BPatG 15408.05BUNDESPATENTGERICHT23 W (pat) 8/06_______________(Aktenzeichen)Verkündet am27. August 2009…B E S C H L U S SIn der Beschwerdesachebetreffend die Patent 197 24 222.7-33…hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 27. August 2009 unter Mitwirkung des Richters Lokys als Vorsitzenden, der Richterin Dr. Kober-Dehm sowie der Richter Brandt und Dr. Friedrich- 2 -beschlossen:Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deut-schen Patent- und Markenamts vom 19. Oktober 2005 wird aufge-hoben und das Patent mit folgenden Unterlagen erteilt:Patentansprüche 1 bis 8, überreicht in der mündlichen Verhand-lung vom 27. August 2009, Beschreibung Seiten 1 bis 4a, einge-gangen am 10. Juli 2009, ursprüngliche Beschreibungsseiten 5 bis 13, eingegangen am 9. Juni 1997, Zeichnung ursprüngliche Fi-guren 1 bis 5.Bezeichnung der Erfindung: DRAMAnmeldetag: 9. Juni 1997G r ü n d eI.Die Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und Markenamts hat die am 9. Juni 1997 eingereichte Patentanmeldung mit der Bezeichnung „DRAM und Verfahren zum Herstellen desselben“, für welche die Priorität einer Anmel-dung in Korea vom 31. Juli 1996 (Aktenzeichen Nr. 31664/1996) in Anspruch ge-nommen ist, durch Beschluss vom 19. Oktober 2005 zurückgewiesen.Im Prüfungsbescheid vom 11. Februar 2000 sind zum Stand der Technik die Druckschriften:D1 US 4 970 564,D2 US 4 651 183 undD3 JP 03-225 955 A nebst englischsprachigem Abstract- 3 -in Betracht gezogen worden.Mit dem vorgenannten Prüfungsbescheid ist der Anmelderin mitgeteilt worden, dass der - ursprüngliche - Patentanspruch 1 unklar sei, da mit Hilfe der in ihm an-gegebenen Merkmale keine zeichnerische Darstellung einer Speicherzelle möglich sei. Ein Feldeffekttransistor bestünde normalerweise aus einer Drainzone, einer Sourcezone, einem Gatedielektrikum und einer Gateelektrode, wohingegen in Patentanspruch 1 lediglich von einem ersten und zweiten Bereich, sowie ersten, zweiten und dritten Fremdstoffbereichen die Rede sei. Inwieweit diese Bereiche Teile eines Feldeffekttransistors sein könnten, bleibe offen. Im Einzelnen seien im Patentanspruch 1 die Begriffe „aktiver Bereich“ und „Knickbereich“ unklar. Ent-sprechendes gelte für die Unteransprüche 2 bis 4, den nebengeordneten Patent-anspruch 5 sowie die Unteransprüche 6 bis 21. Zudem betreffe der nebengeord-nete Verfahrensanspruch 22 kein Herstellungsverfahren, denn die in ihm angege-benen Verfahrensmerkmale seien im wesentlichen gegenständlicher Art. Hinsicht-lich des Stands der Technik sei es aus Druckschrift D1 bekannt, die Halbleiterbe-reiche zweier benachbarter Speicherzellen teils parallel und teils nicht parallel zu Bit- und Wortleitungen auszubilden, und in Druckschrift D2 dargelegt, dass Bit-und Wortleitungen sich nicht rechtwinklig schneiden müssen. Zudem werde in Druckschrift D3 empfohlen, im Hinblick auf Platzersparnis hexagonale Kondensa-torelektroden vorzusehen.Die Anmeldung ist nach zwei Erwiderungen und einer Anhörung durch Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 19. Oktober 2005 mit der Begründung zurückgewiesen worden, dass der dann geltende Patentanspruch 1 unzulässig sei, zum einen, da die Angabe aus dem ur-sprünglichen Patentanspruch 1, wonach ein Halbleitersubstrat vorliegen müsse, entfallen sei, und zum anderen, da das Merkmal der Parallelität der Kondensator-elektroden in den Figuren 3A und 4 für den Fachmann nicht als erfindungswesent-lich erkennbar sei.- 4 -Gegen diesen Beschluss der Prüfungsstelle richtet sich die am 2. Dezember 2005 eingelegte Beschwerde der Anmelderin, mit deren Begründung vom 10. Juli 2009 sie umformulierte Patentansprüche 1 bis 9 und eine geänderte Beschreibung vor-gelegt hat.In der mündlichen Verhandlung am 27. August 2009 hat die Anmelderin zuletzt neue Patentansprüche 1 bis 8 vorgelegt und die Auffassung vertreten, dass die Gegenstände dieser Patentansprüche als erfindungswesentlich offenbart seien und dass der Gegenstand des neugefassten Patentanspruchs 1 gegenüber dem nachgewiesenen Stand der Technik auch patentfähig sei.Die Anmelderin beantragt,den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 19. Oktober 2005 aufzuheben und das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:Patentansprüche 1 bis 8, überreicht in der mündlichen Verhand-lung vom 27. August 2009, Beschreibung Seiten 1 bis 4a, einge-gangen am 10. Juli 2009, ursprüngliche Beschreibungsseiten 5 bis 13, eingegangen am 9. Juni 1997, Zeichnung ursprüngliche Figu-ren 1 bis 5.Der auf Antrag der Anmelderin vom 28. September 2009 berichtigte geltende Pa-tentanspruch 1 lautet:„DRAM, gekennzeichnet durch:− ein Halbleitersubstrat (40);− aktive Bereiche (44) mit jeweils einem ersten Bereich (41) im Substrat mit einem ersten Fremdstoffbereich, jeweils einem zweiten Bereich (42) mit einem dritten Fremdstoffbereich und - 5 -jeweils einem Knickbereich (43) zwischen dem ersten Fremd-stoffbereich und dem dritten Fremdstoffbereich, mit einem zweiten Fremdstoffbereich;− mehrere erste Wortleitungen (45) über und zwischen dem ers-ten Fremdstoffbereich und dem zweiten Fremdstoffbereich;− mehrere zweite Wortleitungen (46) über und zwischen dem zweiten Fremdstoffbereich und dem dritten Fremdstoffbereich;− eine Isolierschicht (50) auf dem Substrat und den Wortleitun-gen, mit mehreren ersten Kontaktlöchern (47) auf dem ersten Fremdstoffbereich, mehreren zweiten Kontaktlöchern (48) auf dem zweiten Fremdstoffbereich und mehreren dritten Kon-taktlöchern (49) auf dem dritten Fremdstoffbereich;− mehrere Bitleitungen (51), die elektrisch durch die zweiten Kontaktlöcher mit dem zweiten Fremdstoffbereich verbunden sind und die die Wortleitungen auf dem Knickbereich schnei-den, wobei die Mittellinie einer jeweiligen Bitleitung (31, 51) einen Winkel Θ1, Θ11 von 0° < Θ1, Θ11 < 90° in Gegenuhrzei-gerrichtung und einen Winkel Θ2, Θ12 von 90° < Θ 2, Θ 12 < 180° in Uhrzeigerrichtung in Bezug auf die jeweilige Mittellinie der zugehörigen ersten und zweiten Wortleitung (25, 26; 45, 46) aufweist;− mehrere erste Kondensatoren (52) mit einer hexagonalen Ebene auf einem oberen Abschnitt des ersten Bereichs, mit elektrischer Verbindung zum ersten Fremdstoffbereich durch das erste Kontaktloch hindurch; und− mehrere zweite Kondensatoren (53) mit einer hexagonalen Ebene auf einem oberen Abschnitt des zweiten Bereichs, mit elektrischer Verbindung zum dritten Fremdstoffbereich durch das dritte Kontaktloch hindurch, wobei eine Seite der hexago-nalen Ebene der zweiten Kondensatoren parallel zu einer - 6 -Seite der hexagonalen Ebene der ersten Kondensatoren ver-läuft und das zweite Kontaktloch dazwischen angeordnet ist,− so dass die ersten und zweiten Kondensatoren (32, 33; 52, 53) zu beiden Seiten einer zu ihren Seiten parallelen Linie lie-gen, wobei die Bitleitungen (51) im wesentlichen zwischen den ersten und zweiten Kondensatoren (32, 33; 52, 53) so hin-durchverlaufen, dass jeweils ein drittes Kontaktloch (49) eines aktiven Bereichs (44) und ein erstes Kontaktloch (47) eines benachbarten aktiven Bereichs (44) in Richtung der Wortlei-tungen zwischen benachbarten Paaren von ersten und zwei-ten Wortleitungen und zwischen zwei benachbarten Bitleitun-gen liegen.“Wegen der geltenden Unteransprüche 2 bis 8 sowie der weiteren Einzelheiten wird auf den Akteninhalt verwiesen.II.Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde ist zulässig und auch begründet; denn der geltende Patentanspruch 1 vermittelt dem Fachmann eine klare Lehre zum technischen Handeln, ist als erfindungswesentlich offenbart zulässig und durch den im Verfahren befindlichen Stand der Technik auch nicht patenthindernd getroffen.1. Die geltenden Patentansprüche sind von den gerügten Unklarheiten - soweit diese zurecht beanstandet worden sind - bereinigt.Der in den Prüfungsbescheiden vertretenen und zum angefochtenen Beschluss führenden Auffassung, der ursprüngliche - wie auch der geltende - Patentan-spruch 1 sei unklar, da zum einen mit Hilfe der in ihm angegebenen Merkmale keine zeichnerische Darstellung einer Speicherzelle möglich sei und zum anderen - 7 -die verwendeten Begriffe „erster und zweiter Bereich“, „erster, zweiter und dritter Fremdstoffbereich“, „aktiver Bereich“ und „Knickbereich“ unklar seien, kann inso-fern nicht gefolgt werden, als die Erfindung nicht den detaillierten Gesamtaufbau einer Speicherzelle, sondern lediglich Einzelheiten der Anordnung der einzelnen Bestandteile der Speicherzelle zueinander, d. h. die Ausgestaltung des DRAM-Zellenarrays betrifft. Folglich genügt es, wenn der Patentanspruch 1 lediglich die erfindungswesentlichen Einzelheiten der DRAM-Zelle enthält, der nicht erfindungs-wesentliche Aufbau der gesamten Speicherzelle hingegen der Beschreibung nebst Zeichnung entnehmbar ist. Begriffe in den Patentansprüchen sind bei der Prüfung auf Patentfähigkeit so zu deuten, wie sie der angesprochene Fachmann nach dem Gesamtinhalt der Beschreibungsunterlagen unter Berücksichtigung der in ihr objektiv offenbarten Lösung versteht (BGH GRUR 2001, 232 Leitsatz i. V. m. 233 re. Sp. le. Abs. - „Brieflocher“). Diesen Fachmann führen die im ursprünglichen wie im geltenden Patentanspruch 1 verwendeten Begriffe automatisch zur korrekten Zuordnung der Fremdstoffbereiche, denn bei DRAM-Speicherzellen kontaktiert die Bitleitung den Drainbereich und die Wortleitung den Gatebereich (vgl. die vorlie-gende Anmeldung Figuren 3a und 3b mit zugehöriger Beschreibung). Damit ist der „zweite Fremdstoffbereich“ klar die Drainzone und „erster und dritter Fremdstoffbe-reich“ die zugehörige Sourcezone. Auch die Bedeutung des Begriffs „aktiver Be-reich“ ist ohne weiteres ersichtlich, da bei DRAM-Speicherzellen darunter übli-cherweise die den Source-, Drain- und Kanalbereich umfassende Zone der MOS-Transistoren zu verstehen ist. Der als unklar gerügte Begriff „Knickbereich“ ist zwar unüblich, wird jedoch im ursprünglichen Patentanspruch 1 eindeutig als Teil des aktiven Bereichs definiert, der sich zwischen erstem und drittem Bereich be-findet. Dieser Knickbereich weist somit als Teil des aktiven Bereichs einen Knick auf.Die Zusatzmerkmale der den geltenden Unteransprüchen entsprechenden ur-sprünglichen Patentansprüche wurden nicht bemängelt.- 8 -2. Gegen die Zulässigkeit der geltenden Patentansprüche 1 bis 8 bestehen keine Bedenken.Der auf einen DRAM gerichtete geltende Patentanspruch 1 findet inhaltlich eine ausreichende Stütze in den ursprünglichen Patentansprüchen 5 und 17 i. V. m. den in den ursprünglichen Anmeldungsunterlagen anhand der Zeichnung erläu-terten Ausführungsbeispielen. Der geltende Patentanspruch 1 enthält in den ers-ten acht Spiegelstrich-Absätzen die Merkmale der ursprünglichen Patentansprü-che 5 und 17 sowie im letzten, neunten Spiegelstrich-Absatz eine Konkretisierung der Anordnung der Kontaktlöcher zwischen benachbarten Bit- und Wortleitungen dahingehend, dass die parasitäre Kapazität zwischen benachbarten Bitleitungen verkleinert wird, indem der Abstand zwischen benachbarten Bitleitungen derart vergrößert ist, dass sich zwischen diesen benachbarten Bitleitungen und in Rich-tung der Wortleitungen zwei Kontaktlöcher benachbarter aktiver Bereiche, d. h. benachbarter Transistoren, befinden. Dieses Merkmal wird sowohl durch Figur 4 gestützt, aus der ersichtlich ist, dass sich zwischen den benachbarten Bitleitun-gen 51 und in Richtung der Wortleitungen 45, 46 zwei Kontaktlöcher benachbarter aktiver Bereiche befinden, als auch durch die ursprüngliche Beschreibung. Dort wird zum einen auf Seite 11 im dritten Absatz zur Figur 4 erläutert, dass die erste Wortleitung mit dem ersten und zweiten Fremdstoffbereich zu einem ersten Tran-sistor gehört und die zweite Wortleitung mit dem zweiten und dritten Fremdstoffbe-reich zu einem zweiten Transistor, und zum anderen wird auf Seite 3, Zeilen 30 und 31 sowie Seite 13, Zeilen 4 bis 6 dargelegt, dass bei üblichen DRAM-Struktu-ren aufgrund des geringen Abstands der Bitleitungen die parasitären Kapazitäten zwischen den Bitleitungen groß sind, wohingegen bei dem anmeldungsgemäßen DRAM diese parasitären Kapazitäten klein sind - und damit die Abstände der Bit-leitungen vergrößert.Die geltenden Unteransprüche 2 bis 8 entsprechen in ihren Merkmalen den ur-sprünglichen Patentansprüchen 6, 7, 11, 13, 14, 16 und 19 und sind zulässig.- 9 -3. Die Anmeldung betrifft ein DRAM-Zellenarray mit COB-Struktur (COB = capacitor over bit line) d. h. mit einem Kondensator über einer Bitleitung.Die Anmeldung geht von einem in Figur 2 der Anmeldungsunterlagen dargestell-ten Stand der Technik aus, wie er auch aus Figur 1 der Druckschrift D1 bekannt ist. Ausweislich der geltenden Beschreibung (vgl. geltende Beschreibungsseite 3, Absatz 4 bis Seite 4 Absatz 1) besteht bei diesen bekannten DRAM-Speicherzel-lenanordnungen mit COB-Struktur und rechteckig geformten Kondensatorelektro-den einerseits das Problem der Schrumpfung der Kondensatorelektroden bei de-ren Strukturierung und andererseits das Problem parasitärer Kapazitäten zwi-schen den Bitleitungen aufgrund deren geringen Abstands. Bei Speicherzellenan-ordnungen mit hoher Integrationsdichte ist es schwierig zu erreichen, dass der Zellenkondensator eine hohe Kapazität hat und die Bitleitungen eine kleine para-sitäre Kapazität.Vor diesem Hintergrund liegt dem Anmeldungsgegenstand als technisches Prob-lem die ojektive Aufgabe zugrunde, eine Speicherzellenanordnung (DRAM) mit hohem dielektrischen Verhältnis und hoher Zuverlässigkeit zu schaffen, die bei hoher Integrationsdichte eine hohe Zellenkondensatorkapazität und geringe parasitäre Kapazitäten enthält und dadurch eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit erreicht (vgl. geltende Beschreibungsseite 4a, Absatz 1).Dieses Problem wird gemäß dem geltenden Patentanspruch 1 gelöst, indem− die aktiven Bereiche der DRAM-Zellen nicht geradlinig son-dern in abgewinkelter Form verlaufen, so dass die beiden Source-Bereiche 41, 42 mit dem Drain-Bereich 43 dazwischen zueinander versetzt sind,− die Bitleitungen 51 und die Wortleitungen 45, 46 sich in einem Winkel ≠ 90° schneiden,- 10 -− die Knotenelektroden der Zellenkondensatoren 52, 53 nicht rechteckig sondern hexagonal ausgebildet sind und− die Bitleitungen 51 so zwischen den Knotenelektroden der Zel-lenkondensatoren 52, 53 verlaufen, dass jeweils zwei Kon-taktlöcher von in Richtung der Wortleitungen benachbarten aktiven Bereichen zwischen benachbarten Wortleitungen und benachbarten Bitleitungen liegen.Bei dem DRAM des geltenden Patentanspruchs 1 ist demnach wesentlich, dass durch die spezielle Ausgestaltung von aktiven Bereichen, Zellenkondensatoren sowie Bit- und Wortleitungen der Bitleitungsabstand vergrößert werden kann, um parasitäre Kapazitäten zu verringern und gleichzeitig eine hohe Zellenkondensa-torkapazität bei hohem Integrationsgrad beibehalten wird.4. Der - zweifellos gewerblich anwendbare - DRAM nach dem geltenden Patentanspruch 1 ist gegenüber dem im Verfahren befindlichen Stand der Technik neu und beruht diesem gegenüber auch auf einer erfinderischen Tätigkeit des zu-ständigen Durchschnittsfachmanns, der hier als ein mit der Entwicklung und Ferti-gung von integrierten Halbleiterschaltungen befasster, berufserfahrener Physiker oder Ingenieur der Fachrichtung Halbleitertechnik mit Hochschulausbildung zu definieren ist.a) Die Neuheit des Gegenstands des auf Antrag der Anmelderin vom 28. September 2009 berichtigten, geltenden Patentanspruchs 1 ergibt sich ohne weiteres schon daraus, dass - wie sich implizit aus den nachfolgenden Ausführun-gen zur erfinderischen Tätigkeit ergibt - der gesamte im Verfahren befindlichen Stand der Technik keinen DRAM mit den Merkmalen des geltenden Patentan-spruchs 1 offenbart.b) Der Gegenstand des geltenden Patentanspruchs 1 ist dem Fachmann durch den gesamten im Verfahren befindlichen Stand der Technik schon deshalb nicht - 11 -nahegelegt, weil sich darin kein Hinweis in Richtung der durch den Patentan-spruch 1 gelehrten DRAM-Anordnung findet.Die Druckschrift D1 offenbart gemäß Wortlaut des berichtigten, geltenden Patent-anspruchs 1 einenDRAM (DRAM’s of 1-mega-bits or greater / vgl. Spalte 3, Zeile 30) aufweisend− ein Halbleitersubstrat (semiconductor substrate 5.1 / vgl. Fi-gur 5 und Spalte 4, Zeile 45);− aktive Bereiche mit jeweils einem ersten Bereich im Substrat mit einem ersten Fremdstoffbereich, jeweils einem zweiten Bereich mit einem dritten Fremdstoffbereich und jeweils einem Knickbereich zwischen dem ersten Fremdstoffbereich und dem dritten Fremdstoffbereich, mit einem zweiten Fremdstoff-bereich (the main portions of active regions are arranged at an angle of 45 degrees with respect to the word lines and the bit lines, and only the portions where the contact holes (1.5) of memory portion are opened are arranged in parallel with the bit lines / vgl. Spalte 3, Zeilen 40 bis 45 sowie Figur 1, Be-zugszeichen 1.1);− mehrere erste Wortleitungen über und zwischen dem ersten Fremdstoffbereich und dem zweiten Fremdstoffbereich;− mehrere zweite Wortleitungen über und zwischen dem zwei-ten Fremdstoffbereich und dem dritten Fremdstoffbereich (Af-ter the word lines (5.4) are formed, ions are implanted using word lines as a mask in order to form impurity diffusion lay-ers (5.5) / vgl. Spalte 4, Zeilen 23 bis 25 i. V. m. Figur 5);− eine Isolierschicht auf dem Substrat und den Wortleitungen, mit mehreren ersten Kontaktlöchern auf dem ersten Fremd-stoffbereich, mehreren zweiten Kontaktlöchern auf dem zwei-- 12 -ten Fremdstoffbereich und mehreren dritten Kontaktlöchern auf dem dritten Fremdstoffbereich (where the contact ho-les (1.5) of memory portion are opened … reference nume-ral 1.3 denotes contact holes for bit lines ... The world lines (5.4) are insulated by an interlayer insulating film (5.6) / vgl. Spalte 3, Zeilen 43, 44, 52, 53 und Spalte 4, Zeilen 16,17);− mehrere Bitleitungen, die elektrisch durch die zweiten Kontaktlöcher mit dem zweiten Fremdstoffbereich verbunden sind und die die Wortleitungen bei dem Knickbereich schnei-den (In Fig. 1, reference numeral 1.3 denotes contact holes for bit lines / vgl. Spalte 3, Zeilen 52, 53), wobei die Mittellinie ei-ner jeweiligen Bitleitung einen Winkel Θ1, Θ11 von 0° < Θ1, Θ11< 90° in Gegenuhrzeigerrichtung und einen Winkel Θ2, Θ12 von 90° < Θ 2, Θ 12 < 180° in Uhrzeigerrichtung in Bezug auf die jeweilige Mittellinie der zugehörigen ersten und zweiten Wort-leitung aufweist (In Druckschrift D1 wird zwar ein senkrechter Verlauf von Bit- und Wortleitung (Bezugszeichen 1.2 und 1.4 in Fig. 1) gezeigt, jedoch ist der Verlauf der Wortleitun-gen (1.2) nicht geradlinig sondern gewinkelt und damit auch die Mittellinie der Wortleitungen. Die Bitleitung und deren Mit-tellinie verlaufen hingegen geradlinig. Da sich beide Mittelli-nien dort schneiden, wo die Mittellinie der Wortleitung abge-winkelt ist, schneiden sich beide Mittellinien nicht rechtwinklig.);− mehrere erste Kondensatoren mit einer rechteckigen Ebene auf einem oberen Abschnitt des ersten Bereichs, mit elektri-scher Verbindung zum ersten Fremdstoffbereich durch das erste Kontaktloch hindurch; und− mehrere zweite Kondensatoren mit einer rechteckigen Ebene auf einem oberen Abschnitt des zweiten Bereichs, mit elektri-scher Verbindung zum dritten Fremdstoffbereich durch das - 13 -dritte Kontaktloch hindurch, wobei das zweite Kontaktloch da-zwischen angeordnet ist, so dass die ersten und zweiten Kon-densatoren zu beiden Seiten einer zu ihren Seiten parallelen Linie liegen (Lower electrodes (1.6 and 5.9) of storage capaci-ties are formed thereon / vgl. Spalte 4, Zeilen 36 und 37 i. V. m. Fig. 1 und 5).Damit unterscheidet sich die Lehre gemäß geltendem Patentanspruch 1 vom Stand der Technik gemäß Druckschrift D1 dadurch, dass bei der vorliegenden Anmeldung− die Kondensatorflächen keine rechteckige sondern eine hexagonale Form haben, wobei eine Seite der hexagonalen Ebene des zweiten Kondensators parallel zu einer Seite der hexagonalen Ebene des ersten Kondensators verläuft und das zweite Kontaktloch dazwischen angeordnet ist und− die Bitleitungen im wesentlichen zwischen den ersten und zweiten Kondensatoren so hindurchverlaufen, dass jeweils ein drittes Kontaktloch eines aktiven Bereichs und ein erstes Kontaktloch eines benachbarten aktiven Bereichs in Richtung der Wortleitungen zwischen benachbarten Paaren von ersten und zweiten Wortleitungen und zwischen zwei benachbarten Bitleitungen liegen.In der einschlägigen Druckschrift D3, die, ebenso wie Druckschrift D1, zur Auf-gabe hat, DRAM-Strukturen mit hoher Speicherkapazität und gleichzeitig gerin-gem Platzbedarf zur Verfügung zu stellen (vgl. in Druckschrift D1 den ersten Ab-satz der Spalte 1 und in Druckschrift D3 das Abstract), wird eine hexagonale Kon-densatorstruktur eines DRAM vorgeschlagen und ausgeführt, dass mit der Aus-gestaltung der Kondensatorelektrode als Hexagon die Elektrodenfläche bei gleichbleibender Zellengröße erhöht werden kann (vgl. dort Figur 12 mit den Kon-- 14 -densatorflächen als schraffierte Bereiche und die Erläuterungen im Abstract). We-gen der offensichtlichen Vorteile bei der Ausgestaltung von DRAM-Strukturen wird der Fachmann die Lehre der Druckschrift D3 auf die DRAM-Struktur gemäß Druckschrift D1 übertragen, indem er die in Druckschrift D1 rechteckig gestalteten Kondensatorelektroden (Fig. 1, Bezugszeichen 1.6) hexagonal ausbildet und die dem Bitleitungskontaktloch (Fig. 1, Bezugszeichen 1.3) gegenüberliegenden Sei-ten der Elektroden - wie in Fig. 12 der Druckschrift D3 gezeigt - parallel anordnet.Jedoch findet der Fachmann in keiner der Druckschriften einen Hinweis, die Kon-taktlöcher und Bitleitungen gemäß dem letzten Spiegelstrich des geltenden Pa-tentanspruchs so anzuordnen, dass jeweils zwei Kontaktlöcher von in Richtung der Wortleitungen benachbarten aktiven Bereichen zwischen benachbarten Wort-leitungen und benachbarten Bitleitungen liegen und dadurch der Bitleitungsab-stand vergrößert ist. Vielmehr zeigen die dort offenbarten DRAM-Strukturen ledig-lich Anordnungen mit einem einzigen Kontaktloch zwischen benachbarten Wort-und Bitleitungen (vgl. in Druckschrift D1 die Fig. 1 mit den Kontaktlöchern 1.5 zwi-schen benachbarten Bitleitungen 1.4 und Wortleitungen 1.2, sowie in Druckschrift D3 die Figuren 11 und 12). Der Fachmann hat auch keine Veranlassung in Kennt-nis der Druckschriften D1 und D3 den Abstand der Bitleitungen zu vergrößern, da dies zu einer erheblichen Vergrößerung der benötigten Chipfläche führen würde.Die Druckschrift D2 offenbart eine Halbleiterspeicheranordnung, bei der in Figur 1 ein schräger Verlauf der Bitleitungen und in Figur 4 ein abgeknickter Verlauf der Wortleitungen vorgeschlagen wird, doch ist auch ihr kein Hinweis zur speziellen Anordnung der Bitleitungen mit vergrößertem Abstand zu entnehmen, insbeson-dere, da in dieser Druckschrift im Gegensatz zur Anmeldung die Wortleitungen übereinander aufgebracht werden (vgl. Fig. 4 mit Beschreibung in Spalte 4, Zei-len 18 bis 48).Die integrierte Halbleiterschaltung nach dem geltenden Patentanspruch 1 ist dem-nach patentfähig.- 15 -5. An den geltenden Patentanspruch 1 können sich die darauf direkt oder indirekt zurückbezogenen geltenden Unteransprüche 2 bis 8 anschließen, die vorteilhafte und nicht selbstverständliche Ausführungsarten des DRAMs nach dem Patentan-spruch 1 betreffen.6. In der geltenden Beschreibung ist der Stand der Technik, von dem die Erfin-dung ausgeht, angegeben und die Erfindung anhand der Zeichnung ausreichend erläutert.7. Bei der dargelegten Sachlage war der Beschwerde der Anmelderin stattzu-geben und das Patent wie beantragt zu erteilen.Lokys RichterinDr. Kober-Dehm ist wegen der Abord-nung zum BGH ab 1. Oktober 2009 gehindert zu unter-schreiben.LokysBrandt Dr. FriedrichPr
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