BUNDESPATENTGERICHT 23 W (pat) 36/98 Verkündet am (Aktenzeichen) 5. Dezember 2000 … B E S C H L U S S In der Beschwerdesache betreffend die Patentanmeldung P 44 08 155.3-51 … hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 5. Dezember 2000 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Beyer, sowie des Richters Dr. Gottschalk, der Richterin Tronser und des Richters Lokys - 2 - beschlossen: Auf die Beschwerde der Anmelderin wird der Beschluß des Deutschen Patentamtes - Prüfungsstelle für Klasse G 02 F - vom 4. März 1998 aufgehoben, das Patent 44 08 155 wird mit folgen-den Unterlagen erteilt: Patentansprüche 1 bis 10, Beschreibung Seiten 1, 1a, 1b, 3, 4, 5 und 6 sowie Zeichnung Figuren 1 bis 5 in der in der mündlichen Verhandlung überreichten Fassung Anmeldetag: 11. März 1994 Bezeichnung: Flüssigkristallanzeige Die Beschwerdegebühr wird zurückgezahlt. Gründe I Die vorliegende Patentanmeldung ist mit der Bezeichnung "Flüssigkristallanzeige" am 11. März 1994 beim Deutschen Patentamt eingereicht worden. Nachdem die Anmeldung durch Beschluß der Prüfungsstelle für Klasse G 02 F des Deutschen Patentamts vom 27. Juni 1995 zurückgewiesen worden war, wurde die Sache mit Beschluß des Bundespatentgerichts vom 13. März 1997 zur weiteren Prüfung an das Deutsche Patentamt zurückverwiesen, da die Gegenstände der damals in der mündlichen Verhandlung vorgelegten nebenge-ordneten Ansprüche 1 und 2 dem Fachmann durch den Stand der Technik nach den - 3 - japanischen Offenlegungsschriften 56-62224, 56-54413 und 59-202435 mit jeweiligen zugehörigen Übersetzungen ins Deutsche, den japanischen Offenlegungsschriften 58-76812 und 58-76813 mit zugehöriger paralleler US-Patentschrift 4 560 240 sowie der japanischen Offenlegungsschrift 58-75116 mit zugehöriger paralleler US-Patentschrift 4 556 288 nicht nahegelegt erschienen, jedoch nicht ausgeschlossen werden konnte, daß ein weiterer der Patentanmeldung entgegenstehender Stand der Technik existiert. Daraufhin hat die zuständige Prüfungsstelle für Klasse G 02 F des Deutschen Patentamts in ihrem Prüfungsbescheid vom 22. Dezember 1997 als weiteren Stand der Technik die japanischen Offenlegungsschriften 4-179278, 5-88202, 2-190802 und 5-29298 sowie die europäische Offenlegungsschrift 0 588 087 ge-nannt und der Anmelderin eine Frist zur Äußerung hierauf innerhalb von vier Mo-naten nach Zustellung dieses Prüfungsbescheides gesetzt. Auf die Bitte der An-melderin, ihr zumindest die englischsprachigen Abstracts zu den jeweiligen japa-nischen Offenlegungsschriften zuzustellen, um sachlich zu dem Prüfungsbescheid Stellung nehmen zu können, hat die Prüfungsstelle die Anmeldung mit Beschluß von 4. März 1998 und damit noch vor Ablauf der viermonatigen Äußerungsfrist erneut zurückgewiesen. Dabei stützte die Prüfungsstelle die erneute Zurückweisung darauf, daß aufgrund der o.g. nachrecherchierten japanischen Offenlegungsschriften dem einschlägigen Fachmann für Antireflexionsschichten bzw für dünne Schichten die Eigenschaften von SiON (Siliziumoxinitrid) und die Verwendung solcher dielektrischer SiON-Schichten in Flüssigkristallzellen geläufig seien und somit eine erfinderische Tätigkeit in der Auswahl von SiON anstelle von SiO2 für dünne Schichten nicht gesehen werden könne. Gegen diesen ihr am 13. März 1998 zugestellten Beschluß der Prüfungsstelle richtet sich die Beschwerde der Anmelderin vom 9. April 1998. - 4 - Für die Auslegung des Inhalts der japanischen Offenlegungsschrift 4-179278 hat die Beschwerdeführerin laut Beschwerdebegründung auf den Inhalt der parallelen europäischen Offenlegungsschrift 0 487 209 zurückgegriffen, während die Über-setzungen der übrigen japanischen Offenlegungsschriften 5-88202, 2-190802 und 5-29298 der Beschwerdeführerin mit der Zwischenverfügung des Senats vom 28. November 2000 übermittelt wurden. In der mündlichen Verhandlung der vorliegenden Beschwerdesache hat die An-melderin Ansprüche 1 bis 10 mit angepaßter Beschreibung und Zeichnung über-reicht und die Auffassung vertreten, daß den Gegenständen der nebengeordneten Patentansprüche 1 und 2, die inhaltsgleich mit den Patentansprüchen 1 bzw 2 vom 13. März 1997 sind, der nachgewiesene Stand der Technik, einschließlich des o.g. nachrecherchierten Standes der Technik nicht patenthindernd entgegen-stehe. Darüber hinaus verweist die Beschwerdeführerin darauf, daß der angefochtene Beschluß des Deutschen Patentamts vor Ablauf der gesetzten Äußerungsfrist er-gangen und somit die Rückzahlung der Beschwerdegebühr geboten sei. Die Anmelderin beantragt, den Beschluß des Deutschen Patentamts - Prüfungsstelle für Klasse G 02 F - vom 4. März 1998 aufzuheben und das Pa-tent 44 08 155 mit folgenden Unterlagen zu erteilen: Patent-ansprüche 1 bis 10, Beschreibung Seiten 1, 1a, 1b, 3, 4, 5 und 6 sowie Zeichnung Figuren 1 bis 5 in der in der mündlichen Verhandlung überreichten Fassung und die Beschwerdegebühr zurückzuzahlen. - 5 - Die geltenden selbständigen Patentansprüche 1 und 2 haben nach Korrektur eines Bezugzeichens im Anspruch 2, Zeile 4 folgenden Wortlaut: "1. Flüssigkristallanzeige mit einem Flüssigkristall (2), mindestens einseitig daran einem transparenten Sub-strat (1), einer ersten, zwischen Substrat (1) und Flüs-sigkristall (2) angeordneten, ein Muster bildenden, transparenten Elektrode (5), einer zweiten, am Flüssig-kristall, gegenüber der ersten angeordneten Elekt-rode (4), mit einer Ausgleichsschichtanordnung (7), die aus einer zwischen der ersten Elektrode und dem Sub-strat liegenden, im wesentlichen aus Siliziumoxinitrid gebildeten Einzelschicht besteht, für deren Brech-wert nM gilt 1,6 2,0 hat und wobei weiterhin die Doppelschicht eine Differenz ∆ R
Full & Egal Universal Law Academy