5 Ni 70/09  - 5. Senat (Nichtigkeit)

BPatG 25308.05BUNDESPATENTGERICHTIM NAMEN DES VOLKES5 Ni 70/09(Aktenzeichen)URTEILVerkündet am3. August 2011…In der Patentnichtigkeitssache…betreffend das deutsche Patent 39 28 195- 2 -hat der 5. Senat (Nichtigkeitssenat) des Bundespatentgerichts auf Grund der mündlichen Verhandlung vom 3. August 2011 durch die Richterin Dr. Mittenberger-Huber als Vorsitzende, die Richterin Martens sowie die Richter Dipl.-Ing. Gottstein, Dipl.-Ing. Kleinschmidt und Dipl.-Ing. Musiolfür Recht erkannt:I. Die Klage wird abgewiesen.II. Die Klägerin hat die Kosten des Rechtsstreits zu tragen.III. Das Urteil ist gegen Sicherheitsleistung in Höhe von 120 % des zu vollstreckenden Betrages vorläufig vollstreckbar.T a t b e s t a n dDie Beklagte war eingetragene Inhaberin des nach Klageerhebung durch Zeitab-lauf erloschenen deutschen Patents 39 28 195 (Streitpatent), das am 25. August 1989 beim Deutschen Patent- und Markenamt angemeldet wurde und die Bezeichnung: "Schaltungsanordnung zum schnellen Abschalten eines Leis-tungsschalters" trägt. Das Streitpatent umfasst vier Patentansprüche, von denen die Ansprüche 2 bis 4 auf Anspruch 1 unmittelbar rückbezogen sind, der in der er-teilten Fassung folgenden Wortlaut hat:"1. Schaltungsanordnung, die mit einem Ansteuersignal (3) ange-steuert wird, wobei ein elektronischer Leistungsschalter (1) zum Schalten einer Last vorgesehen ist, der ein sourceseitig mit Bezugspotential und drainseitig mit Last verbundener Feld-effekttransistor ist, dessen Steuerelektrode (5) mit einem Emit-terfolger (4) und einem zweiten, sourceseitig an Bezugspoten-tial angeschlossenen Feldeffekttransistor (9) verbunden ist, und wobei dem Emitterfolger (4) das Ansteuersignal (3) und - 3 -der Steuerelektrode (8) des zweiten Feldeffekttransistors (9) ein invertiertes Ansteuersignal (3') mittels einer Inverterstu-fe (7) zugeführt ist."Die Klägerin, die von der Beklagten wegen Patentverletzung in Anspruch genom-men wird, macht mit ihrer Nichtigkeitsklage geltend, der Gegenstand des Streitpa-tents gehe über den Inhalt der Anmeldung in der Fassung hinaus, in der sie ur-sprünglich beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht worden sei. Der Patentgegenstand sei darüber hinaus weder neu, noch beruhe er auf einer erfin-derischen Tätigkeit.Zum Stand der Technik verweist die Klägerin auf folgende Dokumente:K1 WO 89/06070 A1K2 JP 61-131615 A (mit Abstract in englischer Sprache)K3 TIETZE, U.; SCHENK, Ch.: Halbleiter-Schaltungstechnik, 8. Auflage, 1986, Seite 557K4 Gutachten PD Dr.-Ing. Ulrich Tietze vom 11. Februar 2002K5 TIETZE, U.; SCHENK, Ch. wie K3, Seite 28K7 Wikipedia-Auszug zu FET-Typen.Die Klägerin beantragt,das deutsche Patent 39 28 195 in vollem Umfang für nichtig zu er-klären.Die Beklagte beantragt,die Klage abzuweisen.Sie tritt den Ausführungen der Klägerin in allen Punkten entgegen und hält das Streitpatent in jeder Hinsicht für rechtsbeständig.- 4 -E n t s c h e i d u n g s g r ü n d eDie zulässige Klage ist nicht begründet und abzuweisen, da der Gegenstand des Streitpatents in seiner erteilten Fassung weder über den Inhalt der Anmeldung in der Fassung hinausgeht, in der sie beim Deutschen Patent- und Markenamt ur-sprünglich eingereicht worden ist (§ 22 i. V. m. § 21 Abs. 1 Nr. 4 PatG), noch we-gen fehlender Patentfähigkeit (§ 22 i. V. m. § 21 Abs. 1 Nr. 1 PatG) nicht rechtsbe-ständig ist.I.1. Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor, der als elektronischer Leistungsschalter zum Schalten einer Last dient. Als Leis-tungsschaltern verwendeten Feldeffekttransistoren haftet dabei eine hohe Ein-gangskapazität an, die beim Abschalten entladen werden muss. Soll der Abschalt-vorgang schnell erfolgen, muss die Entladung des bis zur Sättigung betriebenen Leistungsschalters schnell erfolgen.Die Streitpatentschrift verweist eingangs unter Bezugnahme auf die Druckschrift EP 0 239 861 A1 darauf, dass aus diesem Stand der Technik ein MOSFET-Schal-ter mit induktiver Last bekannt sei, bei dem die induktive Last zwischen dem Sour-ceanschluss des Leistungs-MOSFET und Bezugspotenzial läge und zum schnel-len Abbau von in der induktiven Last gespeicherter Energie eine höhere Gegen-spannung als bei einer parallel geschalteten Diode zugelassen sei. Dazu werde ei-ne Reihenschaltung aus einem FET und einer Zenerdiode zwischen der Steuer-elektrode des Leistungs-MOSFET und Bezugspotenzial vorgesehen. Zum Be-schleunigen des Einschaltvorgangs sei zwischen dem Versorgungspotenzial und der Steuerelektrode des Leistungs-MOSFET ein weiterer FET vorhanden (Ab-satz [0002] der Streitpatentschrift).- 5 -Im Übrigen sei aus der Druckschrift WO 89/06070 A1 ein Hybrid-Darlington-Ver-stärker mit hoher Abschaltgeschwindigkeit bekannt, bei dem in einem vorgegebe-nen Zeitintervall nach dem Umschalten des Steuersignals Minoritätsträger in der Basisregion eines als Leistungsschalter verwendeten Bipolartransistors abgeführt werden. Auch werde zur Beschleunigung des Abschaltvorgangs die Gate-Source-Kapazität eines den Eingang des Hybrid-Darlington-Verstärkers bildenden FET mittels eines bipolaren Transistors kurzgeschlossen. Die Steuerelektroden des FET und des bipolaren Transistors seien dabei miteinander verbunden (Ab-satz [0003] der Streitpatentschrift).Demgegenüber soll mit der patentgemäßen Schaltungsanordnung erreicht wer-den, dass der Leistungsschalter ohne zusätzlichen Schaltungsaufwand in kürzes-ter Zeit abgeschaltet werden kann (Absatz [0004] der Patentschrift).Damit richtet sich die Lehre des Streitpatents ihrem Inhalt nach allgemein an einen Elektronikingenieur (analoge Schaltungstechnik) mit Fachhochschulabschluss und mehrjähriger Berufserfahrung im Entwickeln von Leistungsschaltern, namentlich elektronischen Leistungsschaltern. Von einem solchen Fachmann kann erwartet werden, dass er über Kenntnisse bezüglich der spezifischen Schalteigenschaften von Transistoren verfügt und insbesondere die unterschiedlichen Einsatzmöglich-keiten von Bipolar- und Feldeffekttransistoren als Schalter kennt.2. Zur Lösung der Aufgabe, den Leistungsschalter ohne zusätzlichen Schaltungs-aufwand in kürzester Zeit abschalten zu können, ist gemäß dem erteilten Patent-anspruch 1 eine Schaltungsanordnung vorgesehen, dieM1 mit einem Ansteuersignal (3) angesteuert wird,M2 wobei ein elektronischer Leistungsschalter (1) zum Schalten einer Last vorgesehen ist,M3 der ein sourceseitig mit Bezugspotential und drainseitig mit Last verbundener Feldeffekttransistor ist,M4 dessen Steuerelektrode (5) mit einem Emitterfolger (4) und- 6 -M5 einem zweiten, sourceseitig an Bezugspotential angeschlos-senen Feldeffekttransistor (9) verbunden ist, undM6 wobei dem Emitterfolger (4) das Ansteuersignal (3) undM7 der Steuerelektrode (8) des zweiten Feldeffekttransistors (9) ein invertiertes Ansteuersignal (3') mittels einer Inverterstu-fe (7) zugeführt ist.Einige Begriffe bedürfen näherer Erörterung.a) Ein Emitterfolger (Merkmale M4, M6) ist eine Transistorgrundschaltung eines Bipolartransistors, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Kollektor auf einem konstanten Spannungsniveau liegt. In der Schaltung fließt ein kleiner Basis-Emit-ter-Strom und steuert einen größeren Kollektor-Emitter-Strom. Dieser wird vom Ar-beitswiderstand bestimmt; an ihm liegt eine Spannung, die der um die Basis-Emit-ter-Spannung von ca. 0,7 V reduzierten Eingangsspannung entspricht. Die Aus-gangsspannung am Emitter folgt daher annähernd der Eingangsspannung, wes-halb man von einer Emitterfolgerschaltung spricht. Da der Strom durch den Ar-beitswiderstand am Eingang um den Faktor der Stromverstärkung verringert er-scheint, ist die Eingangsimpedanz einer Emitterfolgerschaltung sehr hoch, die Spannungsverstärkung ist etwa eins. Dies macht die Schaltung zu einem Impe-danzwandler.Der Begriff "Emitterfolger" bezeichnet damit eine Transistorgrundschaltung eines Bipolartransistors, die gleichbedeutend auch "Kollektorschaltung" genannt wird. Der Begriff grenzt die Merkmale gegenüber der analogen Grundschaltung mit Feldeffekttransistoren, die als Drainschaltung bzw. Sourcefolger zu bezeichnen wären, und gegenüber der entsprechenden Grundschaltung mit Elektronenröhren, die Kathodenfolger oder Anodenbasisschaltung genannt wird, ab.- 7 -b) Die Angabe "ein invertiertes Ansteuersignal (3’)" (Merkmal M7) bezeichnet ein Signal, das gegenüber dem "Ansteuersignal (3)" gemäß den Merkmalen M1 und M6 invertiert ist. Die Verwendung des unbestimmten Artikels "ein" resultiert rein formell aus der erstmaligen Verwendung des Begriffs "invertiertes Ansteuersignal" im Patentanspruch und kann nicht so verstanden werden, dass es sich dabei um ein beliebiges Ansteuersignal handelt, das nur irgendwie invertiert ist. Dieses Ver-ständnis des Senats ergibt sich aus der Beschreibung und der Zeichnung, aus de-nen sich der unmittelbare Zusammenhang zwischen dem Ansteuersignal und dem invertierten Ansteuersignal eindeutig ergibt. Eine Invertierung setzt immer ein nicht-invertiertes Signal voraus und ein anderes Ansteuersignal als das gemäß der Merkmale M1 und M6 ist weder in der Anmeldung noch in der Patentschrift ange-geben, so dass sich das invertierte Ansteuersignal nur darauf beziehen kann. Ein weiteres Indiz ist das weitgehend übereinstimmend verwendete Bezugszei-chen "3" bzw. "3’".II.1. Der Gegenstand des Streitpatents in der erteilten Fassung geht nicht über den Inhalt der ursprünglichen Anmeldung hinaus.a) Der Patentgegenstand geht nicht dadurch über den Inhalt der ursprünglichen Anmeldung hinaus, dass er eine Schaltungsanordnung, die einen elektronischen Leistungsschalter umfasst, betrifft.Denn neben der ausdrücklichen Offenbarung einer "Schaltung zur Ansteuerung ei-ner elektronischen Leistungsschaltstufe" ist in der ursprünglichen Anmeldung, hier insbesondere in der Figur 1, auch offenbart, dass der als Feldeffekttransistor 1 ausgebildete elektronische Leistungsschalter integraler Bestandteil der erfindungs-gemäßen Schaltungsanordnung ist. Ersichtlich wirken die weiteren Transisto-ren (4, 9) unmittelbar mit dem Leistungsschalter zusammen und machen mit ihm gemeinsam die Gesamtschaltung aus.- 8 -b) Es stellt keine unzulässige Änderung dar, dass beim Patentgegenstand das An-steuersignal die gesamte Schaltungsanordnung ansteuert.Denn es ist für den Fachmann aus den ursprünglichen Unterlagen ohne Weiteres ersichtlich, dass das Ansteuersignal einerseits der Schaltung als Ganzes und an-dererseits speziell über den Emitterfolger auch dem Leistungsschalter zugeführt wird. Dies ergibt sich zur Überzeugung des Senats schon unmittelbar und eindeu-tig aus der ursprünglichen Zeichnung.c) Ebenso wie die Verschaltung des Leistungsschalters ist die Eigenschaft "elek-tronisch" aus der ursprünglichen Zeichnung ersichtlich. Im Übrigen ist im ursprüng-lichen Patentanspruch 1 angegeben, dass es um eine Schaltung zur Ansteuerung eines "elektronischen Leistungsschalters" geht, was sogar entbehrlich wäre, da der Fachmann einen als Leistungsschalter eingesetzten Feldeffekttransistor schon aufgrund des Typus eines Halbleiterbauelements ohne Weiteres als elektroni-schen Leistungsschalter einordnet. Eine unzulässige Erweiterung scheidet auch dadurch aus, dass die in Merkmal M3 vorgenommene Einschränkung auf source-und drainseitige Anschlüsse andere elektronische Leistungsschalter als Feldef-fekttransistoren von vornherein ausschließt.d) Auch mit dem Angriff, es sei nicht ursprungsoffenbart, dass der zweite Feldef-fekttransistor sourceseitig an Bezugspotenzial angeschlossen ist (Merkmal M5), kann die Klägerin nicht durchdringen.Dass der zweite Feldeffekttransistor sourceseitig an Bezugspotenzial angeschlos-sen ist, ergibt sich nämlich für den Fachmann zweifelsfrei aus der ursprünglichen Zeichnung. Die Querstriche unterhalb der Transistoren 9 und 1 bzw. unterhalb der gestrichelt gezeichneten Kapazität 10 können nicht anders denn als Bezugspoten-zial interpretiert werden. Es handelt sich um eine für den Fachmann übliche Dar-stellung eines Bezugspotenzials.- 9 -e) Die unter Punkt I.2.b vorgenommene Auslegung des Begriffs "ein invertiertes Ansteuersignal (3’)" (Merkmal M7) zugrundelegend, kann die Angabe "ein inver-tiertes Ansteuersignal (3’)" gegenüber der ursprünglichen Formulierung "ein zum Ansteuersignal 3 mit Hilfe einer Inverterstufe 7 invertiertes Signal 3’" nicht als un-zulässige Änderung qualifiziert werden, da sie genau denselben Sachverhalt be-zeichnet wie die ursprüngliche Formulierung.f) Die Angabe im Patentanspruch 4, dass der Emitterfolger ein bipolarer Transistor ist, mag zwar ungenau formuliert sein, da ein Emitterfolger eine definierte Ver-schaltung eines Transistors bezeichnet und ein Transistor nur ein Bauelement ist, das Bestandteil einer Schaltung sein kann. Die Formulierung drückt jedoch ledig-lich vereinfacht aus, dass der Emitterfolger einen bipolaren Transistor umfasst. Dies ist letztendlich aber auch nicht anders zu erwarten, weil der in Zusammen-hang mit der speziellen Verschaltung eines Bipolartransistors etablierte Begriff Emitterfolger schon begrifflich stets einen Bipolartransistor umfasst.g) Schließlich ist auch die Angabe "die Steuerelektrode der Leistungsschaltstufe 1 wird über den weiteren Feldeffekttransistor 9 mit Bezugspotential verbunden" nicht zu beanstanden. Dass die Verbindung der Steuerelektrode mit Bezugspotenzial vom Schaltzustand des diese Verbindung herstellenden Feldeffekttransistors ab-hängt, ist für den Fachmann selbstverständlich. Der Fachmann haftet nicht aus-schließlich am Wortlaut, sondern versteht die Aussagen in ihrem Sachzusammen-hang.2. Es konnte nicht festgestellt werden, dass die Erfindung des Streitpatents nach dem Patentanspruch 1 nicht neu ist. Keine der im Verfahren zu berücksichtigen-den Druckschriften nimmt die Schaltungsanordnung mit all ihren Merkmalen vor-weg.- 10 -a) Die Druckschrift WO 89/06070 A1 (K1) offenbart eine von einem Ansteuersig-nal Q (= Ausgangssignal der Schaltsignalquelle 18) angesteuerte Schaltungsan-ordnung (Merkmal M1) mit einem elektronischen Leistungsschalter in Form einer hybriden Transistorschaltung 12 vom Darlington-Typ, die aus einem Feldeffekt-transistor T1 am Eingang und einem Bipolartransistor T2 am Ausgang besteht (Seite 8, Zeilen 20-25), zum Schalten einer Last am Anschluss 14 bzw. 16 (Merk-mal M2). Auf Seite 8, Zeilen 26 bis 30, der Druckschrift K1 ist angegeben, dass der Anschluss 14 bzw. der Anschluss 16 mit einer nicht dargestellten Last verbun-den sein kann, wobei nicht gezeigte erste und zweite Referenzpotenziale vorhan-den sind.In der Schaltung sind elektronische Bauelemente vorgesehen, die ein schnelles Ausschalten der beiden Transistoren T1 und T2 ermöglichen (Seite 9, Zeilen 5-9).Zum schnellen Ausschalten der Transistoren T1 und T2 sind einerseits ein weite-rer Bipolartransistor 20 und andererseits ein weiterer Feldeffekttransistor 22 vorge-sehen, die mit dem Ansteuersignal Q bzw. einem aus dem dazu invertierten Sig-nal Q abgeleiteten Signal angesteuert werden.Der weitere Bipolartransistor 20 schließt zur Beschleunigung des Abschaltvorgang die Gate-Source-Strecke des Transistors T1 kurz (Seite 9, Zeilen 23-26), wodurch die Gate-Source-Kapazität schnell entladen wird (Seite 10, Zeilen 2-6).Der weitere Feldeffekttransistor 22 ist mit der Basis des Bipolartransistors T2 ver-bunden und sourceseitig an Bezugspotenzial angeschlossen (Merkmal M5). Beim Ausschalten verbindet der weitere Feldeffekttransistor 22 die Basis des Bipolar-transistors T2 mit dem Bezugspotenzial, um die Minoritätsladungsträger aus der Basis abzuleiten. Die Ansteuerung erfolgt mit einem aus dem invertierten Sig-nal Q abgeleiteten Signal, das gegenüber dem Signal Q zeitversetzt ist (Seite 11, Zeile 1 bis Seite 12, Zeile 5; Merkmal M7).- 11 -Damit arbeiten die beiden weiteren Transistoren 20 und 22 jeweils mit nur einem der beiden Transistoren T1 und T2 der Darlington-Schaltung zusammen.In der Druckschrift K1 ist weiter angegeben, dass die Typen der in der Schaltung enthaltenen Feldeffekt- und Bipolartransistoren auch geändert werden können, oh-ne von der Erfindung abzuweichen (Seite 9, Zeilen 10-16: "…the type of field ef-fect transistors and bipolar transistors may be changed from the illustrated ele-ments without departing from the invention."). Diese Angabe in der Druckschrift K1kann jedoch im Kontext der gesamten Druckschrift nur dahingehend verstanden werden, dass damit die Möglichkeit des Austauschs eines konkreten Bauelements gegen ein anderes innerhalb der jeweiligen Transistorfamilie offenbart ist. Ein Wechsel von Bipolartransistor zu Feldeffekttransistor oder umgekehrt ist von der genannten Textstelle weder umfasst noch wird sie vom Fachmann so verstanden, da er aufgrund eines damit verbundenen strukturären Wechsels des Halbleiterauf-baus und der daraus resultierenden unterschiedlichen elektrophysikalischen Ei-genschaften eine derartige Vorgehensweise von vornherein nicht in Erwägung zie-hen wird. Dies ergibt sich zur Überzeugung des Senats unter anderem aus der zentralen Aussage in der Druckschrift K1, dass diese die Ansteuerung eines Leis-tungstransistors vom Darlington-Typ betrifft, der eingangsseitig einen Feldeffekt-transistor und ausgangsseitig einen Bipolartransistor aufweist (vgl. Seite 1, Zei-len 3-5). Ein Wechsel von Bipolartransistor zu Feldeffekttransistor und/oder umge-kehrt würde die Erfindung gänzlich verlassen.Somit unterscheidet sich der Streitgegenstand vom Gegenstand der Druck-schrift K1 zumindest dadurch, dass der Leistungsschalter ein Feldeffekttransistor ist (Merkmal M3), dessen Steuerelektrode mit einem Emitterfolger verbunden ist (Merkmal M4).- 12 -b) Das englischsprachige Abstract der Druckschrift JP 61-131615 A (K2) zeigt ei-ne Schaltungsanordnung, die mit einem Ansteuersignal (oscillator 1) angesteuert wird (Merkmal M1), wobei ein elektronischer Leistungsschalter (MOSFET 7) zum Schalten einer Last (output transformator 8) vorgesehen ist (Merkmal M2). Der Leistungsschalter ist ein sourceseitig mit Bezugspotenzial und drainseitig mit der Last verbundener Feldeffekttransistor (MOSFET 7; Merkmal M3). Die Steuerelek-trode des Feldeffekttransistors ist mit einem Emitterfolger (transistor 2) verbunden, wenn der Kondensator 4 – was in dem Abstract ausdrücklich vorgesehen ist –nicht vorhanden ist (Merkmal M4). Dem Emitterfolger wird das Ansteuersignal (vom Oszillator 1) zugeführt (Merkmal M6).Von diesem Stand der Technik unterscheidet sich der Streitgegenstand jedenfalls dadurch, dass ein zweiter, sourceseitig an Bezugspotenzial geschlossener Feldef-fekttransistor mit der Steuerelektrode des Leistungsschalters verbunden ist.c) Abbildung 18.67 aus dem Buch von Tietze/Schenk (K3) zeigt eine Schaltungs-anordnung, die mit einem Ansteuersignal Ue angesteuert wird (Merkmal M1), wo-bei ein elektronischer Leistungsschalter T1 zum Schalten einer Last Rv vorgesehen ist (Merkmal M2), der ein sourceseitig mit Bezugspotenzial und drainseitig mit der Last Rv verbundener Feldeffekttransistor ist (Merkmal M3). Die Steuerelektrode des Feldeffekttransistors T1 ist mit einem Emitterfolger T2 verbunden (Merk-mal M4). Außerdem ist die Steuerelektrode des Feldeffekttransistors T1 mit einem emitterseitig an Bezugspotenzial angeschlossenen Bipolartransistor T3 verbunden (Merkmal M5teilweise, soweit die Steuerelektrode überhaupt mit einem Transistor verbunden ist und dieser an Bezugspotenzial angeschlossen ist). Der Transis-tor T3 bewirkt beim Ausschalten des Leistungsschalters T1 einen Kurzschluss der Gate-Source-Kapazität des Leistungsschalters T1 und ermöglicht so deren schnel-le Entladung. Funktionell besteht insoweit Übereinstimmung mit dem streitpatent-gemäßen zweiten Feldeffekttransistor 9. Einerseits wird das Ansteuersignal Ueüber den Kollektor des Transistors T4 dem Emitterfolger T2 zugeführt. Diese Art der Zuführung bewirkt, dass das Ansteuersignal dem Emitterfolger nicht direkt, sondern im ausgeschalteten Zustand des Transistors T4 invertiert zugeführt wird - 13 -(Merkmal M6teilweise). Andererseits wird das Ansteuersignal Ue über den Emitter des Transistors T4 dem Transistor T3 zugeführt, und zwar unmittelbar (Merk-mal M7teilweise).Von dem so bekannten Stand der Technik unterscheidet sich der Streitgegenstand jedenfalls wiederum dadurch, dass ein zweiter, sourceseitig an Bezugspotenzial angeschlossener Feldeffekttransistor mit der Steuerelektrode des Leistungsschal-ter verbunden ist (Merkmal M5Rest).3. Die Klägerin konnte den Senat auch nicht davon überzeugen, dass das Streit-patent in der erteilten Fassung nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit beruht.Zur Beschleunigung des Abschaltvorgangs am Gate-Anschluss des Feldeffekt-transistors sowohl einen Emitterfolger als auch einen weiteren Feldeffekttransistor vorzusehen, liegt für den Fachmann ausgehend vom nachgewiesenen Stand der Technik nicht auf der Hand. Gemäß der Druckschrift K1 sind zwar rein formell ein Emitterfolger und ein weiterer Feldeffekttransistor vorgesehen, diese arbeiten aber jeweils getrennt auf je einen der beiden Transistoren T1 und T2 der Darlington-Schaltung 12 als kurzschließendes Element am Eingang. Für den Übergang von der hybriden Darlington-Schaltung zu einem FET-Leistungsschalter, dessen Kon-sequenzen für die Beschaltung mit dem Emitterfolger und dem weiteren Feldef-fekttransistor nicht ohne Weiteres auf der Hand liegen, bietet der Stand der Tech-nik keine Anregung. Hier wäre weiterer Entwicklungsaufwand erforderlich, um zum Patentgegenstand zu gelangen.Auch ausgehend von der Lehre der Druckschrift K2 liegt der Patentgegenstand nicht nahe. Denn zur Beschleunigung der Entladung der Gate-Source-Strecke ei-nen weiteren Feldeffekttransistor vorzusehen, ist durch nichts angeregt. Der Fach-mann müsste nämlich zunächst in völliger Abkehr von dem erfinderischen Gedan-ken der Druckschrift K2, einen Kondensator 4 zum Schutz des Transistors vorzu-sehen, den Kondensator entfernen und dann den weiteren Feldeffekttransistor vorsehen und so schalten, dass er mit dem invertierten Signal Q beaufschlagt - 14 -wird. Dies liegt außerhalb des Griffbereichs des Fachmanns. Insbesondere bietet auch die zum Wissen des Fachmanns gehörende Druckschrift K1 wegen des völ-lig anderen Konzepts mit einem Darlington-Transistor keine Anregung in Richtung auf den Patentgegenstand.Geht man von der Schaltung gemäß der Druckschrift K3 aus, so mag sich die pa-tentgemäße Schaltung auf den ersten Blick von der dort offenbarten Lösung ledig-lich dadurch unterscheiden, dass anstelle des Bipolartransistors T3 ein Feldeffekt-transistor vorgesehen ist. Der Fachmann erkennt jedoch, dass - abgesehen von der Verschiedenheit der Ansteuersignale des Emitterfolgers und des zweiten Tran-sistors – von besonderer Bedeutung ist, dass die Transistoren T2, T3 und T4 vom gleichen, nämlich bipolaren Typ sind, so dass sie auf einfache Weise integrations-fähig sind. Gerade auf diesen Umstand weist die Druckschrift K3 ausdrücklich hin, indem sie ausführt, dass die sogenannte "Totem-Pole-Endstufe" bevorzugt für in monolithischer Technik realisierte Treiber verwendet wird (Seite 557, letzter voll-ständiger Satz). Von einem Wechsel eines der Transistoren (T3) in einen Feldef-fekttransistor ist der Fachmann dann jedenfalls abgehalten.Im Übrigen scheidet ein einfacher Austausch des Bipolartransistors T3 gegen ei-nen Feldeffekttransistor für den Fachmann auch schaltungstechnisch aus, da - oh-ne weitere aufwändige Änderungen an der Schaltung vorzunehmen – die Schal-tung nach einem Austausch nicht mehr funktionstüchtig wäre. Der Transistor T2ließe sich – wie von der Beklagten in der mündlichen Verhandlung überzeugend vorgetragen – nicht abschalten.Auch der weitere von der Klägerin angezogene Stand der Technik steht der Pa-tentfähigkeit des Gegenstandes des Streitpatents nicht entgegen.4. Der Streitgegenstand erfüllt – von der Klägerin unbestritten – auch alle anderen Patentierungsvoraussetzungen.- 15 -III.Die Kostenentscheidung beruht auf § 84 Abs. 2 PatG i. V. m. § 91 Abs. 1 ZPO, die Entscheidung über die vorläufige Vollstreckbarkeit auf § 99 Abs. 1 PatG i. V. m. § 709 ZPO.Dr. Mittenberger-Huber Martens Gottstein Kleinschmidt MusiolPü

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