Verordnung (EWG) Nr. 3841/86 des Rates vom 8. Dezember 1986 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren

20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 1
I
(Veröffentlichungsbedürftige Rechtsakte)
VERORDNUNG (EWG) Nr. 3841 / 86 DES RATES
vom 8 . Dezember 1986
zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige
industrielle Waren
DER RAT DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN —
gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen
Wirtschaftsgemeinschaft , insbesondere auf Artikel 28 ,
nach Kenntnisnahme von dem Verordnungsentwurf der
Kommission ,
in Erwägung nachstehender Gründe :
Die in dieser Verordnung genannten Waren werden in der
Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in unzureichender
Menge hergestellt . Die Hersteller können somit den Bedarf
der verarbeitenden Industrien der Gemeinschaft nicht
decken .
Es liegt im Interesse der Gemeinschaft , die autonomen
Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in bestimmten Fällen ,
in denen insbesondere eine Gemeinschaftsproduktion dieser
Waren besteht , nur teilweise und in den anderen Fällen
vollständig auszusetzen .
Da es schwierig ist , die kurzfristige Entwicklung der wirt­
schaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten genau zu
beurteilen , sollten die Aussetzungen nur zeitweilig erfolgen ,
wobei ihre Gültigkeitsdauer entsprechend den Interessen der
Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist —
HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN:
Artikel 1
Die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs wer­
den für die in den Tabellen im Anhang aufgeführten Waren
bis zu der jeweils angegebenen Höhe ausgesetzt .
Diese Aussetzungen gelten
— vom 1 . Januar 1987 bis zum 31 . März 1987 für die in
Tabelle I aufgeführten Waren ;
— vom 1 . Januar 1987 bis zum 30 . Juni 1987 für die in
Tabelle II aufgeführten Waren .
Artikel 2
Diese Verordnung tritt am 1 . Januar 1987 in Kraft .
Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem
Mitgliedstaat .
Geschehen zu Brüssel am 8 . Dezember 1986 .
Im Namen des Rates
Der Präsident
N. LAWSON
Nr . L 362 / 2 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
ANHANG
TABELLE I
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
o//o
ex 38.19 X Zubereitung auf der Grundlage von Asphaltsulfonaten der Alkalimetalle , mit einer Dichte von
nicht weniger als 1 ,2 und nicht mehr als 1 ,5 und einer Wasserlöslichkeit von 70 Gewichts­
hundertteilen oder mehr
Platten aus einem Mischpolymerisat aus Maleinsäureanhydrid und Styrol , beidseitig versehen
mit einer Folie aus dem genannten Mischpolymerisat , modifiziert mit einem Styrol-Buta­
dien-Blockmischpolymerisat , auch pigmentiert
Polyvinylalkoholfolien , die sich in Wasser bei einer Temperatur von 20 °C auflösen
Hafnium , roh , mit einem Reinheitsgrad von 95 Gewichtshundertteilen oder mehr und einem
Gehalt an Zirkonium von nicht mehr als 4,5 Gewichtshundertteilen
0
0
0
0
ex 39.02 C VI b )
ex 39.02 C XI
ex 81.04 F I
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 3
TABELLE II
Nummer des
jemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
Mineralöl mit einem Gehalt an aromatischen Bestandteilen von mehr als 60 Gewichtshundert-
teilen und an Schwefel von weniger als 0,8 Gewichtshundertteilen , von dem bei der Destillation
bis 250 °C nicht mehr als 15 Raumhundertteile übergehen , zum Herstellen von Nadel­
koks ( a )
Synthetisches Paraffin mit einem Molekulargewicht von nicht weniger als 460 und nicht mehr
als 1 560
Aluminiumhydroxidoxid in Form des Pseudo-Böhmits
Banumtitanat mit einem Gehalt an Eisen von nicht mehr als 0,05 Gewichtshundertteilen
Lanthanbromidoxid
Hexafluorpropen
Dibrommethan
1 ,6,7,8,9,14,15,16,17,17,18,18-Dodecachlorpentracyclo [ 12.2.-1 .1 . 6,9 .02 ' 13 .05 ' 10] octade­
ca-7,15-dien , zur Verwendung bei der Herstellung von Polyäthylen oder synthetischem
Kautschuk ( a )
Athansulfonylchlorid
1 ,2-Epoxybutan
1 ,2-Epoxy-4-(epoxyäthyl)cyclohexan
ex 27.07 G II
3
ex 27.13 B II
ex 28.20 A
ex 28.47 F
ex 28.52 B
ex 29.02 A I
ex 29.02 A III
ex 29.02 B
ex 29.03 C I
ex 29.09 B
ex 29.09 B
ex 29.09 B
ex 29.14 A XI
ex 29.14 B I
ex 29.14 D IV
ex 29.16 D
ex 29.25 B II c
ex 29.26 A I
ex 29.31 B
ex 29.35 Q
ex 29.35 Q
ex 29.35 Q
ex 29.35 Q
0
0
4
0
0
0
3
0
3
0
0
0
0
0
0
5
0
0
0
4
0
0
0
2,3-Epoxypropan-l-ol (Glycidol )
Trimethylorthoacetat
2 ,3-Epoxypropylmethacrylat
Methyl-3-chlorbenzoat
Methyl-5-(2,4-dichlorphenoxy)-2-nitrobenzoat
Barbitursäure
1 ,2-Benzisothiazol-3-on-l , 1-dioxid(o-Benzoesäuresulfimid , Saccharin ) und sein Natriumsalz
3 ,3-Dimethyl- 1 -methylthiobutanonoxim
Zotepin ( INN )
Ofloxacin ( INN )
3'-Chlor-6'-cyclohexylaminospiro [isobenzofuran-l(3H), 9'-xanthen]-3-on
6'-(N-Äthyl-p-toluidin)-2'-(N-methylanilin)spiro [isobenzofuran-l(3H),9'-xanthen]-3-on
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
Nr . L 362 / 4 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
Carteolol-Hydrochlorid ( INNM )
Methylprednisolon ( INN ) und seine Salze und Ester
Vancomycin ( INN ) und seine Salze und Ester
Anorganische Farbmittelzubereitungen im Sinne der Vorschrift 3 zu Kapitel 32 in Hohlkugeln
aus Polyurethan mit einem Durchmesser von weniger als 200 Mikrometer
Mit einem Gehalt von 48 Gewichtshundertteilen oder mehr in N, N-Dimethylacetamid gelöstes
Polyurethan aus 2,2,'-(terf-Butylimino ) diäthanol und 4,4'-Methylendicyclohexyldiisocyanat
Mit einem Anteil von 48 Gewichtshundertteilen oder mehr in N, N-Dimethylacetamid gelöstes
Mischpolymerisat aus p-Kresol und Divinylbenzol
Wässerige Lösung mit einem Gehalt an Dinatriumalkyl [oxydi ( benzolsulfonat )] von nicht
weniger als 30 und nicht mehr als 50 Gewichtshundertteilen
Aspergillus-Alkalin-Proteinase
Unsteriles Blutserum , gewonnen aus dem Blut von Rinderföten oder nicht immunisierten
neugeborenen Kälbern
ex 29.35 Q
ex 29.39 D II
ex 29.44 C und
ex 30.03 A II b )
ex 32.07 B
ex 32.09 A II und
ex 39.01 C V
ex 32.09 A II und
ex 39.02 C XIV a )
ex 34.02
ex 35.07
ex 38.16
ex 38.19 E
ex 38.19 G
ex 38.19 G
ex 38.19 G
:x 38.19 G
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Monoalkylbenzol-Gemische aus der Alkylierung von Benzol mit Polyalkenen , mit einem
mittleren Molekulargewicht von nicht weniger als 680 und nicht mehr als 820
Katalysator in Form von Pulver , aus einer auf einem Träger aus Siliciumdioxid fixierten
Mischung von Titan-, Magnesium- und Aluminiumverbindungen , mit
— nicht weniger als 3 und nicht mehr als 6 Gewichtshundertteilen Titan ,
— nicht weniger als 2 und nicht mehr als 3 Gewichtshundertteilen Magnesium ,
— nicht weniger als 0,3 und nicht mehr als 0,5 Gewichtshundertteilen Aluminium ,
zur Verwendung beim Herstellen von Polyäthylen mit einer Dichte von nicht weniger als
0,935 ( a )
Katalysator , bestehend aus einer Mischung von Titan-, Magnesium- und Aluminiumverbin­
dungen , mit
— nicht weniger als 3 und nicht mehr als 6 Gewichtshundertteilen Titan ,
— nicht weniger als 1,5 und nicht mehr als 3 Gewichtshundertteilen Magnesium ,
— nicht weniger als 0,3 und nicht mehr als 0,5 Gewichtshundertteilen Aluminium ,
in Hexan suspendiert , zur Verwendung beim Herstellen von Polyäthylen mit einer Dichte von
nicht weniger als 0,930 ( a )
Katalysatoren , aus einer Suspension von Dialkyldimethylammoniumacetat (Kettenlänge der
Alkylreste 16 und 18 Kohlenstoffatome) in einem organischen Lösungsmittel bestehend , mit
einem Gehalt an Dialkyldimethylammoniumacetat von mindestens 40 Gewichtshundert­
teilen
Katalysator in Form von Körnern oder Ringen mit einem Durchmesser von nicht weniger als
3 und nicht mehr als 10 mm , auf Aluminiumoxid fixiert , mit einem Gehalt an Silber von nicht
weniger als 8 und nicht mehr als 20 Gewichtshundertteilen
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 5
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
Dotierte Silicium-Scheiben in Czochralski-Technik hergestellt , mit einem Durchmesser von
70 mm oder mehr , nicht poliert , mit einem Anteil an Sauerstoffatomen von 5 X 10 I7 / cm3 oder
mehr
Mit einem Gehalt von nicht weniger als 35 und nicht mehr als 40 Gewichtshundertteilen in
Dichlormethan gelöstes Aldicarb ( ISO )
Einseitig metallbedampfte , in der Masse gefärbte Polyesterfolien mit einer Dicke von nicht mehr
als 25 Mikrometer
Polykondensationserzeugnis aus Terephthalsäure mit einer Mischung aus Cyclohex-1 ,4-ylen­
dimethanol und Äthan- 1 ,2-diol , in Form von Folien
Polyesterfolien mit einer Dicke von nicht mehr als 70 Mikrometer , einseitig beschichtet mit
einer Substanz , die sich beim Erhitzen auf nicht mehr als 100 °C unter Einwirkung von
Salicylsäure verfärbt
Polyesterfolien mit einer Dicke von nicht mehr als 10 Mikrometer , einseitig beschichtet mit
Salicylsäure
Polykondensationserzeugnis aus Terephtalsäure mit einer Mischung aus Cyclohex-l,4-ylendi­
methanol und Äthan-1 ,2-diol , in Formen im Sinne der Vorschrift 3 b ) zu Kapitel 39
Blätter aus mikroporigem Polyurethan mit eingebetteten Polyamid-Fasern , mit einer Dicke
von nicht weniger als 0,5 und nicht mehr als 1,5 mm , zum Herstellen von Ledernach­
ahmungen ( a )
Polyäthylen in Formen im Sinne der Vorschrift 3 b ) zu Kapitel 39 , mit einer Dichte von nicht
weniger als 0,958 bei 23 °C und einem Gehalt von nicht mehr als
— 50 ppm Aluminium ,
— 2 ppm Calcium ,
— 2 ppm Chrom ,
— 2 ppm Eisen ,
— 2 ppm Nickel ,
— 2 ppm Titan ,
— 8 ppm Vanadium ,
zum Herstellen von chlorsulfoniertem Polyäthylen ( a )
Polyäthylen mit einer Dichte von nicht weniger als 0,945 und nicht mehr als 0,985 , in Formen
im Sinne der Vorschrift 3 b ) zu Kapitel 39 , zum Herstellen von Farbbändern für Schreibma­
schinen und ähnlichen Farbbändern ( a )
A-B-A-Blockmischpolymerisat aus Polystyrol , Äthylen-Butylen-Mischpolymerisat und Poly­
styrol , mit einem Gehalt an Styrol von nicht mehr als 35 Gewichtshundertteilen , in Formen im
Sinne der Vorschrift 3 b ) zu Kapitel 39
Polyvinylbutyralfolien mit Farbkeilband
Bromiertes Polystyrol mit einem Gehalt an Brom von nicht weniger als 58 und nicht mehr als 71
Gewichtshundertteilen , in Formen im Sinne der Vorschrift 3 b ) zu Kapitel 39
Ionomeres Harz , bestehend aus einem Salz eines Äthylen-Methacrylsäure-Mischpolymeri­
ex 38.19 S
ex 38.19 X
ex 39.01 C III a )
ex 39.01 C III a )
ex 39.01 C III a )
ex 39.01 C III a )
ex 39.01 C III b )
ex 39.01 C V
ex 39.02 C I a )
ex 39.02 C I a )
ex 39.02 C VI a )
ex 39.02 C XI
ex 39.02 C XIV a )
ex 39.02 C XIV a )
;x 39.02 C XIV a)
0
0
6
0
0
0
0
6,9
0
0
0
6
0
0
0
sats
Ionomeres Harz , bestehend aus einem Salz eines Äthylen-Isobutylacrylat-Methacrylsäure­
Mischpolymerisats
> a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
Nr . L 362 / 6 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
Mischpolymerisat aus Acrylsäure und Alkylmethacrylat mit geringen Mengen eines anderen
Monomeren , zur Verwendung als Verdickungsmittel beim Herstellen von Druckpasten für den
Textildruck ( a )
Athylen-Acrylsäure- oder Äthylen-Methacrylsäure-Mischpolymerisat in Formen im Sinne der
Vorschrift 3 b ) zu Kapitel 39 , mit einem Gehalt an Acrylsäure oder Methacrylsäure von nicht
weniger als 16 und nicht mehr als 30 Gewichtshundertteilen
Polymerisationserzeugnis aus Acrylsäure und geringen Mengen eines mehrfach ungesättigten
Monomeren , bestimmt zur Verwendung als Stabilisierungsmittel in Emulsionen oder Disper­
sionen mit einem pH-Wert von mehr als 13 ( a )
Folien aus einer Mischung von Polyvinylidenfluorid und einem Acrylpolymer mit einer Dicke
von nicht weniger als 40 und nicht mehr als 60 Mikrometer
Platten aus einem Äthylen-Chlortrifluoräthylen-Mischpolymerisat mit einer Dicke von nicht
weniger als 1 und nicht mehr als 3 mm , auch auf einer Seite mit einem Glasfasergewebe
versehen
Folien aus einem Mischpolymerisat aus Äthylen und Chlortrifluoräthylen mit einer Dicke von
nicht weniger als 12 und nicht mehr als 400 Mikrometer
Folien aus einem Äthylen-Methylacrylat-Mischpolymerisat mit einer Dicke von nicht mehr als
0,05 mm, zum Herstellen von Einmal-Handschuhen für medizinische Zwecke ( a )
Äthylhydroxyäthylzellulose , in Wasser nicht löslich
Hydroxypropylzellulose
ex 39.02 C XIV a )
ex 39.02 C XIV a )
ex 39.02 C XIV a )
ex 39.02 C XIV b)
ex 39.02 C XIV b)
ex 39.02 C XIV b)
ex 39.02 C XIV b)
ex 39.03 B V a ) 2
ex 39.03 B V a ) 2
ex 51.01 A
ex 51.02 A I
ex 56.01 A
ex 59.03 B
ex 59.17 A
ex 70.07
ex 70.11
ex 70.11
0
0
6
0
0
0
6
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Texturiertes Polypropylengarn mit wasserabweisender Imprägnierung auf Siliconbasis
Monofile aus Polytetrafluoräthylen
Acetalisierte Mehrkomponenten-Spinnfasern mit Matrixfibrillenstruktur , bestehend aus emul­
sionspolymerisiertem Polyvinylalkohol und Polyvinylchlorid
Vliesstoffe aus Polyvinylalkohol , mit einer Dicke von nicht weniger als 200 und nicht mehr als
280 Mikrometer und einem Quadratmetergewicht von nicht weniger als 20 und nicht mehr als
50 g , als Meterware oder nur quadratisch oder rechteckig zugeschnitten , auch getränkt oder
bestrichen
Nadelfilze aus synthetischen Spinnstoffen mit einem Grundgewebe aus synthetischen Spinn­
stoffen , auf einer Seite mit einem Polytetrafluoräthylenfilm versehen , zum Herstellen von
Filtermaterial ( a )
Plane , bleihaltige Flachglasscheiben , geschliffen und poliert , mit bearbeiteten Kanten , mit
— einer Dicke von nicht weniger als 3,5 und nicht mehr als 5 mm,
— einem Durchmesser von nicht weniger als 135 und nicht mehr als 140 mm,
— einer Dichte von 2,88 oder mehr und
— einer Lichtdurchlässigkeit von 87 % oder mehr bei Wellenlängen von nicht weniger als 450
und nicht mehr als 800 Nanometern , zum Einbau in Videoprojektoren (a )
Bildschirme , ganz aus Glas , mit einer Diagonalen von nicht mehr als 61 cm , mit aufgeworfenem
Rand , zum Herstellen von monochromen Kathodenstrahlröhren ( a )
Konen mit profiliertem Rand und einer Diagonalen von nicht mehr als 61 cm , zum Herstellen
von monochromen Kathodenstrahlröhren ( a )
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr. L 362 / 7
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 81.04 D I b )
0
ex 84.18 C II b )
0
ex 84.18 C II b )
0
ex 84.53 B
1
ex 84.55 C
Elektrolytisch gewonnenes Chrom , in Form von Kathodenplättchen , Briketts oder Pellets , mit
einem Gesamtgehalt an Sauerstoff von nicht mehr als 0,10 Gewichtshundertteilen , einem
Gesamtgehalt an Aluminium von nicht mehr als 0,015 Gewichtshundertteilen und einem
Gehalt an in siedender 5 n Salzsäure und in siedender , rauchender Perchlorsäure unlöslichen
und als Aluminium berechneten Aluminiumverbindungen von nicht mehr als 0,001 Gewichts­
hundertteilen zur Herstellung von einer Legierung für den Bau von folgenden Teilen von
Gasturbinen oder Strahltriebwerken ( a ):
— feststehende oder bewegliche Schaufelräder , einschließlich ihrer Ringe ,
— Klappen ,
— Düsen
Teile von Apparaten zum katalytischen Umwandeln von Stickstoffoxiden in Stickstoff und
Wasser , bestehend aus in Wabenstruktur geformten und gebrannten Einheiten aus einer
Mischung von Vanadiumoxiden oder Vanadiumsulfaten und Titandioxid oder Bariumsulfat
oder von Vanadiumoxid , Titandioxid und Wolframoxid , in einem Rahmengestell aus
Metall
Teile von Apparaten zum katalytischen Umwandeln von Stickstoffoxiden in Stickstoff und
Wasser , bestehend aus mit einer Mischung von Vanadium-, Titan- und Molybdänoxiden
beschichteten perforierten Platten , in einem Rahmengestell aus Metall
Optische Schriftleser zum Abtasten von Punktmatrixzeichen und zum Umwandeln der
Leseimpulse in elektrische Signale , bestehend aus einem Lesekopf mit Photosensor , einem
Verstärker , einer Linse und zwei Lampen , über Flachkabel verbunden mit einer gedruckten
Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 200x220 mm, die mindestens einen
Mikroprozessor , eine Bilderkennungsschaltung und einen Analog-Digital-Wandler enthält .
Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15x90x280 mm —
ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen —, bestehend aus einer zwischen zwei Glas­
platten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 30 720 Punkten ( angeordnet in 64 Zeilen
und 480 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und
Kontrolle , auch mit Leitungen und Anschlußstücken
Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15 x 75 x 186 mm, bestehend
aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 15 360 Punkten
( angeordnet in 64 Zeilen und 240 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen
Bauelementen in C-MOS-Technik , und mit nicht mehr als 544 Kontaktflächen
Magnetköpfe in Winchester- oder Dünnfilmtechnik für periphere Magnetplatten-Speicherein­
heiten , mit einer Aufzeichnungsdichte von nicht weniger als 10 Spuren je mm , auch auf
Trägerarmen
Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen , die einen programmierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM) mit einer Gesamtspeicherkapazität von
256 Kbit bildet und aus einem mehrlagigen Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 39 mm besteht , auf dem angebracht sind :
— zwei programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs), in Form von
monolithischen integrierten Schaltungen , mit einer Speicherkapazität von jeweils 128 Kbit
und je einem Quarzfenster auf der Oberseite ,
— ein Decoder in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
— ein Entkopplungskondensator ,
— zwei Widerstände .
Die Baugruppe trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/ Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält
EDH 7832 MM-30
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher-Baugruppen der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
0
ex 84.55 C
0
ex 84.55 C
0
ex 84.55 C
l
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen ,
Nr . L 362 / 8 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 84.55 C
2
Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen , die einen programmierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM) mit einer Gesamtspeicherkapazität von
256 Kbit bildet und aus einem mehrlagigen Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 39 mm besteht , auf dem angebracht sind :
— vier programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs), in Form von
monolithischen integrierten Schaltungen mit einer Speicherkapazität von jeweils 64 Kbit
und je einem Quarzfenster auf der Oberseite ,
ein Decoder in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
— ein Entkopplungskondensator .
Die Baugruppe trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
EDH 7832 MC-35
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher-Baugruppen der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen , die einen statischen Schreib­
Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik ( sogenannter C-MOS-RAM , statisch )
mit einer Gesamtspeicherkapazität von 32 Kbit bildet und aus einem mehrlagigen Substrat mit
den Abmessungen von nicht mehr als 17x39 mm besteht , auf dem angebracht sind :
— zwei statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt
( sogenannte C-MOS-RAMs , statisch ), in Form von monolithischen integrierten Schaltun­
gen , mit einer Speicherkapazität von jeweils 16 Kbit ,
— ein Decoder in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
— ein Entkoppelungskondensator .
Die Baugruppe hat nicht mehr als 28 Anschlußstifte und trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
EDH-8804 C-20
EDH 8804 CL-20
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
ex 84.55 C
2
ex 84.55 C Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen , die einen statischen Schreib­
Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik (sogenannter C-MOS-RAM , statisch )
mit einer Gesamtspeicherkapazität von 64 Kbit bildet und aus einem mehrlagigen Substrat mit
den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm besteht , auf dem angebracht sind :
— vier statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt
( sogenannte C-MOS-RAMs , statisch ), in Form von monolithischen integrierten Schaltun­
gen mit einer Speicherkapazität von jeweils 16 Kbit ,
— ein Decoder in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
— ein Entkopplungskondensator .
Die Baugruppe hat nicht mehr als 28 Anschlußstifte und trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
EDH 8808 B-20
EDH 8808 C-10
EDH 8808 C-12
EDH 8808 C-15
EDH 8808 C-20
EDH 8808 CL-15
EDH 8808 CL-20
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht . 2
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 9
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
o//o
ex 84.55 C Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen , die einen programmierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit
und einen statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik ( soge­
nannter C-MOS-RAMs , statisch ) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 32 Kbit bildet und aus
einem mehrlagigen Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm besteht , auf
dem angebracht sind :
— ein programmierbarer UV-löschbarer Lesespeicher ( sogenannter EPROM) mit einer
Speicherkapazität von 64 Kbit und einem Quarzfenster auf der Oberseite ,
— zwei statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt
( sogenannte C-MOS-RAMs , statisch ), in Form von monolithischen integrierten Schaltun­
gen mit einer Speicherkapazität von jeweils 16 Kbit ,
— ein Decoder in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
— ein Entkopplungskondensator ,
— zwei Widerstände .
Die Baugruppe hat nicht mehr als 28 Anschlußstifte und trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
EDH 90804 BS-25 ( 15 )
EDH 90804 BS-30 ( 20 )
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Baugruppen der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 2
ex 84.55 C Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen , bestehend aus 2 übereinander
angeordneten Substratebenen mit 1 oder 2 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem
Zugriff in bipolarer Technik hergestellt ( sogenannte bipolare RAMs , statisch), in Form von
monolithischen integrierten Schaltungen , mit einer Speicherkapazität von jeweils 1 Kbit und
einer Gesamtspeicherkapazität von nicht mehr als 4 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
23 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13x13 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
770965
4599497
7379442
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht . 0
ex 84.55 C Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen , die einen 32-bit-Mikroprozessor
in C-MOS-Technik bildet und aus zwei getrennten Chips auf einem Substrat mit den
Abmessungen von nicht mehr als 16x55 mm besteht , auf dem angebracht sind :
— eine Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit / CPU),
— eine Speichereinheit .
Die Baugruppe hat nicht mehr als 60 Anschlußstifte und trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
57-00000
57-19400
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Baugruppen der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 84.55 C Magnetblasenspeicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 Megabit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von
nicht mehr als 43 x 44 mm .
Nr . L 362 / 10 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20. 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
O/
/O
ex 84.55 C
(Fortsetzung)
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
FBM 64 DAMBM 2011
MBM 2256
FBM 54 DB
BDL 0133
BDL 0134
BDN 0151
oder
7110
7114-1
ex 84.55 C
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Magnetblasenspeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Arithmetisches logisches Element für die Zentraleinheit , bestehend aus nicht mehr als neun
gedruckten Schaltungen mit den Abmessungen von nicht mehr als 290x310 mm , jeweils
bestückt mit nicht mehr als 121 ECL-Gate Arrays oder ECL-Schreib-Lesespeichern mit
wahlfreiem Zugriff ( sogenannte ECL-RAMs) oder einer Kombination von beiden , die sich in
einem Gestell mit den Abmessungen von nicht mehr als 501 x 596 x 611 mm befinden , das als
Halterung und Verbindungsleiter für die gedruckten Schaltungen dient .
Das Element trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstaben­
kombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
COIB 2675 E 500
GOIB 2675 H 500
COIB 2675 H 501
COIB 2675 H 502
COIB 2675 H 503
COIB 2675 H 504
oder
ex 84.55 C
0
0
0
0
0
0
0
ex 84.55 C
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf arithmetische logische Elemente der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15x115x290 mm -
ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen — bestehend aus einer zwischen zwei Glasplat­
ten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 128 000 Punkten ( angeordnet in 200 Zeilen und
640 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und
Kontrolle , auch mit Leitungen und Anschlußstücken
Speichereinheit für elektronische Schreibmaschinen , bestehend aus einer gedruckten Schaltung
mit 2 oder 4 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte RAMs ,
statisch ) mit einer Speicherkapazität von jeweils 8 K x 8 bit , elektronischen Bauelementen zur
Steuerung und Kontrolle und Haltestrombatterien , in einer Kassette mit Steckverbindungen
und den Abmessungen von nicht mehr als 11 x 40x90 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MEMOCART
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Speichereinheiten der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
In einem Stück geschmiedete und vorgedrehte Teile von Reaktordruckbehältern mit einem
Stückgewicht von jeweils mehr als 150 t
Hydraulisches Fünfstufenventil , bestehend im wesentlichen aus drei Kunststoffteilen und zwei
Magnetventilen zur Servosteuerung , zum Einbau in Wasserenthärtungsanlagen mit automati­
scher Regeneration (Strom und Gegenstsrom ) und einer Ionenaustauschkapazität von nicht
mehr als 650 1 ( a )
In einem Stück geschmiedete und vorgedrehte Generator- und Turbinenwellen mit einem
Stückgewicht von jeweils mehr als 215 Tonnen
ex 84.59 B
ex 84.61 B
ex 84.63 B II
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr. L 362 / 11
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B I b )
ex 85.01 B II
Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newton­
meter /Nm, eingebauter elektronischer Steuerungsplatte , Außenrotor mit kreisförmigem
Querschnitt mit einem Durchmesser von nicht mehr als 95 mm, Aluminium-Präzisionsnabe mit
einem Innendurchmesser von 28,6 mm, einer Geschwindigkeit von 300 oder 360 Umdrehun­
gen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V + 10 %
Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newton­
meter /Nm , einem Außenläufer mit einem Durchmesser von nicht mehr als 55 mm, einem
Befestigungsflansch von 77 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von
44 mm mit 4-Phasen-Wicklung , mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute
und einer Versorgungsspannung von 12 V ± 10 % , mit Drähten und Anschlußstücken
Bürstenlose Zwei- oder Dreiphasen-Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht
mehr als 0,20 Newtonmeter / Nm , elektronischer Steuerungsplatte und den Abmessungen von
nicht mehr als 85 x 85 mm und einer Dicke von nicht mehr als 20 mm einschließlich Spindel ,
Außenrotor mit einem Durchmesser von nicht mehr als 62 mm, einer Geschwindigkeit von
300 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V + 10 %
Bipolare Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 1 ,8 Grad , 200 Schritten pro Umdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung , mit den Abmessungen von nicht mehr als
20 x 39 x 39 mm oder 25 x 39 x 39 mm , gemessen ohne Welle , Feststellschrauben und Nabe ,
mit einem Drehmoment von 0,25 Newtonmeter /Nm oder mehr bei Motoren mit einer Höhe
von nicht mehr als 20 mm oder von 0,35 Newtonmeter /Nm oder mehr bei Motoren mit einer
Höhe von nicht mehr als 25 mm
Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung ,
4-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung , bestehend aus einem Rotor und einem Ständer­
paket , das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm
eingeschlossen ist , mit durchgehender Welle , Drähten und Anschlußstücken
Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad , 400 Schritten pro Umdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung , bestehend aus einem Rotor und einem Ständer­
paket , das in einem zylindrischen Behälter mit einem Durchmesser von nicht mehr als 47 mm
und einer Dicke von nicht mehr als 14 mm eingeschlossen ist , mit durchgehender Welle ,
Drähten und Anschlußstücken
Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad , 400 Schritten pro Umdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung , bestehend aus einem Rotor und einem Ständer­
paket , das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm
eingeschlossen ist , mit eingebautem 2- oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit
einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm , mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken
für die Ausgänge des Motors und des Drehzahlmessers , mit den Abmessungen von nicht mehr
als 40 x 40 x 62 mm , einschließlich Welle
Bipolare Gleichstrom-Schrittmotoren mit einteiligem Stator , einer Leistung von 37,5 W oder
weniger , einem Schrittwinkel von 180 Grad , 2 Schritten pro Umdrehung , 2-Phasen-Drehfolge
mit unipolarer Wicklung , einem Drehmoment von nicht weniger als 0,1 x 10"6 Newton­
meter /Nm und nicht mehr als 0,1 x 10"4 Nm und einer Versorgungsspannung von nicht mehr
als 3 V
Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad , 400 Schritten pro Umdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung , bestehend aus einem Rotor und einem Ständer­
paket , das zwischen zwei Flanschen eingeschlossen ist , von denen der eine einen Viereckquer­
schnitt mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm hat und der andere (vordere)
scheibenförmig ist und zwei Auskragungen aufweist , mit eingebautem 2- oder 3-Phasen-Dreh­
zahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten
Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und Drehzahlmessers , mit den
Abmessungen von nicht mehr als 40 x 40 x 62 mm einschließlich der Welle , aber ohne die
Auskragungen des vorderen Flansches
Stromrichter , bestehend aus einer Kaskadenschaltung von 7 Dioden , für Ausgangsspannungen
von 40 kV oder mehr mit einer Stromstärke von 3 mA oder mehr
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Nr . L 362 / 12 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Autonomer
Zollsatz
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
%
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ex 85.03
ex 85.03
ex 85.13 B und
ex 85.21 D II
ex 85.18 B
ex 85.19 A
ex 85.19 A
ex 85.19 C
ex 85.21 A V
ex 85.21 A V
ex 85.21 A V
Kohle- /Zink-Trockenbatterien mit einer Spannung von nicht weniger als 5,5 und nicht mehr
als 6,5 Volt und einer Größe von nicht mehr als 5x90x110 mm , zur Verwendung in
Filmkassetten für Sofortbildkameras ( a )
Lithium-Jod-Batterien mit den Abmessungen von nicht mehr als 9x23x45 mm und einer
Spannung von nicht mehr als 2,8 V
Optoelektronisches Empfangsmodul (PIN-FET-Empfänger ) mit einem Wellenlängenbereich
von nicht weniger als 1 3^)0 und nicht mehr als 1 600 Nanometern und einer Geschwindigkeit
von 678 Megabits / Sekuriiie oder mehr , in Form einer integrierten hybriden Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
13x13x25 mm und ausgerüstet mit einem Lichtwellenumkehrleiter aus optischen Fasern
(Pigtail-Ankopplung).
Das Modul trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen-/
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
416 / 7 / 97013
QDFI-XXXX-00 1
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Empfangsmodule der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Einstellbare Kondensatoren in runder Form mit einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm
und einer Dicke von nicht mehr als 3 mm , ausgerüstet mit einer Stellschraube in der Mitte und
zwei Anschlüssen , mit einer Kapazität von nicht weniger als 5 und nicht mehr als 30 Picofarad ,
zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a )
Thermorelais in hermetisch versiegeltem Glasgehäuse , mit den Längenabmessungen - ohne
Drähte - von nicht mehr als 35 mm , mit einer maximalen Undichtigkeit von 10"6 cm3
Helium /Sekunde bei 1 bar innerhalb des Temperaturbereichs von 0 bis 160 °C , zum Einbau in
Kompressoren für Kältemaschinen ( a )
Reedschalter in Form eines Glasgehäuses , mit nicht mehr als drei elektrischen Kontakten auf
Metallzungen und einer kleinen Menge Quecksilber
Gedruckte Schaltung , einseitig bedruckt , mit den Abmessungen von nicht mehr als 30 x 30 mm ,
zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a )
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Dreiecksanordnung — soge­
nannte Delta-Technik - ), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von nicht mehr als
0,31 mm und einer Vorrichtung zur Konvergenzautomatik
Kathodenstrahlspeicherröhren ( sogenannte Direktsicht-Speicherröhren /Direct View Storage
Tubes ) für die Wiedergabe alphanumerischer und analoger Daten , mit Abtastvorrichtung zum
Lesen der gebildeten Zeichen
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung — soge­
nannte In-Line-Technik — ), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als
0,45 mm und einem oder mehreren der nachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :
— einer Diagonalen des Bildschirms von weniger als 26 cm oder von 42 cm oder mehr , einer
diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 90 ° und Konvergenzfehlern in den Ecken von
nicht mehr als 0,8 mm ,
— einem integrierten Anti-Vibrationssystem ( sogenanntes Potting-System),
— ohne internen Magnetschirm ,
— einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :
rot grün blau
X 0,64 0,29 0,15
Y 0,33 0,60 0,06
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr. L 362 / 13
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
85.21 A V
(Fortsetzung)
oder
X 0,64 0,31 0,155
Y 0,34 0,595 0,07
oder
X 0,62 0,21 0,15
Y 0,33 0,615 0,06
oder
X 0,61 0,307 0,15
Y 0,35 0,595 0,065
oder
X 0,61 0,205 0,15
Y 0,35 0,68 0,065
oder
X 0,62 0,29 0,15
Y 0,35 0,6 0,065
ex 85.21 A V Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Dreiecksanordnung - soge­
nannte Deltatechnik — ), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als
0,4 mm und einem der nachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :
— einer Diagonalen des Bildschirms von 66 cm oder mehr
oder
— einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :
rot grün blau
X 0,64 0,29 0,15
Y 0,33 0,60 0,06
oder
X 0,64 0,31 0,155
Y 0,34 0,595 0,07
oder
X 0,61 0,307 0,15
Y 0,35 0,595 0,065
oder
X 0,61 0,205 0,15
Y 0,35 0,68 0,065
oder
X 0,62 0,29 0,15
Y 0,35 0,60 0,065
0
0
0
0
0
ex 85.21 A V Anzeigen in Form einer Röhre , bestehend aus einem Glasgehäuse , aufgebracht auf einer Platte
mit einer Größe - ohne Berücksichtigung der Leitungen - von nicht mehr als 5300 x 350 mm .
Die Röhre enthält eine oder mehrere Reihen von Zeichen oder Strichen . Jedes Zeichen oder
jeder Strich enthält fluoreszierende oder phosphoreszierende Elemente , die auf einer von
fluoreszierenden Substanzen oder von Phosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage
aufgebracht sind und leuchten , wenn sie von Elektronen getroffen werden
ex 85.21 A V Monochrome Kathodenstrahlröhren mit flachem Bildschirm , mit einer Diagonalen von nicht
weniger als 142 und nicht mehr als 145 mm , einer Leuchtkraft zwischen 300 und 400 Lumen ,
einem Auflösungsvermögen von nicht weniger als 0,06 und nicht mehr als 0,1 mm, einer
Phosphorbeschichtung des Typs PI oder P55 oder P56 , einer Anodenspannung von 34 kV oder
mehr , einer Fokussierspannung von 7 kV oder mehr und einem Kathodenstrom von 3 mA oder
mehr
ex 85.21 C Piezoelektrische Quarzkristalle mit einer Frequenz von 32 768 Hz , in einem zylindrischen
Gehäuse mit einer Länge von nicht mehr als 8,2 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als
3,2 mm , zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a )
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
Nr . L 362 / 14 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Digitalanzeigen , in einem Kunststoffgehäuse mit einer Größe von nicht mehr als 25 x 35 mm,
bestehend aus einer Leiterplatte , die nicht mehr als 22 Leuchtdioden enthält , die von
Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind . Jede Anzeige besteht aus einer
einzigen Stelle , auch mit Plus- oder Minuszeichen und /oder mit nicht mehr als 2 Dezimal­
punkten 7
ex 85.21 D II Digitalanzeigen , bestehend aus einer Leiterplatte mit einer Größe von nicht mehr als
35 x 90 mm und einer Reihe von nicht weniger als 3 Anzeigestellen , die Leuchtdioden enthalten ,
die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind ; letztere sind in die
Leiterplatte eingebaut . Jede Anzeigestelle besteht aus nicht mehr als acht Segmenten , auch mit
einem Dezimalpunkt . Die Digitalreihe hat einen Schutzbelag aus Kunststoff 0
ex 85.21 D II Germanium-Golddraht-Dioden mit einer Durchlaßspannung von 1 V oder weniger bei
5 mA 0
ex 85.21 D II Leuchtdioden , die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind , in einem
Gehäuse mit 2 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 20 x 21 mm.
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
LT 9305 SLF 209
LT 9306 SLF 909
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Leuchtdioden der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Lesespeicher ( sogenannter ROM), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , mit
einer Speicherkapazität von 16 K x 8 bit , mit Leseregister und Kontrolle für seriellen Output in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
16 x 50 mm.
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
62000 bis 62999
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Lesespeicher in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-ROM), mit einem Versor­
gungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,03 mA, in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 54 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 50 mm.
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
HN 61256
HN 613256
MB 83256
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex 85.21 D II Lesespeicher in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-ROM), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 1 Megabit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 39 mm.
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr. L 362 / 15
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
HN 62301 P ,
MB 83 1000 ,
MB 831124 ,
7
ex 85.21 D II
TC 53 1000 P
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbare Lesespeicher , nicht löschbar ( sogenannte PROMs), in TTL-Schottky-Tech­
nik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapa­
zität von 2 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften oder Kontaktflächen
und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandtteil ent­
hält :
27 S 12 5305 6305 76 LS 03
27 S 13 5306 6306 7620
5308 6308 7621
28 L 22 5309 6309
28 LA 22 53 S 240 63 S 240 82 S 114
28 L 2 XMFC 53 S 241 63 S 241 82 S 130
6335 82 S 131
29613 54 S 570 6336
29770 54 S 571 93436
29771 7053 93446
5604 7058
38510 5624 MB 7115
74 S 570 MB 7116
74 S 571 MB 7117
MB 7118
0
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbare Lesespeicher , nicht löschbar ( sogenannte PROMs), in Form einer monoli­
thischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 24 Anschlußstiften oder nicht mehr als 28 Kontaktflächen und den Abmessungen
von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
18 S 42 29620 54 S 472 74 S 472
18 S 46 29621 54 S 473 74 S 473
18 SA 42 29622 54 S 474 74 S 474
18 SA 46 29623 54 S 475 74 S 475
29624 54 S 476 74 S 476
24 S 41 29625 54 S 477 74 S 477
24 SA 41 29626 54 S 572 74 S 572
29627 54 S 573 74 S 573
27 S 15 54740
27 S 25 3604 54741 7640
27 S 26 3624 7641
27 S 27 3625 5605 7642
27 S 28 5625 7643
27 S 29 38510 7644
27 S 30 6340 7645
27 S 31 5340 6341 7646
27 S 32 5341 63 S 440 7647
27 S 33 53 S 440 63 RA 441 7648
53 RA 441 63 RS 441 7649
28 L 42 53 RS 441 63 S 441
Nr . L 362 / 16 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
28 L 45 53 S 441 6348 82 HS 137
28 L 46 5348 6349 82 HS 147
28 P 42 5349 6350 82 S 115
28 P 45 5350 6351 82 S 136
28 R 45 5351 6352 82 S 137
28 S 4 XFD 5352 6353 82 S 140
28 SA 41 5353 82 S 141
28 S 42 HM 6641 82 S 142
28 SA 42 82 S 146
28 S 45 7054 82 S 147
28 S 46 7059
28 SA 46 93438
CY 7 C 225 7121 93448
7122 93452
7123 93453
7124
7125
7126
7226
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Programmierbare Lesespeicher , nicht löschbar ( sogenannte PROMs), in Form einer monoli­
thischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 8 Kbit , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 24 Anschlußstiften oder nicht mehr als 28 Kontaktflächen und den Abmessungen
von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
24 S 81 3628 74 LS 478 82707
24 SA 81 74 S 2708 82708
24 S 86 5380 74 S 454 82 HS 185
5381 74 S 455 82 LS 180
27 S 180 5388 74 S 478 82 LS 181
27 S 181 5389 74 S 479 82 S 180
27 S 185 53 S 840 82 S 181
27 S 35 53 S 841 7608 82 S 182
7680 82 S 183
28 L 85 54 LS 478 7681 82 S 184
28 L 86 54 S 2708 7684 82 S 185
28 P 85 54 S 454 7685 82 S 2708
28 R 35 54 S 455 7686
28 R 85 54 S 478 7687 87 S 180
28 S 2708 54 S 479 7688 87 S 181
28 S 85 7689 87 S 184
28 S 86 6380 87 S 185
28 SA 86 6381 77 S 180 87 S 186
28 S 8 XMFE 6388 77 S 181 87 S 187
6389 77 S 184
29623 63 S 840 77 S 185 93450
29630 63 S 841 77 S 186 93451
29631 77 S 187 93460
29632 7050 93461
29633 7055 TBPS 81 M 93465
29634 7060 93466
29635 93 L 450
29636 7127 93 L 451
29637 7128
29650 7129 9460
29651 7130
29652 7131 CY 7 C 235
29653 7132 CY 7 C 281
7232 CY 7 C 282
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr. L 362 / 17
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
o//o
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs), in Form einer monoli­
thischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit , in einem Gehäuse mit
den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm und einem Quarzfenster auf der
Oberseite .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstaben­
kombinatiorien besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AMI 702 ADC
82140 PP
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs) mit programmierbaren
Ein- und Ausgangsstellen , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , mit einer
Speicherkapazität von 2 K x 8 bit , in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 52 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
D 8755 A , TMP 8755 AC
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
0
4
0
0
0
ex 85.21 D II Elektrisch löschbare , programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E2PROMs), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußsnften und den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 33 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
X 2804 A , X 2404 , X 24 C 04
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Elektrisch löschbare , programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E2PROMs), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von
nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AM 2817 A
X 24 C 16
X 2816 A
52 B 13
52 B 13 H
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Nr . L 362 / 18 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Elektrisch löschbare , programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E2PROMs), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von
nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält­
X 2864 A
MBM 28 C 64
MBM 28 C 65
MCM 2864
52 B 33
52 B 33 H
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Elektrisch löschbare , programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E2PROMs), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 128 Kbit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von
nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
X 28128 A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II
0
0
0
Elektrisch löschbare , programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E 2PROMs), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von
nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder diese Kombinationen als Bestandteil enthält :
28256
28 C 256
48 C 256
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in TTL-Technik hergestellt ( sogenannte
TTL-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , mit einer
Speicherkapazität von 1 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 45 Nanosekunden , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
16 x 30 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
93422
93425
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 19
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich H-MOS )-
Technik hergestellt ( sogenannte N /H-MOS-RAMs , statisch ), in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 1 K x 4 bit und einer Zugriffszeit von
nicht mehr als 70 Nanosekunden , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und
den Abmessungen von nicht mehr als 8 x 23 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AM 2149
PD 2149
SY 2149 H
TMS 2149
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( soge­
nannte C-MOS-RAMs , statisch ), mit einer Speicherkapazität von 4 K x 1 bit , einer
Zugriffszeit von nicht mehr als 70 Nanosekunden und einem Versorgungsstrom im Bereit­
schaftszustand von weniger als 1 mA , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
9 x 26 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil
enthält :
7
ex 85.21 D II
6147
MCM 61 L 47
oder
0
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( soge­
nannte C-MOS-RAMs , statisch ), mit einer Speicherkapazität von 2 K x 8 bit und einer
Leistung im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,005 Milliwatt bei 25 °C , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 33 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
TC 5516 A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich H-MOS )-
Technik hergestellt ( sogenannte N /H-MOS-RAMs , statisch ), in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 8 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr
als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zah­
len-Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil
7
ex 85.21 D II
enthält :
4008 8104
8108
4118 8112
PD 421 8114
8185
4801
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
Nr . L 362 / 20 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS(einschließlich H-
MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N /H-MOS-RAMs , statisch ), in Form einer monoli­
thischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 256 x 4 bit und einer
Zugriffszeit von nicht mehr als 25 Nanosekunden , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24
Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x39 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
9122 - 25
91 L 22 - 25
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Statische Schreib-Lesespeicher , mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( soge­
nannte C-MOS-RAMs , statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , mit
einer Speicherkapazität von 64 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften
oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 18 x39 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
TC 5564 MB 8464
TC 5565 C MB 81 C 71
MB 81 C 78
MCM 6164
HM 6264 P
HM 6264 LFP
HM 6264 LP
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich
(H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N /H-MOS-RAMs , statisch ), in Form einer mono­
litischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 72 Kbit , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 10 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
TMM 2089
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Monolithische integrierte Schaltung , bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM , statisch ), mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit ,
bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E2PROM), in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
X 2002
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 21
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Monolithische integrierte Schaltung , bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM , statisch ), mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit ,
bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E2PROM), in
einem Gehäusemit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
X 2004
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte
ECL-RAM(s ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapa­
zität von 4 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 50 Nanosekunden , in einem Gehäuse
mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 11 x 32
mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
0
ex 85.21 D II
10470
10474
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
ex 85.21 D II Vom Anwender teilweise programmierbare Schaltmatrix ( sogenannter Programmable Logic
Array / PLA), in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , mit schmelzbaren Verbindungsstücken , einer programmierbaren UND-Anord­
nung , einer festen ODER-Anordnung , mit nicht mehr als 20 Eingangsstellen und nicht mehr als
10 Ausgangsstellen , auch mit Registern in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 19 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine der Kombinationen als Bestandteil enthält :
10 H 8 16 A 4 18 L 4
10 L 8 16 C 1
16 H 2 20 C 1
12 H 6 16 L 2 20 L 2
12 L 6 16 L 6 20 L 10
12 L 10 16 L 8 20 R 4
16 R 4 20 X 4
14 H 4 16 R 6 20 X
14 L 4 16 R 8 20 X 10
14 L 8 16 X 4
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 5
ex 85.21 D II Vom Anwender programmierbare , nicht löschbare Schaltmatrix ( sogenannter Field Pro­
grammable Logic-Array / FPLA), in TTL-Schottky-Technik hergestellt , mit nicht mehr als 48
UND-Funktionen und nicht mehr als 8 ODER-Funktionen sowie nicht mehr als 16
Eingangsstellen , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
Nr . L 362 / 22 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
FP 54 AS 839 FP 74 AS 839 82 S 100
FP 54 AS 840 FP 74 AS 840 82 S 101
SN 54 LS 333 SN 74 LS 333
SN 54 LS 334 SN 74 LS 334 93458
SN 54 LS 335 SN 74 LS 335 93459
SN 54 LS 336 .SN 74 LS 336
oder
5
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierte Schaltmatrix (Gate Array ) in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung mit nicht weniger als 8 000 Zwei-Eingangs-
NAND-Funktionen , in einem Gehäuse mit 179 oder mehr Anschlußstiften und den Abmes­
sungen von nicht mehr als 39 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombination
besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MB 66000 VH
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Video-Schaltmatrix ( sogenannter Video Gate Array ) zur Kontrolle von Graphik und Speicher ,
in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
40 Anschlußstiften und Abmessungen von nicht mehr als 15x52 mm.
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
38300
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf eine Video-Schaltmatrix der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus
einer arithmetischen , logischen Einheit ( Rechenwerk ) mit einer Kapazität von 4 bit , einem
Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 18 Kbit bis 65 Kbit , einem
Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität
von 512 bit bis 4 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 17 x 58 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
0
ex 85.21 D II
CD 3200 bis 3299 TP 0310 bis 03299
TP 0450 bis 04599
TMC 0270 bis 0279 TP 0480 bis 04899
TMC 0500 bis 0599 TP 0500 bis 05999
TMC 0980 bis 0989
TMC 1500 bis 1599
TMC 1980 bis 1999
HD 38800
HD 38820
HD 44796
HD 44800
HD 44801
HD 44820
HD 44840
HD 44860
HD 614042
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Zentraleinheiten ( sogenannte Central Processing Units / CPU), in N-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , bestehend
aus einem 16 x 16 bit-Dienstspeicher , einem 16 x 20 bit-Dienstspeicher , einem 32 x 32
bit-Dienstspeicher , einem 8x8 bit-Dienstspeicher , einem 16-bit-Register , zwei 20-bit-Regi­
stern , einem 8-bit-Register , einem 12-bit-Register , einem 5-bit-Zähler und einem Zeitgeber , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
25 x 25 mm .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 23
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
ex 85.21 D II
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil hat
LSI-604041855
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Zentraleinheiten der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zum Steuern der Zugangsfolge ( sogenannter Local Area Network Controller /
LAN-Controller ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 48 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 63 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
0
MCM 68590
AM 7990
COM 9026
HD 2840
8001
8003
82586
82588
oder
0
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zur Steuerung von Magnetplattenspeichern mit festen Platten (Hard Disc
Controller /HDC), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 15 x53 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
WD 1010
WD 2010
HD 5010
HDC 9224
PD 7261
oder
ex 85.21 D II
0
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Arithmetische , logische Einheit (Rechenwerk ) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik
hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus einem
32-bit-Register , einem 24-bit-Register , einem 4-bit-Register , zwölf 1-bit-Registern , zwei
16 x 24 bit-Dienstspeichern , einem logischen Element zum Durchführen arithmetischer und
logischer Operationen , einer Decodierlogik , einem logischen Element zur Fehlersuche und
-beseitigung , einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64
Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 23 x 82 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
ALU 0486
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Rechenwerke der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Logischer Kontrollbaustein , in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form
einer monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus einem 7-bit-Register , drei Zeitzäh­
lern (Timer ), einem Wähler (Multiplexer ), Elementen zur Folgekontrolle , einer Decodierlogik ,
einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung und einem Zeitgeber , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
23 x 82 mm .
0
ex 85.21 D II
Nr . L 362 / 24 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
0
ex 85.21 D II
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MIC 0482
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Taktgeber in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , für Zentraleinheit ( soge­
nannte Central Processing Unit / CPU ), Hauptspeicher und Ein- und Ausgangsschnittstellen , in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68
Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25 x 25 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
H 108982 (MCC )
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Taktgeber der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Baustein zur Folgekontrolle , in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form
einer monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus einem 32-bit-Register , drei
16-bit-Registern , einem 16 x 16 bit-Dienstspeicher , einem 7 x 17 bit-Kellerspeicher (Last in
first out / Lifo ), einem Addierwerk , einer Decodierlogik , einer Prioritätslogik , einem logischen
Element zur Fehlersuche und -beseitigung , einem 16-bit-Wähler (Mulitplexer ), einem
8-bit-Zähler und einem Zeitgeber , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlußstiften und
den Abmessungen von nicht mehr als 23 x 82 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
CSS 0484
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung (sogenannter Error Detection and Correc­
tion Circuit ), in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 16 x 62 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
2960
74 F 630
74 F 631
DP 8400
74 LS 630
74 LS 631
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von einzelnen Bit-Fehlern und zur
Fehlersuche von doppelten Bit-Fehlern ( sogenannter Error Detection and Correction Circuit ),
in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrier­
ten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Kontaktflächen und den Abmessungen
von nicht mehr als 25 x 25 mm .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr. L 362 / 25
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
8206
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von Mehrfachfehlern im Magnetplattensy­
stem ( sogenannter Burst Error Processor / BEP ) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik
hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
Z 8065
AM 9520
AM 9521
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , zur Steuerung dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenann­
ter RAM , dynamisch ), mit Adressen-Multiplexer und Zeitgeber , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 48 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 62 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
DP 8408
DP 8409
MB 1422
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbarer Schnittstellenbaustein ( sogenannter Programmable Communication Inter­
face / PCI ), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer monolithi­
schen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält
8251 A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Programmierbarer Schnittstellenbaustein für die Datenübertragung ( sogenannte Enhanced
Programmable Communication Interface / EPCI ), in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
2661
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
0
ex 85.21 D II
7
ex 85.21 D II
0
Nr . L 362 / 26 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
ex 85.21 D II Serienschnittstellenbaustein zur Datenstromcodierung oder -decodierung und damit zusam­
menhängenden Kontrollfunktionen für einen Steuerbaustein zum Steuern der Zugangsfolge
( sogenannter Local Area Network ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
16 x 33 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
AM 7991
8002
8023
82501
COM 9032
oder
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Schnittstellenbaustein für die parallel-serielle oder seriell-parallele Umsetzung digitaler Signale
in Fernsprechapparaten ( sogenannter Station Interface Digital / STID), in C-MOS-Technik
hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
Autonomer
Zollsatz
%
0
0
0
0
WCC 295 G
oder
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Programmierbarer Intervall-Zeitgeber ( sogenannter Programmable Interval Timer / PIT ), in
N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
8253 , 8254
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Intervall-Zeitgeber der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Baustein zur Frequenzdecodierung ( sogenannter Demodulator / Tone Decoder ) in bipolarer
Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 14 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 10 x 21 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
XR 2211
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II C-MOS-Uhrenschaltungen , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 54
mm , zum Herstellen von Schaltzeituhren oder Armaturbrettuhren und dergleichen für
Kraftfahrzeuge oder Krafträder ( a ).
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 27
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
HI 2060
HI 2065
MSM 5537
T 3605
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Uhrenschaltungen der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
C-MOS-Uhrenschaltungen , die von einer einzigen 1 ,5-Volt-Versorgungseinheit gespeist
werden , mit LCD-Treiber , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 56 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
15 x 21 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
TC 8219 AF
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Uhrenschaltungen der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Verstärker in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung , in einem Gehäuse
mit nicht mehr als 10 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 2x4x4 mm,
zum Herstellen von Waren der Tarifstelle 90.19 B I ( a ).
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
V 35
C 05
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Verstärker der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Vierkanal-Bus-Sendeempfangsbaustein ( sogenannter Quad Bus Transceiver ) in advanced low
power Schottky-Technik hergestellt , mit D-Typ-Registern auf dem Chip und internen
4 bit-Generator / Prüfer auf ungerade Parität , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 9 x 28 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AM 2907
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Vierkanal-Bus-Sendeempfangsbausteine der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
Treiberbaustein ( sogenannter Four-Line-Driver ) in advanced low power Schottky-Technik
hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 7 x 20 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AM 26 LS 29
AM 26 LS 31
SN 75172
SN 75174
0
0
0
0
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
Nr . L 362 / 28 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Treiberbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Sendeempfangsbaustein zur synchronen / asynchronen Datenübertragung (sogenannter Univer­
sal Synchronous Asynchronous Receiver Transmitter / USART ) in C-MOS-Technik hergestellt ,
in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32
Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39
mm .
ex 85.21 D II
0
7
7
0
ex 85.21 D II
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MSM 82 C 51
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Sendeempfangsbausteine der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
8-bit-Mikroprozessor mit interner Architektur von 16 bit in N-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt , bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Proces­
sing Unit / CPU ), einem Zeitgenerator , zwei unabhängigen Kanälen zum Direktzugriffspeicher ,
einem programmierbaren Unterbrecher ( sogenannter Interrupt Controller ), drei programmier­
baren 16-bit-Taktgebern , einem programmierbaren Speicher und äußerer Chipauswahllogik ,
einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit , in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr
als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als
30 x 30 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
80188
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich aufMikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
16-bit-Mikroprozessor in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder
Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 25 x 82 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AM 29116 SBP 9989
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
16-bit-Mikroprozessor in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , bestehend aus
einer Zentraleinheit [sogenannte Central Processing Unit (CPU )], einem Zeitgenerator , zwei
unabhängigen Kanälen zum Direktzugriffspeicher , einem programmierbaren Unterbrecher
( sogenannter Interrupt Controller ), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern , einem pro­
grammierbaren Speicher und äußerer Chipauswahllogik , einem programmierbaren Bereit­
schaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und
den Abmessungen von nicht mehr als 30 x 30 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
80186
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich aufMikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II
0
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 29
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
10
ex 85.21 D II
1 6-bit-Mikroprozessor , in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central
Processing Unit / CPU), einem Baustein für die Organisation des Speichers ( sogenannte Memory
Management Unit /MMU ) und einem internen Betriebssystem für reale und virtuelle Adres­
sierung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den
Abmessungen von nicht mehr als 30 x 30 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
80286
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich aufMikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
32-bit-Mikroprozessor in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrier­
ten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 114 Anschlußstiften und den Abmessungen
von nicht mehr als 36 x 36 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MC 68020
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
32-bit-Mikroprozessor in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer hybriden integrierten
Schaltung , bestehend aus einer Substratebene mit zwei Chips , die die Zentraleinheit ( soge­
nannte Central Processing Unit / CPU ) und die Speichereinheit bilden , mit nicht mehr als
60 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 55 mm .
Der Baustein trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
0
ex 85.21 D II
57-00000 , 57-19400
oder
0
ex 85.21 D II
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Gleitkomma-Coprozessor ( sogenannter Floating Point Coprozessor ) in C-MOS-Technik
hergestellt , mit acht 80-bit-Registern und einem 32-bit-Bus , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 28 x 28 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Beispiel enthält :
MC 68881
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Coprozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Numerischer Prozessor ( sogenannter Numeric Processor Extension /NPX ) in N-MOS(ein­
schließlich H-MOS)-Technik hergestellt , mit nicht mehr als 14 Registern , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 15 x 52 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
Nr . L 362 / 30 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
8087
80287
TX 32081 W
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf numerische Prozessoren der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Datentrennbaustein für flexible Magnetplatten ( sogenannter Floppy Disc Data Separator /
FDDS), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr
als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8 x 27 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
FDC 9216
FDC 9216-B
WD 9216-00
WD 92 C 32
FDC 9229 T
FDC 9229 BT
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf eine Datentrennschaltung der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Phonem-Sprachsynthetisator in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-Phoneme
Speech Synthesizer ), mit einem Versorgungsstrom von weniger als 10 mA , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
CM 54166 N2L
CD 54121 N2L
CD 54122 N2L
CD 54123 N2L
CD 54147 N2L
SC 01
SSI 263
CM 54104
CM 54145 N2L
CM 54146 N2L
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Phonem-Sprachsynthetisatoren der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Dreifacher Video-Digital-Analog-Umsetzer ( sogenannter Video Digital-Analog-Converter /
VDAC) mit einer Kapazität je Kanal von nicht mehr als 8 bit , mit einer Signalumsetzungszeit
von nicht mehr als 25 Nanosekunden , in Form einer monolithischen oder hybriden integrierten
Schaltung , auch mit drei Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte RAMs) mit
einer Speicherkapazität von jeweils nicht mehr als 2 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
61 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 54 x 62 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
VDAC 444 TD TDC 1334
RGB DAC 4 T HDAC 34010
RGB DAC 8 E HDAC 34020
RGB DAC 8 T
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Video-Digital-Analog-Umsetzer der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Differentialverstärker , steuerbar für Signale von 0 bis 400 MHz oder mehr , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 11 x 11 mm .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 31
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
0078-10
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Differentialverstärker der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in bipolarer Technik hergestellt
( sogenannte bipolare RAMs , statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit
einer Speicherkapazität von 64 x 9 bit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 40 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
82 S 09 MBM 93419
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Treiberbaustein für dynamische 8-bit-Speicher ( sogenannter Octal Dynamic Memory Driver )
in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
16 x 33 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AM 2965
AM 2966
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Treiberbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Bus-Schnittstellenbaustein in bipolarer Technik hergestellt , mit 9-bit- oder 10-bit-Registern , in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24
Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 9 x 34
mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
0
ex 85.21 D II
AM 29821 AM 29843
AM 29823 AM 29844
AM 29824
0
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Mehrbus-Puffer-Schnittstellenbaustein ( sogenannter Multiple Bus Puffer ) in low power
Schottky-Technik hergestellt , für die Fehlersuch - und Beseitigungseinheit , das Datenbus­
System und den dynamischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ,
dynamisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8 x 33 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AM 2961
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
Nr . L 362 / 32 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
Zustands- und Schiebekontrollbaustein ( sogenannte Status and Shift Control Unit ) in bipolarer
Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 42 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 57 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AM 2904
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Zustands- und Schiebekontrollbausteine der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
Verstärker , in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung , mit den
Abmessungen von nicht mehr als 3x3 mm , zum Herstellen von Waren der Tarifstelle
90.19 B I ( a )
Text-Coprozessor in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25 x 25 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
C 82 730
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Text-Coprozessoren der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus
einer arithmetischen , logischen Einheit ( Rechenwerk ) mit einer Kapazität von 8 bit , einem
programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM) mit einer Speicherka­
pazität von 32 Kbit , einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM)
mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 15 x 50 mm sowie einem Quarzfenster .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
8751 , 7742
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , bestehend aus einer arithmetischen , logischen Einheit ( Rechenwerk ) mit
einer Kapazität von 32 bit , einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität
von 24 Kbit , einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM) mit einer
Speicherkapazität von 2 Kbit in einem Gehäuse mit nicht weniger als 84 Anschlußstiften oder
Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht weniger als 30x30 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MB 8764
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Teilnehmerleitung-Sprach-Signal-Baustein ( sogenannter Subscriber Line Audio Processing
Circuit / SLAC ) mit 2 Digitalsignalprozessoren , einem Analog-Digital - und einem Digital-Ana­
log-Umsetzer , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 33
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
7
ex 85.21 D II
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AM 7901
AM 7905
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Warenbeschreibung
bezieht .
Nicht flüchtiger Speicher , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus
einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt
( sogenannter C-MOS-RAM , statisch ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und interner
Energiequelle , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen
von nicht mehr als 19 x 36 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
MK 48 Z 02 ( B ), DS 1220 Y
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf nicht flüchtige Speicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Kontrollbaustein für die Datenein - und -ausgabe und Zeitfolge , in N-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt , mit einem statistischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem
Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 128 x 8 bit , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil
enthält :
7
ex 85.21 D II
6532
0
ex 85.21 D II
CO 10750
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digitaler-Steuerbaustein zur Kontrolle der Schwingungen des Schrittmotors während
des Positionierens , in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 18 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
STEDA
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digitaler-Steuerbaustein für bürstenlose Motoren , zur Erhaltung einer konstanten
Geschwindigkeit , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 6 x 25 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstaben­
kombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MGA 3015 A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
0
ex 85.21 D II
0
Nr . L 362 / 34 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Analog-Digitaler-Steuerbaustein für bürstenlose Motoren , zur Erhaltung einer konstanten
Geschwindigkeit , in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 9 x 25 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
UC 1634 , UC 1633 , UC 3633 , UC 3634
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Baustein für die Organisation des Speichers ( sogenannte Memory Management Unit /MMU),
in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , mit einer Speicheradressierbarkeit bis
zu 16 Megabyte , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 64 Anschlußstiften oder 68 Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht
mehr als 25 x 82 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder
Zahlen / Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil
enthält :
68451 , TX 32082 W
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II
0
0
0
0
Baustein für die Organisation des Speichers ( sogenannte Memory Management Unit /MMU),
in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr 132 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als als
36 x 36 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MC 68851
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Baustein zur asynchronen Bus-Kontrolle und zur Umwandlung der lokalen Bus-Leitungen in
Multiplex-Leitungen in advanced low power Schottky-Technik hergestellt , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 13 x 37 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
68452
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren ( sogenannter Cathode Ray Tube Controller /
CRTC) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder
Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 25 x 62 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstaben­
kombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 35
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
AM 8052
D 8275 H
P 8275 H
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex 85.21 D II Baustein zur Anzeigenkontrolle und zur Erzeugung von Zeichen ( sogenannter Display
Controller und Character Generator /DCCG ) in C-MOS-Technik hergestellt , für Flüssig­
kristall-Punktmatrixanzeigen , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 60 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
20 x 26 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
HD 61830
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
Video-Digital-Analog-Umsetzer ( sogenannter Video-Digital-Analog-Converter / VDAC), mit
einer Signalumsetzungszeit von nicht mehr als 10 Nanosekunden , in Form einer hybriden
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 20 x 35 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
VDAC 0405 H
VDAC 0605 H
VDAC 0805 H
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Video-Digital-Analog-Umsetzer der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Interpolations-Baustein ( sogenannter Interpolation Pulse Generator ) zur Steuerung geometri­
scher Funktionen , in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
KM 3701
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Interpolations-Bausteine der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( soge­
nannte C-MOS-RAMs , statisch ), mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 18 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
TC 5532
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
0
ex 85.21 D II
0
Nr . L 362 / 36 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
Baustein zur Steuerung von Servovorrichtungen in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
KM 3702
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Baustein zur Erzeugung variabler Wellenformen in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 1 6 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 10 x 21 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
XR 2206
XR 8038
oder
— eine Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .
Video-Verstärkerbaustein in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 17 x 17 mm , zum Herstellen von tragbaren Farbfernseh­
kameras ( a ).
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
ex 85.21 D II
0
0
0
0
702
703
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Verstärkerbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
ex 85.21 D II Baustein zur Verstärkung entweder der Lese- oder der Schreibsignale von flexiblen Magnet­
platten , in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr
als 11 x 29 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
XR 2247
XR 3470
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Baustein zur Blenden - und Farbtemperaturausgleichsteuerung in bipolarer Technik hergestellt ,
in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 44 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 17 mm , zum
Herstellen von tragbaren Farbfernsehkameras ( a ).
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
704
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 37
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Autonomer
ZollsatzWarenbezeichnung
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Taktgeber in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten digitalen
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 25 x 25 mm , zum Herstellen von tragbaren Farbfernsehkameras ( a ).
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält­
705
ex 85.21 D II
706
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Taktgeber der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in bipolarer Technik hergestellt
( sogenannte bipolare RAMs , statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
bestehend aus einer Substratebene mit 1 oder 2 Chips mit einer Speicherkapazität von jeweils
1 Kbit in einem Gehäuse mit nicht mehr als 23 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht
mehr als 13 x 13 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält '
770639 , 770823 , 5120360 , 7379769
oder
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in bipolarer Technik hergestellt
( sogenannte bipolare RAMs , statisch ) in Form von monolithischen integrierten Schaltungen ,
bestehend aus 2 übereinander angeordneten Substratebenen mit 1 oder 2 Chips mit einer
Speicherkapazität von jeweils 1 Kbit und einer Gesamtspeicherkapazität von nicht mehr als
4 Kbit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 23 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht
mehr als 13 x 13 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält­
770965
4599497
7379442
oder
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Programmierbarer Signalsynthetisator ( sogenannter Digital Signal Synthesizer ) in C-MOS­
Technik hergestellt , mit 32 Frequenzgeneratoren zur Erzeugung von jeweils 8 Tönen und einem
gleichzeitigen Output von bis zu 160 Tönen , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und
den Abmessungen von nicht mehr als 25 x 25 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
MEG
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Signalsynthetisatoren der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
Nr . L 362 / 38 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Baustein zur Regeneration pulscode-modulierter Signale , in bipolarer Technik hergestellt , in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 10 x 21 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
XR C 240
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Kontrollbaustein in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , zur Steuerung dynamischer Schreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM , dynamisch ), mit Adressen-Multiplexer und Zeitgeber ,
in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften oder 52 Kontaktflächen und den
Abmessungen von nicht mehr als 17 x 62 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
C 8208 THCT 4502
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Sendeempfangsbaustein mit zwei Kanälen zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter
Dual Universal Asynchronous Receiver Transmitter /DUART), in MOS-Technik hergestellt , in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 15 x 52 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
SCN 2681 , MC 2681
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Sendeempfangsbausteine der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II C-MOS-Uhren /Datum-Schaltungen mit Quarzschwinger , unabhängigen Zeitzählregistern
und einem Taktgeber , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse
mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 7 x 20
mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
MM 58174 A , 58274
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Uhrenschaltungen der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II C-MOS-Uhrenschaltung mit Tonausgabe , auch mit Stundenzähler , in Form einer monolithi­
schen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 17 x 33 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht :
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 /39
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
SVM 5530
7910
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Uhrenschaltungen der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II
0
0
Sendeempfangsbaustein für asynchrone Daten ( sogenanntes Asynchronous Communication
Element ) in MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
16 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
INS 8250 NS 16450
WD 8250 NS 16 C 450
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Sendeempfangsbausteine der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N /H-MOS-RAMs , dynamisch ), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 64 K x 4 bit , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 20 parallelen Anschlußstiften (Dual-in-Line ) und den Abmessungen
von nicht mehr als 17 x 34 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
TMS 4464 , PD 41254 , PD 41464 , TMM 41464
ex 85.21 D II
M5M 4464 , HM 50464 , MB 81464
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 10
ex 85.21 D II Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS (einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt , mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und einer Zugriffszeit
von nicht mehr als 150 Nanosekunden , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften in Zig-Zag-in-Line-Anordnung und den
Abmessungen von nicht mehr als 12 x 22 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
PD 41256 V
MB 81256 P
HM 50256 ZP
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 10
ex 85.21 D II Manchester-Codier- und Decodierbaustein ( sogenannter Manchester-Encoder-Decoder /
MED ) zur kontinuierlichen Datenübertragung , mit Wiederholungsmodus , in C-MOS-Technik
hergestellt , mit einer Ausgangsspannung von 4,5 Volt , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 16 x 33 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
HD 6409
Nr . L 362 / 40 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Codier- und Decodierbausteine der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs), in Form einer monoli­
thischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 512 Kbit , in einem Gehäuse
mit den Abmessungen von nicht mehr als 20 x 42 mm und einem Quarzfenster auf der
Oberseite .
Das Gehäuse trägt
—- eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine diese Kombinationen als Bestandteil enthält :
AM 27512 , MBM 27 C 512
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II TTL-Logikbaustein in bipolarer Technik hergestellt , mit nicht mehr als sechs logischen
Funktionen , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 34 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
SH 767 369
SH 998 088
oder
-— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Logikbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Kontrollbaustein für Zentraleinheiten ( sogenannter CPU-Controller ), in C-MOS-Technik
hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25 x 25 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
FE 2000
L1A0392
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 D II Kontrollbaustein für flexible Magnetplatten ( sogenannter Floppy Disc Controller / FDC), in
C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
16 x 62 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
MB 89311 , L 1 A 0519 , G 70360-33
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex 85.21 D II Monolithische integrierte Schaltung zur Pulscode-Modulation ( sogenannte Pulse Code Modu­
lation / PCM) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , mit Codier-, Decodier­
und Filterfunktionen , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 10x23 mm .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 41
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Autonomer
Zollsatz
%
Warenbezeichnung
Das Gerät trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
2916
7
ex 85.21 D II
2917
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Baustein mit 6 Kanälen zur Verstärkung und Umwandlung der Lesesignale und zur
Umwandlung der Schreibsignale für Magnetplattenspeicher mit festen Platten (sogenannter
Read /Write Data Processor Circuit ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den
Abmessungen von nicht mehr als 19x38 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine diese Kombinationen als Bestandteil enthält :
SSI 540 , SSI 541
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf 6-Kanal-Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
8-Kanal-Steuerbausteine zur Erhaltung einer konstanten elektromagnetischen Andruckskraft ,
in C-MOS-Technik hergestellt , mit Dioden und 8-bit-Speicher , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 9x28 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
0
ex 85.21 D II
UCN 5801
0
ex 85.21 D II
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
4-Kanal-Steuerbausteine zur Erhaltung einer konstanten elektromagnetischen Andruckskraft ,
in C-MOS-Technik hergestellt , mit Dioden und'4-bit-Speicher , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 7 x 22 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
UCN 5813
oder
0
ex 85.21 D II
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Baustein mit 6 Kanälen zur Erzeugung von Schreib- und Lesesignalen für Magnetplattenspei­
cher mit festen Magnetplatten , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
13 x 13 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
SSI 117
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf 6-Kanal-Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
Nr. L 362 /42 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
ex 85.21 D II Programmierbare Lesespeicher , nicht löschbar ( sogenannte PROMS), in Form einer monoli­
thischen integrierten Schaltung , mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr
als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
27 PS 191 A 7 C 245 7 C 292 MB 7133 MB 7137 MB 7151
29683 7 C 291 HM 6616 MB 7134 MB 7138 MB 7152
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Verstärker , steuerbar für Signale von 0 bis 60 KHz und mit einem Reststrom von nicht mehr als
0,3 Mikroampere , in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
6 x 13 x 26 mm , zur Verwendung in Fernsprechanlagen ( a ).
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
ISO 100
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Verstärker der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer , in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , bestehend aus einer arithmetischen , logischen Einheit (Rechenwerk ) mit
einer Kapazität von 4 bit , einem Lesespeicher ( sogenannter ROM), mit einer Speicherkapazität
von 2 K x 8 bit , einem Doppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator , einem Schreib-Lese­
speicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit ,
auch mit einem weiteren Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM) mit
einer Speicherkapazität von 512 bit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
T 6978 , TCM 8301 , TCM 8302
oder
— eine andere Kenhzeichnung , die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( soge­
nannter C-MOS-RAMs , statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , mit
einer Speicherkapazität von 16x4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35
Nanosekunden , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen
von nicht mehr als 9x21 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
CY7C189
CY7C190
CY74S189
CY54S189
CY27S03
CY27S07
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
0
ex 85.21 D II
0
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 43
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Autonomer
ZollsatzWarenbezeichnung
%
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( soge­
nannte C-MOS-RAMs , statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256x4 bit und einer
Zugriffszeit von nicht mehr als 60 Nanosekunden , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 12 x 29 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
CY7C122
CY 93422 / 93L422
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Elektrisch löschbare , programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E2PROMs), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen ) mit einer Speicherka­
pazität von 16 Kbit , zur Verwendung beim Herstellen von mit Mikrowellen arbeitenden
Objekt- oder Personenidentifizierungssystemen ( a )
Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N /H-MOS-RAMs , dynamisch ), in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , bestehend aus einer Substratebene mit nicht weniger als
2 und nicht mehr als 8 Chips mit einer Speicherkapazität von jeweils 128 , 192 oder 256 Kbit
und einer Gesamtspeicherkapazität von nicht weniger als 256 Kbit und nicht mehr als 2
Megabit , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 57 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 30 x 30 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
ex 85.21 D II
6031587
6031591
6870392
6870393
6870395
7379172
7379174
7379176
7379181
0
0
0
0
6025841
6025843
6025856
6025858
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
ex 85.21 D II Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein- /Ausgangsstelle in
N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N / H-MOS-RAMs, dyna­
misch ), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle , mit einer Speicherkapazität von
256 Kbit , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13 x39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
PD 41264 , MB 81461
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
ex 85.21 D II Bus-Schnittstellenbaustein zur Kontrolle der Übertragungsleitungen in C-MOS-Technik
hergestellt , bestehend aus einem numerischen Bus , zwei unabhängigen Empfängern und einem
Sender mit FIFO (First In / First Out)-Speicher , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und
den Abmessungen von nicht mehr als 20 x 52 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
HS 3282
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen
Nr . L 362 / 44 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
0
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Monolithische integrierte Schaltung in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,
zum Erzeugen von graphischen Symbolen auf einem Kathodenstrahl-Bildschirm in Vek­
tor-Schreibweise , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmes­
sungen von nicht mehr als 28 x 61 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
FCD 28 042 277 , 96 114 898 , 96 114 899 , 96 149 135
oder
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schaltungen der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( soge­
nannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit , in Form einer
monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften
und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
HM 62256 , PD 43256 C , TC 55257 P
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte
ECL-RAMs), mit einer Speicherkapazität von 256 x 4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr
als 8 Nanosekunden , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse
mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
1 1 x 32 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
10422 , 10422 A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte
ECL-RAMs ), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als
15 Nanosekunden , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 9 x 27 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
10480
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Oktal-Treiberbaustein ( sogenannter Eight-Line-Driver ) in TTL-Schottky-Technik hergestellt ,
in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als
14 x 14 mm .
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 /45
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
Warenbezeichnung
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
5170 , NE 5170 , UC 5170
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Treiberbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Oktal-Empfangsbaustein ( sogenannter Eight-Line-Receiver ) in TTL-Schottky-Technik herge­
stellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als
14x14 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen /
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält :
5180 5181 8510
NE 5180 NE 5181 8511
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Empfangsbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
ex 85.21 D II Schnittstellenbaustein zur Datenstromsynchronisierung von festen Magnetplatten , in Form
einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28
Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16x35 mm .
Das Gehäuse trägt­
eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
DP 8462
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
ex 85.21 D II Datentrennbaustein für feste Magnetplatten ( sogenannter Hard Disc Data Separator / FIDDS ),
in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 37 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
DP 8465 WD 10 C 20
DP 8460-2 HDC 9226
DP 8460-3
DP 8460-4
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Datentrennbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
ex 85.21 D II Hybride integrierte Schaltung zum Steuern von Elektromagneten , bestehend aus vier Darling­
ton-Transistoren ( ein Darlington = 2 Transistoren in Kaskadenschaltung), in einem Gehäuse
mit nicht mehr als 10 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 12x27
mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
TH3L10 , TH3L20 , PU 4419
Nr . L 362 / 46 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
°/o
oderex 85.21 D II
(Fortsetzung) eine andere Kennzeichnung , die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex 85.21 D II Schnittstellenbaustein , in C-MOS-Technik hergestellt , für den peripheren Festmagnetplatten­
speicher und der Zentraleinheit , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von
nicht mehr als 28 x 53 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
OMTI 508 AIC 500
OMTI 509 AIC 16000
WD 11 C oo
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
ex 85.21 D II Baustein zur Folgekontrolle der Daten zwischen Festmagnetplattenspeicher und Speicherkon­
trolleinheit , in MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr
als 28 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AIC 010 AIC 100
OMTI 505
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 3
ex 85.21 D II Serienschnittstellenbaustein zur Datenstromcodierung und -decodierung für Festmagnetplat­
tenspeicher , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht
mehr als 28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als
17 x 37 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen / Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
OMTI 507 OMTI 5027
AIC-250 AIC-270
oder
■— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
ex 85.21 D II Schreib-Lese-Baustein mit 4 Kanälen zur Kontrolle der Magnetköpfe in Festmagnetplatten­
speichern , in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 12x19 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
SSI 510
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Schreib-Lese-Bausteine der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht . 0
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 /47
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II Kontrollbaustein in MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , zur Steuerung statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter
RAM , statisch ), mit Adressen-Multiplexer und Zeitgeber , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als
28 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
OMTI 506 AIC 300
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex 85.21 D II Programmierte Schaltmatrix (Gate Array ), nicht vom Anwender programmierbar , in
C-MOS-Technik mit metallischen Gates hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , mit einer Betriebsspannung von 12 V , mit nicht weniger als 637 Zwei-Ein­
gangs-Funktionen und einem durch Elektronenstrahl hergestellten Digitalcode in derMatrix , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
11 x 29 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
FB 215
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex 85.21 D II
7
ex 85.21 D II
Monolithische integrierte Schaltung zur Pulscode-Modulation ( sogenannte Puls Code Modu­
lation / PCM) in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , bestehend aus einer
Tastspeicherschaltung ( sogenannter Sample and Hold Circuit ), Digital-Analog-Umsetzer ,
Grenzwertangleicher , Register für sukzessive Approximation , logischer Funktion für eine
Schnittstelle zu einer PCM-Linie zur gleichzeitigen Datenübermittlung in beiden Richtungen
( Füll Duplex ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen
von nicht mehr als 11 x 28 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
2911A-1
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Sendeempfangsfilter zur Pulscode-Modulation ( sogenannte Pulse Code Modulation / PCM) in
N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , für einen PCM-Leitungsanschluß , in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 10x21 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
D 2912 A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Sendeempfangsfilter der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht .
Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt
( sogenannte C-MOS-RAMs , dynamisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbits , in Form
einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 An­
schlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 34 mm .
7
ex 85.21 D II
Nr . L 362 / 48 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Autonomer
ZollsatzWarenbezeichnung
%
ex 85.21 D II
(Fortsetzung)
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
P 51 C 256
P 51 C 259
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Monolithische integrierte Schaltung zum Umwandeln analoger Signale in digitale Signale , mit
Verstärkern , Digital-Analog- und Analog-Digital-Umsetzern , mit einer Versorgungsspannung
von 12 V ± 10 % und einer digitalen Serienschnittstelle mit asynchronem Sendeempfänger , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den
Abmessungen von nicht mehr als 18 x 18 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AD 75002
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Kontrollbaustein für Kathodenstrahlröhren (sogenannter Cathode Ray Tube Controller /
CRTC ), in bipolarer Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ,
in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr
als 15 x 55 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
SCB 2675
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein für monochrome Anzeigen ( sogenannter Monochrome Display Controller /
MDC), in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in
einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
25 x 25 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
01-01.00 551 A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II Programmierbare Lesespeicher , nicht löschbar ( sogenannte PROMs), mit einer Speicherkapa­
zität von 32 Kbit , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit
nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr
als 17 x 39 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
63S3281 , AM 27S43 , MB 7141 , MB 7142
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 /49
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
Kontrollbaustein für Videoanzeigen (sogenannter Advanced Video Display Controller /
AVDC) in N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen
integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den
Abmessungen von nicht mehr als 15 x 55 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
SCN 2674
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zum Steuern magnetischer Drucktypen , in TTL-Technik hergestellt , in Form
einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 An­
schlußstiften und nicht mehr als 7 x 20 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
801379-002
oder
eine andere Kennzeichnung , die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Teilnehmerleitungs-Einheit ( sogenannter Crosspoint Switch ) mit nicht weniger als 4 und nicht
mehr als 12 Schaltern , mit einer Betriebsspannung von 150 V oder mehr , in Form einer
hybriden integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 94 Anschlußstiften und
den Abmessungen von nicht mehr als 41 x 92 mm .
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
ex 85.21 D II
7
0
0
904
719
ex 85.21 D II
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Einheiten der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
8x8 bit Rechenbaustein zum Multiplizieren und Addieren ( sogenannter Multiplier Accumu­
lator /MAC) in C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten
Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften und den Abmessungen von
nicht mehr als 16 x 62 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
ADSP-1008A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Rechenbausteine der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digital-Umsetzer zur Berechnung des Durchschnittswerts variabler Wellenformen , in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als
14 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 10 x 18 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AD536A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Analog-Digital-Umsetzer der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
ex 85.21 D II
0
0
Nr . L 362 / 50 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften 20 . 12 . 86
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
12-bit-Analog-Digital-Umsetzer mit Referenzspannung und Taktgeber , in Form einer mono­
lithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und
den Abmessungen von nicht mehr als 15 x 36 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AD574A
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Analog-Digital-Umsetzer der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Vierfacher Digital-Analog-Umsetzer mit einer Kapazität je Kanal von 12 bit , in Form einer
hybriden integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und
den Abmessungen von nicht mehr als 21 x 41 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AD 390
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Digital-Analog-Umsetzer der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
Prozessor zur Puffer-Steuerung ( sogenannter Buffer Management Control Processor ) in
N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrier­
ten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen
von nicht mehr als 17 x 54 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
WD1015
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Prozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Prozessor zur Puffer-Steuerung ( sogenannter Buffer Management Control Processor ) in
C-MOS-Technik hergestellt , in Form einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
31 x 31 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
WD11C00-22
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Prozessoren der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
Thermoelementverstärker mit eingebautem Alarmsystem zur Kontrolle von Instrumenten
innerhalb eines Temperaturbereichs von nicht weniger als 0 und nicht mehr als 50 °C , in Form
einer monolithischen integrierten Schaltung , in einem Gehäuse mit nicht mehr als 14 Anschluß­
stiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8 x 20 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :
AD594
AD595
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Thermoelementverstärker der vorstehenden
Beschreibung bezieht .
0
ex 85.21 D II
0
ex 85.21 D II
0
20 . 12 . 86 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr . L 362 / 51
Nummer des
Gemeinsamen
Zolltarifs
Warenbezeichnung
Autonomer
Zollsatz
%
ex 85.21 D I Temperaturfühler in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung , in einem
Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als
4x6 mm .
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung , die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombi­
nation besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :
AD590
oder
— eine andere Kennzeichnung , die sich auf Temperaturfühler der vorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex 85.21 E
ex 85.23 B
ex 90.02 B
ex 90.02 B
0
0
0
0
0
0
0
0
3
0
Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten für Frequenzen von nicht weniger als 31 250 und nicht
mehr als 64 000 Hz , mit einem 4-Pol-Magneten
Isolierter Wickeldraht , weder lackiert noch verniert , aus Aluminium mit einer Reinheit von
99,5 Gewichtshundertteilen oder mehr , mit einer Gesamtdicke von nicht weniger als 0,15 und
nicht mehr als 0,16 mm
Lichtwellenumkehrleiter aus optischen Fasern
Regelbares Objektiv mit einer Brennweite von nicht weniger als 115 und nicht mehr als
140 mm , bestehend aus 4 bis 8 Linsen aus Glas oder Methacrylat , die einen Durchmesser von
nicht weniger als 120 und nicht mehr als 130 mm aufweisen und jeweils auf mindestens einer
Seite mit Magnesiumfluorid beschichtet sind , zum Einbau in Videoprojektoren ( a )
Optisches Element , bestehend aus zwei Lagen starrer , optischer Fasern zwischen zwei
Kunststoffplatten , mit den Abmessungen von nicht mehr als 5 x 20 x 276 mm, zum Herstellen
von Photokopierapparaten ( a )
Optische Einheit für Photokopierapparate , bestehend aus zwei Lagen starrer , optischer Fasern
zwischen zwei Kunststoffplatten , einer röhrenförmigen Lampe und einem Metallreflektor , auf
einem metallischen Halter mit den Abmessungen von nicht mehr als 40 x 100x335 mm
Einheit für Photokopierapparate , bestehend aus einer Halogenlampe und einem Metallreflek­
tor , jedoch ohne optisches Element , auf einem metallischen Halter mit den Abmessungen —
ohne Kabel und Anschlußstücke - von nicht mehr als 53 x 112 x 290 mm
Tragbare Lesevorrichtung für hochgradig Sehbehinderte , bei der eine von Hand zu führende
Fiberoptik-Kamera Dokumente abtastet und ein vergrößertes Bild auf einen Bildschirm
überträgt , und ihre Teile
Starre Oxid-Magnetplatten , vorgeschmiert , mit einer Koerzitivkraft von 800 Oersted /Oe ,
einem Außendurchmesser von 95 mm , einem Innendurchmesser von 25 mm und einer Dicke
von 1,27 mm
ex 90.02 B
ex 90.10 A
ex 90.10 A
ex 90.19 B II
ex 92.12 A
( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .


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