrag wurde ein Teilmerkmal des erteilten Unteran-spruchs 5 ergänzt. Der Anspruch lautet somit:„1. Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Verbindung zwischen einer Wärmeableitfläche (2) eines Leistungshalbleitermoduls (1) und einem Kühlele-ment (3), bei dem Wärmeleitpaste (6) zwischen der Wärmeableitfläche (2) und dem Kühlelement (3) angeordnet wird,wobei eine Vielzahl von Wärmeleitpastenfeldern (12) in einer vorgegebenen Raster-Struktur (11) auf die Wärmeableitfläche und/oder den Kühlkörper aufge-- 6 -bracht wird und die Wärmeleitpastenfelder (12) bei der Montage von Leistungs-halbleitermodul (1) und Kühlkörper (3) zu einer Wärmeleitpastenschicht verei-nigt werden,wobei eine Schablone mit (15) Öffnungen (20, 21) unterschiedlicher Größe verwendet wird, so dass Wärmeleitpastenfelder mit entsprechend unterschiedli-chen Wärmeleitpastenmengen erzeugt werden, und wobeidie Wärmeleitpastenmengen im Bereich von Verschraubungen zwischen Kühl-körper und Wärmeableitfläche geringer bemessen werden.“II.Die Beschwerde führt zum Erfolg, denn nach dem Ergebnis der mündlichen Ver-handlung ist der Beschluss der Patentabteilung aufzuheben und das Patent zu widerrufen.1. Das Patent betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Verbindung zwischen einer Wärmeableitfläche eines Leistungshalbleitermoduls und einem Kühlelement, bei dem Wärmeleitpaste zwischen der Wärmeableitfläche und dem Kühlelement angeordnet wird.Die DE 199 42 915 A1 offenbart eine Baugruppe mit einem Leistungshalbleiter-modul mit einem thermisch leitenden Träger (Substrat), bei dem die Substratun-terseite kupferkaschiert ist und damit als Wärmeableitfläche fungiert, mit der das Substrat mit Hilfe einer Anpressvorrichtung auf ein Kühlelement in Form eines Kühlkörpers gepresst wird, um in Form von Wärme auftretende Verlustleistungen abzuführen.Zwischen der Wärmeableitfläche und dem Kühlelement kann eine Wärmeleitpaste eingebracht werden. Allerdings weisen selbst hochwertige Wärmeleitpasten im - 7 -Vergleich zu Metallen eine schlechte Wärmeleitfähigkeit auf. Zudem kommt es dann, wenn zwischen Wärmeableitfläche und Kühlelement eingeschlossene über-schüssige Wärmeleitpaste beim Andrücken des Leistungshalbleitermoduls auf das Kühlelement nicht zum Rand der Anordnung entweichen kann und stattdessen in den mittleren Bereich der Anordnung gedrückt wird, zu mechanischen Spannun-gen, die sich insbesondere auf das Leistungshalbleitermodul negativ auswirken können, vgl. die Abschnitte [0002] und [0003] der geltenden Beschreibungsunter-lagen.Dem Streitpatent liegt als technisches Problem die Aufgabe zugrunde, ein Verfah-ren bereitzustellen, das zwischen Leistungshalbleitermodul und Kühlelement eine hochwertige wärmeleitende Verbindung bei möglichst geringer Wärmeleitpasten-schichtdicke realisiert und mechanische Belastungen des Leistungshalbleitermo-duls vermeidet, vgl. den Abschnitt [0006] der geltenden Beschreibungsunterlagen.Die Aufgabe wird gemäß dem geltenden Anspruch 1 nach Hauptantrag durch ein Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Verbindung zwischen einer Wär-meableitfläche eines Leistungshalbleitermoduls und einem Kühlelement gelöst, bei dem Wärmeleitpaste zwischen der Wärmeableitfläche und dem Kühlelement an-geordnet wird. Dabei wird eine Vielzahl von Wärmeleitpastenfeldern in einer vor-gegebenen Rasterstruktur auf die Wärmeableitfläche und/oder den Kühlkörper aufgebracht, die bei der Montage von Leistungshalbleitermodul und Kühlkörper zu einer Wärmeleitpastenschicht vereinigt werden. Um Wärmeleitpastenfelder mit entsprechend unterschiedlichen Wärmeleitpastenmengen zu erzeugen, wird eine Schablone mit Öffnungen unterschiedlicher Größe verwendet.Gemäß dem geltenden Anspruch 1 nach Hilfsantrag wird eine Schablone mit Öff-nungen unterschiedlicher Größe verwendet, so dass Wärmeleitpastenfelder mit entsprechend unterschiedlichen Wärmeleitpastenmengen erzeugt werden. Im Be-reich von Verschraubungen zwischen Kühlkörper und Wärmeableitfläche wird außerdem die Wärmeleitpastenmenge geringer bemessen.- 8 -2. Die Zulässigkeit des Einspruchs ist zwar nicht angegriffen worden, jedoch ist diese vom Patentamt und Patentgericht in jedem Verfahrensstadium von Amts wegen zu prüfen, vgl. Schulte, PatG, 8. Auflage, § 59 Rdn. 56 und 160.Der form- und fristgerecht erhobene Einspruch ist zulässig, denn die Ein-sprechende hat die Tatsachen, die den von ihr behaupteten Widerrufsgrund der mangelnden Patentfähigkeit belegen sollen, entsprechend § 59 Abs. 1 Satz 4 PatG im Einzelnen angegeben, indem sie die im erteilten Patentanspruch 1 gege-bene Lehre im Hinblick auf die von ihr geltend gemachte mangelnde Patentfähig-keit in einen konkreten Bezug zu den von ihr genannten Entgegenhaltungen ge-setzt hat.3. Das Verfahren nach dem geltenden Anspruch 1 nach Hauptantrag beruht ebenso wie das Verfahren nach dem geltenden Anspruch 1 nach Hilfsantrag nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.Bei dieser Sachlage kann die Frage der Zulässigkeit der geltenden Ansprüche - soweit diese im vorliegenden Einspruchsbeschwerdeverfahren überhaupt zu überprüfen wäre, vgl. BGH GRUR 1995, 333, 3. Leitsatz - „Aluminiumtrihydroxid“ -ebenso wie die Frage der Neuheit der Verfahren nach diesen Ansprüchen dahin-gestellt bleiben, vgl. BGH GRUR 1991, 120, 121, II.1 - „Elastische Bandage“.Als Fachmann ist ein in der Halbleiterindustrie tätiger und mit der Entwicklung von Leistungshalbleitermodulen mit zugehöriger Kühlung befasster berufserfahrener Diplom-Ingenieur der Elektrotechnik mit Fachhochschulabschluss anzusehen.a. Die Druckschrift E2 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Verbindung zwischen einer Wärmeableitfläche eines Leistungs-halbleitermoduls und einem Kühlelement, bei dem Wärmeleitpaste zwischen der Wärmeableitfläche und dem Kühlelement angeordnet wird, wobei eine Vielzahl von Wärmeleitpastenfeldern in einer vorgegebenen Rasterstruktur auf die Wärme-- 9 -ableitfläche oder den Kühlkörper aufgebracht wird und die Wärmeleitpastenfelder bei der Montage von Leistungshalbleitermodul und Kühlkörper zu einer Wärme-leitpastenschicht vereinigt werden. Zum Erzeugen der Rasterstruktur mit den Wärmeleitpastenfeldern wird die Wärmeleitpaste mit Hilfe einer Schablone auf die Wärmeableitfläche oder den Kühlkörper aufgebracht, wobei die Größe der Öff-nungen in der Schablone zwangsläufig die Menge der in den einzelnen Feldern aufgetragenen Wärmeleitpaste bestimmt. Die auf die Wärmeableitfläche aufge-brachte Menge an Wärmeleitpaste ist dabei so bemessen, dass ohne weiteres Zutun des Anwenders im montierten Zustand der Anordnung ein optimaler Wär-mekontakt zwischen Wärmeableitfläche und Kühlelement die ordnungsgemäße Funktion des Leistungshalbleiterbauelements gewährleistet. Die Probleme her-kömmlicher Verfahren, bei denen zu viel Wärmeleitpaste aufgebracht wird, werden somit vermieden (With the MiniSKiiP series, a very flexible, compact and easy mounting power circuit package is available. The MiniSKiiP system […] consists of the following components: 1. An isolated ceramic substrate (DBC) with soldered-on and wire bonded silicon power chips […]. Delivered in an ESD protection package, the MiniSKiiP is already equipped with a reservoir of HiFlowTM material for a good thermal contact to the heat sink. The HiFlowTM is arranged in a dot pat-tern and has a solid, non-sticky surface at temperatures below 43°C. So the customer can place the MiniSKiiP housing directly on the heat sink surface without messing around with thermal grease, being sure to have the right amount of ther-mal contact material in the gap between the MiniSKiiP and the heat sink to gua-rantee the proper performance of power circuit / S. 111, 1. Textabs. bis S. 112, 1. Textabs. // To apply this HiFlowTM material, it is melted and then may be stenci-led […] directly onto the heat sink or the device. The component […] can than be attached to the heat sink. When initially heated to a temperature greater than 43°C, the interface material will flow and displace any entrapped air / S. 119, 1. Textabs. // Using a heated stencil, the material is applied at an elevated tempe-rature in an automated process. The HiFlowTM material is printed in a dot-matrix pattern and will melt into a layer free of air bubbles when the temperature in-creases the phase change temperature / S. 119, le. Textabs. // Also, applying the - 10 -minimum amount of thermal grease to fill all gaps on irregular surfaces is also dif-ficult and thus, often excess grease is applied. This can add to the mess and may also result in increased thermal resistance / S. 117, 1. Textabs., le. drei Zeilen).Insofern vermittelt die Druckschrift E2 dem Fachmann neben den oben dargeleg-ten Verfahrensmaßnahmen zum Herstellen der wärmeleitenden Verbindung die Lehre, dass es bei der Herstellung dieser Verbindung wesentlich auf das Aufbrin-gen der „richtigen“, nämlich nicht zu großen Menge an Wärmeleitpaste ankommt. Da die in den einzelnen Rasterfeldern aufgebrachte Wärmeleitpastenmenge - wie oben schon erwähnt - durch die Größe der Öffnungen in der Schablone bestimmt wird, liegt es für den Fachmann nahe, zum Aufbringen der „richtigen“ Menge an Wärmeleitpaste auf die jeweilige Fläche die Größe der Öffnungen geeignet zu wählen.Dabei eine Schablone mit Öffnungen unterschiedlicher Größe zu verwenden, so dass Wärmeleitpastenfelder mit entsprechend unterschiedlichen Wärmeleit-pastenmengen erzeugt werden, wie es der Anspruch 1 nach Hauptantrag über die Druckschrift E2 hinausgehend lehrt, beruht nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.Darüber hinaus ist die Verwendung von Schablonen mit Öffnungen unterschiedli-cher Größe zur gezielten Steuerung der auf ein Substrat aufgebrachten Material-menge viskoser Werkstoffe in der Mikroelektronik bei der Oberflächenmontage von elektronischen Bauteilen auf Substraten üblich, wie beispielhaft die Druck-schrift E4 zeigt.Denn diese Druckschrift offenbart ein Verfahren zum Aufbringen und zur Dosie-rung von viskosen Produkten wie bspw. einer Lötpaste oder eines Klebers auf ei-nem Substrat, bei dem mittels einer Siebdruckschablone ein Raster von Punkten des viskosen Materials aufgebracht wird. Dabei gibt die Druckschrift E4 die Lehre, dass die Menge an viskosem Material, das pro Rasterpunkt aufgebracht wird, so-- 11 -wohl von der Dicke der Folie der Schablone als auch von dem Durchmesser der Übertragungsbohrung, d. h. vom Durchmesser der Öffnungen in der Schablone bestimmt wird (Die Erfindung ist im Wesentlichen dadurch gekennzeichnet, dassbei der Schablone zum Aufbringen und zur Dosierung von mehr oder weniger dicken Schichten, auf der Basis von Punkten oder in Form von Punkten, eines viskosen Produkts auf einem Substrat, wobei die Schablone aus einer soliden und homogenen Folie aus einem Kunststoffmaterial besteht, die mit durch Bohrungen hergestellten Öffnungen versehen ist, die Dicke der Folie in Abhängigkeit von dergrößten auf dem Substrat herzustellenden Abscheidungshöhe bestimmt ist, und dass die Folie in Abhängigkeit von der Höhe der verschiedenen herzustellenden Abscheidungen verschiedene Bohrungsdurchmesser aufweist, wobei die Durch-messer auch durch die Dicke der Folie bedingt sind, wobei die Bohrungen einen Behälter bilden, der bei jedem Durchlauf einer Rakel mit einer Menge von Pro-dukten gefüllt wird, die ganz oder teilweise durch den engen Kontakt zwischen der Schablone und dem Substrat an dem Ort regelmäßig aufgebracht wird, wo die Rakel einen linearen Druck ausübt, sowie gegenüber der Öffnung der Bohrungen, wodurch die aufgebrachten Produktmengen dosiert und die Höhe der Abschei-dungen kontrolliert werden kann, wobei die aufgebrachten Produktdosen und die durch einen einzigen Durchlauf der Rakel erhaltenen Abscheidungshöhen ver-schieden sind / S. 3, 4. Abs. // Verfahren zum Aufbringen und zur Dosierung von viskosen Produkten in mehr oder weniger dicken Schichten, auf der Basis von Punkten oder in Form von Punkten, auf einem Substrat, wobei das Verfahren das Anlegen einer ebenen Schablone über dem Substrat und das Aufbringen des vis-kosen Produkts auf das Substrat durch Öffnungen der Schablone über die Wir-kung einer Rakel umfasst, die einen linearen Druck auf die ebene Schablone senkrecht zu der Schablone und zu dem Substrat, in Richtung gegen das Sub-strat, ausübt, wobei dieser lineare Druck ausreicht, um die Schablone zu verfor-men und genau am Punkt des linearen Drucks mit dem Substrat in Kontakt zu bringen, wobei die Bohrungen der Schablone der auf dem Substrat herzustellen-den Abscheidung entsprechen, dadurch gekennzeichnet, dass die Schablone aus einer soliden und homogenen, dehnbaren Folie aus einem elastischen Kunst-- 12 -stoffmaterial besteht, das einen hohen Biegewinkel mit Übertragungsbohrungen besitzt, deren Flanken zueinander parallel und senkrecht zur Schablone sind, wo-bei die Spannung ausreicht, um einen Freiraum zwischen der Schablone und dem Substrat an der der Rakel entgegengesetzten Seite zu schaffen, und dass die Menge an viskosem Produkt, die an jedem Punkt aufgebracht wird, sowie die Höhe des aufgebrachten Punkts in Abhängigkeit von der Dicke der Folie der Schablone und dem Durchmesser der entsprechenden Übertragungsbohrung be-stimmt sind, so dass jede aus einer Bohrung abgegebene Abscheidung mit dem gleichen Durchmesser und der gleichen Oberflächenrauhigkeit die gleiche Höhe besitzt / Patentanspruch 7 // Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Schablone mit Bohrungen mit wenigstens zwei verschiedenen Durch-messern versehen ist, um auf dem Substrat Abscheidungen mit verschiedenen Höhen herzustellen / Patentanspruch 8).Angesichts dieses Offenbarungsgehalts der Druckschrift E4 und der oben schon erläuterten Hinweise in der Druckschrift E2 liegt es für den Fachmann nahe, die in den einzelnen Wärmeleitpastenfeldern aufgebrachte Wärmeleitpastenmenge bei dem Verfahren nach der Druckschrift E2 mittels einer Schablone mit unterschiedli-chen Öffnungen zu steuern.Das vom Vertreter der Anmelderin vorgetragene Argument, bei der Verfahrens-weise nach der Druckschrift E2 ergebe sich aus den speziellen Phasenwechsel-eigenschaften des verwendeten Wärmeleitpastenmaterials, dass das Wärmeleit-pastenmaterial bei Erwärmung bei der Montage verfließt und in diesem Zustand eine Schicht einheitlicher Dicke bildet, so dass ein Auftrag lokal unterschiedlicher Mengen an Wärmeleitpaste hier sinnlos sei, konnte den Senat nicht überzeugen. Denn auch bei einem Wärmeleitpastenmaterial mit den in der Druckschrift E2 an-gegebenen Fließeigenschaften gewährleistet nur das Aufbringen lokal unter-schiedlicher Mengen an Wärmeleitpaste, dass durch Unebenheiten in den Ober-flächen der zu verbindenden Elemente gebildete Lücken und Spalten aufgefüllt werden können, ohne dass die gewünschte Dicke der Verbindungsschicht beein-- 13 -trächtigt wird, und/oder dass ein geringerer Materialbedarf in Bereichen mit Ver-schraubungen beim Aufbringen der Wärmeleitpastenfelder berücksichtigt werden kann.Somit beruht das Verfahren nach Anspruch 1 nach Hauptantrag nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.b. Gleiches gilt auch für das Verfahren nach Anspruch 1 nach Hilfsantrag.Denn wie für den Fachmann selbstverständlich, aber auch in den oben genannten Zitatstellen in der Druckschrift E4 explizit angegeben, ist durch das Verwenden einer Schablone mit Öffnungen unterschiedlicher Größe nach der Lehre der Druckschrift E4 gewährleistet, dass bei dem Verfahren tatsächlich Wärmeleit-pastenfelder mit entsprechend unterschiedlichen Wärmeleitpastenmengen erzeugt werden, wie es die gegenüber dem Anspruch 1 nach Hauptantrag vorgenommene Umformulierung des entsprechenden Merkmals zum Ausdruck bringen soll. Inso-fern ändert diese Umformulierung nichts an der oben dargelegten Sachlage der mangelnden Patentfähigkeit gegenüber dem Stand der Technik.Auch das gegenüber dem Anspruch 1 nach Hauptantrag neu in den Anspruch aufgenommene Merkmal, die Wärmeleitpastenmengen im Bereich von Ver-schraubungen zwischen Kühlkörper und Wärmeableitfläche geringer zu bemes-sen, ergibt sich für den Fachmann in naheliegender Weise aus der Druckschrift E2. Denn diese offenbart bereits, dass das Leistungshalbleitermodul mittels einer Schraube auf dem Kühlkörper befestigt wird ([…] the customer can mount the Mi-niSKiiP on the heat sink by tightening one standard screw / S. 112, 1. Abs.). Inso-fern besteht hier die Gefahr, dass bei zu hohem Materialauftrag im Bereich der Verschraubung die aufgeschmolzene Wärmeleitpaste Material in das Verschrau-bungsloch hineinfließt und aus diesem entfernt werden muss, was den Fachmann veranlasst, in dem entsprechenden Bereich nur eine verringerte Menge Wärme-- 14 -leitpaste aufzutragen. In diesem Sinn auch bei mehreren Verschraubungen vorzu-gehen, ist selbstverständlich.Damit beruht auch das Verfahren nach Anspruch 1 nach Hilfsantrag nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.4. Mit dem jeweiligen Anspruch 1 fallen wegen der Antragsbindung auch die auf diesen rückbezogenen Unteransprüche, vgl. BGH GRUR 2007, 862, 863, Tz. 18 - „Informationsübermittlungsverfahren II“.5. Bei dieser Sachlage war der Beschluss der Patentabteilung aufzuheben und das Patent zu widerrufen.Dr. Strößner Brandt Metternich Dr. FriedrichCl

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