X ZR 19/14 - X. Zivilsenat

ECLI:DE:BGH:2016:010316UXZR19.14.0 BUNDESGERICHTSHOF IM NAMEN DES VOLKES URTEIL X ZR 19/14 Verkündet am: 1. März 2016 Anderer Justiz angestellte als Urkundsbeamt in der Geschäftsstelle in der Patentnichtigkeitssache - 2 - Der X. Zivilsenat des Bundesgerichtshofs hat auf die mündliche Verhand lung vom 1. März 2016 durch den Vorsitzenden Richter Prof. Dr. Meier - Beck, die Richter Gröning und Dr. Bacher sowie die Richterin nen Schuster und Dr. Kober - Dehm für Recht erkannt: Auf die Berufung der Beklagten wird das Urteil des 4. Senats (Nichtigkeitsse nats) des Bundespatentgerichts vom 30. Januar 2014 abgeändert. Das europäische Patent 1 583 190 wird mit Wirkung für die Bu n- desrepublik Deutschland insoweit für nichtig erklärt, als sein G e- genstand über folgende Fassung der Patentansprüche hinau s- geht: 1. A nitride semiconductor laser device comprising, on a principal face of a n i- tride semiconductor substrate (101): a nitride semiconductor layer (203) having a first conductivity type; an active layer (205); and a nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the su r- face of which is formed a stripe ridge (209); wherein the said principal face of said nitride semiconductor substrate (101) has an off angle a ( a ) in a direction s ubstantially perpendicular to the M plane (1 - 100) and substantially parallel to said stripe ridge (209); characterized in that said principal face further has an off angle b ( b ) in a direction substantially parallel to the M plane (1 - 100) and substantial ly o r- thogonal to said stripe ridge (209), and satisfying the relationship a > b > 0, wherein said principal face of said nitride semiconductor substrate (101) comprises a first region comprising the C face (0001) and a second region having at least a crystal growth face different from that of said first region, wherein the first region and the second region have polarities separated as stripes. - 3 - 2. The device of claim 1, wherein said nitride semiconductor layer (203) ha v- ing said first conductivity type comprises a laterally grown nitride semico n- ductor layer comprising aluminum. 3. The device of claim 1, wherein a core region (204, 205, 207) including an active layer (205) is formed between said semiconductor layer (203) having said first conductivity ty pe and said semiconductor layer (208) having said second conductivity type, and at least one of said semiconductor layer (203) having said first conductivity type and said semiconductor layer (208) having said second conductivity type comprises successivel y, a first nitride semiconductor layer that is closest to an outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) and a second nitride semiconductor layer, a r e- fraction differential existing between the outermost layer (204, 207) of said core reg ion (204, 205, 207) and said first nitride semiconductor layer, and between said first nitride semiconductor layer and said second nitride semi - conductor layer. 4. The device of claim 3, wherein said first nitride semiconductor layer has a lower refractive index than the outermost layer of said core region (204, 205, 207). 5. The device of claim 3, wherein said second nitride semiconductor layer has a lower refractive index than said first nitride semiconductor layer. 6. The device of claim 3, wherein the r efractive index differential ( n 1 ) b e- tween the outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) and said first nitride semiconductor layer and/or the refractive index diffe r- ential ( n 2 ) between said first nitride semiconductor layer and said second nitride semiconductor layer is 0.004 to 0.03. 7. The device of claim 3, wherein an n - type nitride semiconductor layer (203) comprises a first n - type nitride semiconductor layer in contact with the outermost layer (204) of the core region (204, 205, 207) and a number m of successive n - type nitride sem i- conductor layers up to an nitride semiconductor layer number m (m 2); - 4 - a p - type nitride semiconductor layer (208) comprises a first p - type nitride semiconductor layer in contact with the outermost layer (207) of the core region (204, 205, 207); and the refractive index of the n - type nitride semiconductor layer number m (m 2) is greater than the refractive index of the first p - type nitride sem i- conductor layer. 8. The device of claim 3, wherein the refractive index differential ( n) between the n - type nitride semiconductor layer number m (m 2) and the p - type n i- tride semiconductor layer is 0.004 to 0.03. 9. The device of claim 3, wherein the refractive index differential ( n m ) b e- tween the n - type nitride semiconductor layer number m (m 2) and the outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) is 0.007 to 0 .05. Im Übrigen wird die Klage abgewiesen. Die Kosten des Rechtsstreits werden gegeneinander aufgehoben. Von Rechts wegen - 5 - Tatbestand: Die Beklagte ist Inhaberin des mit Wirkung für die Bundesrepublik Deutschland erteilten europäischen Patents 1 583 1 90, das am 31. März 2005 unter Inanspruchnahme zweier Prioritäten vom 2. April und 30. Juli 2004 ang e- meldet wurde und eine Nitrid - H albleiterlaser - V orrichtung betrifft. Die erteilte Fassung von Patentanspruch 1, auf den sich zwölf weitere Patentansprüche zurückbeziehen, lautet in der Verfahrenssprache: A nitride semiconductor l aser device comprising, on a principal face of a nitride semiconductor substrate (101): a nitride semiconductor l an active l ayer (205) ; an d a nitride semiconductor l ayer (208) having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge (209); wherein the said principal face of said nitride semiconductor substrate (101) has an off angle a ( a ) in a direction substantially perpendicular to the M plane (1 - 100); characterized in that said principal face further has an off angle b ( b ) in a direction substanti ally parallel to the M plane (1 - 100), and satisfying the rel a- tionship a > b > 0 . Die Klägerin hat geltend gemacht, der Gegenstand des Streitpatents sei nicht patentfähig. Die Beklagte hat das Schutzrecht mit einem Hauptantrag und acht Hilfsanträgen in geänderter Fassung verteidigt. Das Patentgericht hat das Streitpatent für nichtig erklärt. Mit ihrer Ber u- fung verteidigt die Beklagte das Streitpatent zuletzt mit einem Haupt antrag und neun Hilfsanträgen in Fassungen , die inhaltlich weitgehend den Fassungen der erstinstanzlichen Hilfsanträge 6 bis 8 entsprechen. Die Klägerin tritt dem Rechtsmittel entgegen. 1 2 3 4 - 6 - Entscheidungsgründe: Die zulässige Berufung hat Erfolg . I. Das Streitpatent betrifft einen Nitrid - Halbleiter, der als Laser eing e- setzt werden kann. 1. Nach den Ausführungen in der Streitpatentschrift wird das Au s- gangsmaterial f ür solche Laservorrichtungen durch epitaktisches Wachstum (Epitaxial Lateral Overgrowth, ELO) hergestellt. Hierzu werde ein Substrat ei n- gesetzt, auf dem sich durch Kristallwachstum eine Schicht aus Galliumnitrid bilde. Um die Dislokationsdichte zu reduzier en, die kristallinen Eigenschaften zu verbessern und den Durchmesser zu vergrößern, sei im Stand der Technik ein Subst r at vorgeschlagen worden, das in einer bestimmten Richtung einen Feh l- winkel (off angle) zwischen 1 Grad und 20 Grad aufweise. Wegen der Br eite des vorgeschlagenen Bereichs komme es jedoch zu einer ungleichmäßigen Zusammensetzung bei Indium, Aluminium oder dergleichen und zu einer ungleichen Verteilung von Verunreinigungen. Das Streitpatent betrifft das technische Problem, die genannten Na chte i- le möglichst zu vermeiden. 2. Zur Lösung dieses Problems schlägt das Streitpatent in der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag verteidigten Fassung von Patentanspruch 1 eine Nitrid - Halbleiterlaser - V orrichtung vor, deren Merkmale sich wie folgt gli e- dern lassen (Gliederung des Patentgerichts in eckigen Klammern) : 5 6 7 8 9 - 7 - 1. Die Vorrichtung weist eine Hauptfläche aus einem Nitrid - Halbleiter - Substrat (101) auf [M1] und umfasst: a) eine erste Nitrid - Halbleiterschicht (203) mit eine m bestimmten Leitfähigkeit styp [M1.1], b) eine aktive Schicht (205) [M1.2], c) eine zweite Nitrid - Halbleiter - Schicht (208) mit eine m anderen Leitfähigkeit styp als die erste Schicht [M1.3], d) einen Streifengrat (209) auf der Oberfläche der zweiten Schicht [M1.4]. 2. D ie Hauptfläche des Substrats (101) weist zwei Fehlwinkel a ( a ) und b ( b ) auf, und zwar a) a in einer Richtung, (1) die im Wesentlichen senkrecht zur M - Ebene ( 1 - 100 ) [M2] (2) und parallel zum Streifengrat (209) [M2a] verläuft, b) b in einer Richtung, (1) die im Wesentlichen parallel zur M - Ebene (1 - 100) [M3] (2) und senkrecht zum Streifengrat (209) [M3a] verläuft. c) Der Betrag beider Fehlwinkel ist größer als 0 und der Betrag von a ist größer als der Betrag von b [M4] . 3 . D ie Hauptfläche des Nitrid - Halbleiterlaser - Substrats (101) umfasst a) eine erste Reg ion [M6'] , welche die C - Fläche (0001) umfasst [M6a] , b) eine zweite Region [M6'] mit mindestens einer Kristallwach s- tum s fläche [M6c] , die von jener der ersten Region verschieden ist [M6d']. c) D ie erste Region und die zweite Region weisen als Streifen g e- tr ennte Polaritäten auf [M7'] . - 8 - 3. Einige Merkmale bedürfen näherer Erläuterung. a) Halbleiterlaser sind elektronische Bauteile, die - ä hnlich wie eine Leuchtdiode - Licht emittier en , wenn Strom durch das Bauteil fließt. Beim Hal b- leiterlaser geschieht dies in Form eines Laserstrahls. Der typische Aufbau besteht aus einer Schicht mit Elektronenüberschuss (n - Schicht) , eine r Schicht mit Elektronenmangel (p - Schicht) und eine r dazw i- schen angeordneten aktive n Schicht , in der das Licht erzeugt wird . Entspr e- chend dazu sieht d as Streitpatent in den Merkmale n 1a, 1c und 1b eine erste Halbleiterschicht (203), eine zweite Halbleiterschicht (208) und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht (205) vor. Nach der Beschreibung können weitere Schichten vorhanden sei n, zum Beispiel mehrere n - Schichten (Abs. 86). Nach Merkmal 1d ist auf der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (208) ferner ein Streifengrat (209) angeordnet. Dieser dient der Führung und Bündelung des Lichts. Ein Beispiel für einen solchen Aufbau ist in Figur 2a der Streitpaten t- schrift dargestellt: 10 11 12 13 - 9 - b) Als Material für den Laser sieht das Streitpatent in Merkmal 1 einen Nitrid - Halbleiter vor. In den Ausführungsbeispielen wird Galliumnitrid eingesetzt . Zur Herstellung wird auf einem Substrat du rch epitaktisches Wachstum eine Kristallstruktur gezüchtet. D as Ausgangssubstrat kann ebenfalls aus Galliumnitrid bestehen oder aus einem anderen Stoff. Im zuerst genannten Fall wird das Wachstum der Kristallstruktur als homoepitaktisch bezeichnet, im zweiten Fall als heteroepita k- tisch. Patentanspruch 1 enthält insoweit keine Festlegung. In der Beschreibung wird ein Herstellungsvorgang geschildert, bei dem auf einem Heterosubstrat aus Saphir zunächst ein Galliumnitrid - Substrat aufg e- bracht wird. In d em geschilderten Beispiel wird das Heterosubstrat vor Beginn der weiteren Herstellungsschritte entfernt. Ergänzend wird ausgeführt, es könne alternativ erst zu einem späteren Stadium entfernt oder dauerhaft belassen werden (Abs. 33). c) Galliumnitrid - Kr istalle weisen eine Grundstruktur auf , die einem g e- raden Prisma mit einem gleichseitigen Sechseck als Grundfläche entspricht . Nach der kristallographischen Nomenklatur werden die Grund - und die Deckfl ä- che dieses Prismas als C - Ebenen bezeichnet, die Seitenf lächen als M - Ebenen. Jeder einzelnen Fläche wird ferner eine aus den Zeichen 0, 1, und - 1 (oder zusammengesetzte und von runden Klammern umschlossene Bezeichnung zugeordnet. Die obere C - Ebene hat etwa die Bezeichnung (0001), die M - Ebene, die bei einer grundrissartigen Darstellung oben verläuft, die Bezeic h- nung (1 - 100) . Dieselbe Zeichenk ombination - von eckige n Klammern u m- schlossen - wird der Richtung zugeordnet, die senkrecht zur jeweiligen Fläche nach außen verläuft. 14 15 16 17 - 10 - d) Die Kristalle werden auf S cheiben (Wafern) hergestellt, d e ren Durchmesser nach der Beschreibung des Streitpatents (Abs. 42) vorzugsweise mindestens 1 Zoll und noch besser mindestens 2 Zoll beträgt. Die einzelnen Chips weisen nach der Beschreibung des Streitpatents (Abs. 77) vorzug sweise eine rechteckige Form mit einer Kantenlänge von rund 500 µm auf. Aus einem Wafer können mehrere Zehntausend solcher Chips hergestellt werden. aa) Zur Beeinflussung des Kristallwachstums und der Materialeige n- schaften können die Wafer so ausgestalt et werden, dass ihre Oberfläche nicht parallel zu einer der Oberflächen der kristallinen Grundstruktur verl ä uf t . Nach der Beschreibung des Streitpatents kann dies dadurch geschehen, dass das in einem ersten Schritt hergestellte Substrat durch Ätzen in eine geeignete Form gebracht wird (Abs. 47) . Als a lternativ e Möglichkeiten werden andere Oberfl ä- chenbehandlungen wie Schleifen oder Schneiden sowie der Einsatz eines in entsprechender Weise ausgebildet en Heterosubstrats angeführt (Abs. 4 8 ). Die Ausbildung von solchen Fehlwinkeln führt dazu, dass die Oberfläche des Substrats terrassenförmig ausgestaltet ist, wie dies etwa in der folgenden, dem von der Beklagten eingereichten Privatgutachten von Prof. Dr. S . (BR10) entnommenen Zeichnung schema tisch dargestellt wird: 18 19 20 - 11 - Beim Wachstum der weiteren Kristallstrukturen auf einem solchen Su b- strat entstehen auf den einzelnen Terrassenstufen Schichten, die sich seitlich aneinanderfügen. bb) Das Maß der Abweichung kann angegeben werden durch eine Ko m- bination aus einem Kipp a b ), die sich auf zwei senkrecht z u- einander stehende Achsen beziehen. Das Streitpatent verwendet die zweite , auf kartesischen Koordinaten b e- ruhende Terminolo gie und gibt in den Merkmal sgrupp en 2a und 2b zwei Feh l- a b ) vor , von denen sich der erste auf eine Richtung senkrecht zur Ebene (1 - 100) - also auf die Richtung [1 - 100] - bezieht und der zweite auf die Richtung parallel zu dieser Ebene. In Merkma l 2c ist festgelegt, dass die Haup t- fläche des Substrats um beide Achsen gekippt a größer b . In der anderen, auf Kugelkoordinaten ber u- henden Terminologie kann d iese Anforderung dahin formuliert werden, dass der Betrag des Kipp winkel s oberhalb von 0 Grad und der Betrag des Richtung s- winkel s - bezogen auf die Richtung [1 - 100] und die Richtung des Streifen - grats - zwischen 0 und 45 Grad liegen muss. Die erteilte Fassung von Patentanspruch 2 und die Fassun g en , die P a- tentanspruch 1 nach den zweitinstanzlichen Hilfsanträgen 1, 3, 4, 6, 8 und 9 erhalten soll a zw i- 21 22 23 24 - 12 - schen 0,1 und 0,7 Grad liegt. Nach der alternativen Terminologie bedeutet dies, dass der Betra g des Kippwinkel s 0 und 0,99 Grad liegt. e) Durch die Merkmal e 2a( 2 ) und 2b (2 ) ist darüber hinaus die Richtung des Streifengrats (209) festgelegt. Dieser verläuft im Wesentlichen senkrecht zur Ebene (1 - 100), also in der Richtung [1 - 100]. In der Beschreibung wird dies dahin erläutert , die Hauptfläche des Su b- strats sei in einer Richtung A geneigt, die im Wesentlichen p arallel zu dem Gr at verlaufe (Abs. 19 f. mit Figuren 3 und 4). Dies steht nicht vollständig in Einklang mit dem Wortlaut von Patentanspruch 1, weil die Richtung A um den Winkel a von der Richtung [1 - 100] abweicht. Dem ist zu entnehmen, dass eine Neigung des Grats entsprechen d de m Winkel a mit den Merkmalen 2a(2) und 2b(2) in Einklang steht, dass aber ein e Drehung des Grats um eine im Verhältnis zu seiner Längenerstreckung verti kale Achse grundsätzlich ausgeschlossen ist. f) Das Streitpatent sieht in Merkmalsgruppe 3 ergänzend vor, dass die Hauptfläche des Substrats in streifenförmige Regionen aufgeteilt ist, die unte r- schiedliche Kristallwachstumsflächen mit unterschiedlic her Polarität aufweisen. Letzteres kann dadurch erreicht werden, dass in der einen Region übe r- wiegend Gallium - Atome an der Oberfläche liegen und in der anderen Region überwiegend Stickstoff - Atome. Die unterschiedliche Polarität führt zu unte r- 25 26 27 28 - 13 - schiedlich en Wachstumsgeschwindigkeiten. Hierdurch bilden sich nach dem Vortrag der Beklagten abwechselnd Zonen mit eher geringer und mit eher h o- her Dislokationsdichte, d.h. mit einem verhältnismäßig geringen bzw. einem verhältnismäßig hohen Anteil an Fehlern in der Kristallstruktur. Nach der B e- schreibung des Streitpatents (Abs. 37) ist es vorteilhaft, die Streifen mit geringer Dislokationsdichte deutlich breiter auszugestalten als die Streifen mit hoher Dislokationsdichte. In welcher Richtung die Streifen verlau fen, ist weder in den Patent - anspr ü ch en noch in der Beschreibung näher festgelegt. Der Fachmann muss hierzu auf sein Fachwissen zurückgreifen. Hinweise dazu kann er den Entg e- genhaltungen D7, D3 und D18 entnehmen, auf die im Zusammenhang mit der erfinderisc hen Tätigkeit noch näher einzugehen sein wird. II. Das Patentgericht hat seine Entscheidung , soweit für das Berufung s- verfahren noch von Interesse, im Wesentlichen wie folgt begründet: Der Gegenstand des Streitpatents sei dem Fachmann, einem Team aus Physikern, Chemikern und Materialwissenschaftlern mit Universitäts - oder Hochschulabschluss und umfangreicher Erfahrung auf den Gebieten der Kri s- tallzüchtung und der Halbleitersubstrate, durch den Stand der Technik naheg e- legt. Im Prioritätszeitpunkt se ien dem Fachmann sowohl das heteroepitakt i- sche als auch das homoepitaktische Wachstum zur Herstellung von Nitrid - Halbleiterlaser - Bauelementen geläufig gewesen. Er habe sich je nach Bedarf für die eine oder die andere Methode entschieden. In der japanisc hen Offenlegungsschrift 2001 - 160539 (D7) sei eine Vo r- richtung offenbart, bei der ein Galliumnitrid - Subst r at auf ein Saphir - Substrat aufgebracht werde. Der Aufbau entspreche demjenigen aus Beispiel 1 des 29 30 31 32 33 - 14 - Streitpatents. Die Hauptfläche weise zwei Fehlwinkel auf, d e ren Betrag den Vorgaben des Streitpatent s entspre che und die auch die in Merkmal M4 ang e- gebene Relation erfüllten. In D7 werde zwar darauf hingewiesen, dass zur Ve r- besserung des Kristallwachstums große Fehlwinkel vorteilhaft seien. Dem Fachmann sei aber bekannt gewesen, dass große Fehlwinkel die optischen Eigenschaften nachteilig beeinflussen könnten. Wie sich exemplarisch aus der veröffentlichten US - Patentanmeldung 2003/0001238 (D2) sowie den japanischen Offenlegungsschriften 2003 - 133649 (D3), 2 003 - 204122 (D4) und 2001 - 144378 (D5) ergebe, habe d er Fachmann ferner gewusst, dass ein Streifengrat senkrecht zur Richtung der M - Ebene b e- sonders vorteilhaft sei, weil die M - Richtung als Spaltebene eingesetzt werden könne und eine exakte Herstellung ermögl iche. In D3 sei des Weiteren offenbart, dass die Hauptfläche des Hal b- leitersubstrats eine Region mit geringer und eine Region mit großer Dislokat i- onsdichte aufweise, die als Streifen mit abwechselnden Polaritäten gebildet seien. Der versetzungskonzentr ierte Bereich weise auch eine Kristallwach s- tumsfläche auf. Der Fachmann habe Anlass gehabt, solche Streifensubstrate auch in einer Vorrichtung nach der D7 einzusetzen, um die kristallinen Eige n- schaften zu verbessern. In der Hinzufügung der Merkmale M6 und M7 könne ohnehin nur eine bloße Aggregation gesehen werden. III. Diese Beurteilung hält der Überprüfung im Berufungsverfahren in einem entscheidenden Punkt nicht stand . 1. Ohne Erfolg bleiben die Einwendungen der Klägerin gegen die Z u- lässigkeit der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag verteidigten Fassung von Patentanspruch 1. 34 35 36 37 - 15 - a) Aus den in den ursprünglich eingereichten Unterlagen formulierten Ansprüchen lässt sich die nunmehr beanspruchte Merkmalskombination alle r- dings nicht unmittelbar und eindeutig entnehmen. In Anspruch 1 und den darauf rückbezogenen Ansprüchen 2 und 9 der Anmeldung sind zwar Vorrichtungen vorgesehen , die zwei Fehlwinkel a und b aufweisen, von denen der erste ( a ) im Wesentlichen parallel zum Streifengrat verläuft un d größer ist als der zweite ( b ). Dort ist aber nicht festgelegt , dass a im Wesentlichen senkrecht zur Ebene (1 - 100) verläuft und dass die Vorrichtung zusätzlich eine Streifenstruktur entsprechend der Merkmalsgruppe 3 aufweist. Die zuletzt genannten Merkm ale sind zwar in Anspruch 18 und den darauf z u- rückbezogenen Ansprüchen 20 und 21 der Anmeldung vorgesehen. Diese A n- sprüche verhalten sich aber nicht ausdrücklich zur Richtung des Streifengrats und nehmen auch nicht auf die Ansprüc h e 1 bis 17 Bezug . b) Aus der Beschreibung der Anmeldung ergibt sich jedoch hinreichend deutlich, dass eine Kombination aller genannten Merkmale zur Erfindung g e- hört. In den einleitenden Passagen der Beschreibung werden die in den A n- sprüchen 1 und 18 beanspruchten Vorrichtun gen zwar ebenfalls nacheinander und ohne ausdrückliche Verknüpfung als mögliche Ausführungsformen der E r- findung aufgezeigt (Abs. 1 0 f.). Schon in diesem Zusammenhang wird aber ausgeführt, dass solche Vorrichtungen zusätzliche Merkmale aufweisen kö n- nen, zu denen Regionen mit zwei unterschiedlichen Kristallwachstumsflächen und unterschiedlicher Polarität gehören können (Abs. 12). In der anschließe n- den Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele wird ferner ausgeführt, der Fehlwinkel verlaufe im Wesentlichen parallel zum Streifengrat und zur Ric h- tung [1 - 100] (Abs. 22). Im Zusammenhang mit diesem Ausführungsbeispiel wird die Ausbildung streifenförmiger Regionen mit unterschiedlicher Versetzung s- dichte beschrieben (Abs. 37 - 43). Daraus ergibt sich unmittelbar u nd eindeutig, 38 39 40 41 - 16 - dass Vorrichtungen zur Erfindung gehören, bei denen alle diese Merkmale in Kombination verwirklicht sind. c) Entgegen der Auffassung der Klägerin ist in den ursprünglich eing e- reichten Unterlagen auch das Merkmal, wonach sowohl der Betrag a als b größer sind als 0, als zur Erfindung gehörend offenbart. In der Anmeldung ist zwar nur die Anforderung formuliert , der Betrag von a müsse b . Aus diesen Ausführungen ergibt sich aber impl izit, dass hierbei b größer sein muss als 0 . S o- wohl in den Ansprüchen 1 und 2 als auch in der Beschreibung (Abs. 9 und 10) wird unterschieden zwischen Vorrichtungen, die lediglich einen Fehlwinkel a aufweisen, und Vorrichtungen, bei denen zusätzlich ein b vorha n- den ist . Diese Unterscheidung ist nur dann sinnvoll, wenn der Betrag von b größer ist als 0 . 2. Zu Recht hat das Patentgericht den Gegenstand des Streitpatents als neu angesehen. Dies wird, soweit es um die mit der Be rufung noch verte i- digten Fassungen geht, auch von der Klägerin nicht in Zweifel gezogen. 3. Entgegen der Auffassung des Patentgerichts beruht der Gegenstand von Patentanspruch 1 in der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag (und dem erstinstanzlichen H ilfsantrag 7) verteidigten Fassung auf erfinderischer Täti g- keit. Er war dem Fachmann, dessen Definition die Parteien nicht in Zweifel zi e- hen , insbesondere nicht durch die Entgegenhaltungen D7, D3 und D18 naheg e- legt. a) In der japanischen Offenlegungssc hrift 2001 - 160539 (D7 , Sanyo ) sind allerdings , wie auch die Berufung nicht in Zweifel zieht , die Merkmalsgru p- pe 1 und die Merkmalsgruppe 2 mit Ausnahme der Merkmale 2a(2) und 2b(2) offenbart. 42 43 44 45 46 - 17 - aa) In D7 werden mehrere Verfahren zur Herstellung von Galliu mnitrid - Halbleiter laser n offenbart. In der Beschreibung wird ausgeführt, um Schwierigkeiten bei der Herste l- lung zu überwinden, würden Galliumnitrid - Substrate durch epitaktisches Wach s tum auf einem Substrat aus Saphir, Siliziumcarbid oder Silizium herg e- stellt. Wegen der unterschiedlichen Gitterkonstanten entstünden dabei Gitterd e- fekte, die sich vom Substrat aus nach oben und unten erstreckten und eine Versetzungsdichte von etwa 10 9 cm - 2 aufwiesen. Die Versetzungen könnten durch das epitaktische laterale Überwachsen (ELO) verringert werden . Hierbei würden auf eine r erste n Schicht au s Galliumnitrid mehrere streifenförmige Schichten aus Siliziumdioxid ausgebildet. Anschließend werde eine weitere Schicht aus Galliumnitrid aufgebracht. Diese wachse zunächst in den Lücken zwischen den Siliziumdioxid - Streifen nach oben und anschließend auch in sei t- licher Richtung. Hierdurch würden die Versetzungen in senkrechter Richtung (c - Richtung) reduziert. Der Einsatz der Siliziumdioxid - Streifen führe allerdings zu Bruchste llen in der zweiten Galliumnitrid - Schicht, weil die Wärmeausde h- nungskoeffizienten unterschiedlich seien und weil oberhalb der Siliziumdioxid - Streifen Hohlräume entstehen könnten. Um die kristallinen Eigenschaften weiter zu verbessern und Bruchstellen zu vermeiden, werden in D7 drei Verfahren vorgeschlagen, bei denen jedenfalls die oberste Galliumnitrid - Schicht ohne Einsatz von Siliziumdioxid - Streifen au s- gebildet wird. Bei einer als Erfindung Nr. 1 bezeichneten Ausführungsform ( D7c Abs. 20 ff. ; Abs. 7 8 ff.) wird hierzu eine Schicht (4) aus Galliumnitrid in einem bestimmten Winkel a n geschliffen , so dass eine in bestimmter Richtung und in festgelegtem Winkel B geneigte Fläche entsteht, die in D7 auch als Fehlfläche bezei chnet wird. Diese Fläche weist ein e stufenförmige Struktur auf (D7c Fig u- ren 1 b und 1 c) . 47 48 49 50 - 18 - Hierdurch wird ein laterales Wachstum der dar auf aufgebrachten zweiten Schicht aus Galliumnitrid ermöglicht. Damit werden Versetzungen, die sich in c - Richtung ausbreiten, reduziert und das En tstehen von Bruchstellen vermi e- den. Als mögliche Werte für den Fehlwinkel werden 0,05, 0,1, 0,2, 0,5, 1, 2 und 5 Grad angegeben. In diesem Zusammenhang wird ausgeführt, die Kristallinität nehme zu, je größer der Fehlwinkel sei (D7c Abs. 89). Als mögliche W erte für die Fehlrichtung werden die Richtung [1 - 100] und drei jeweils um 10 Grad hie r- von abweichende Richtungen genannt. Hierzu wird ausgeführt, die Kristallinität nehme ab, je näher die Fehlrichtung an der Richtung [1 - 100] sei (D7c Abs. 91). Als weit eres Ausführungsbeispiel wird ein Verfahren geschildert, bei dem auf eine erste Schicht (3) aus Galliumnitrid eine relativ geringe Anzahl von Sil i- ziumdioxid - Streifen (15) aufgebracht und sodann in der aus dem Stand der Technik be kannten Weise eine weitere Galliumnitrid - Schicht (4) ausgebildet wird. Auf dieser zweiten Schicht wird eine Fehlfläche ausgebildet und eine dritte Galliumnitrid - Schicht (5) aufgebracht, deren Kristallinität als noch besser eing e- schätzt wird (D7c Abs. 108 mit Figuren 3 c und 3 d ). 51 52 - 19 - Zur weiteren Steigerung der Kristallinität wird vorgeschlagen, das Gall i- umnitrid - Fehlsubstrat nicht durch selektives Wachstum herzustellen, sondern durch Abschleifen eines Bulk - Galliumnitrid - Substrats mit wenig Versetzungen (D7c Abs. 114). Außerdem w ird es als selbstverständlich möglich bezeichnet, das Saphir - Substrat vor der Ausbildung des Nitrid - H albleiters zu entfernen (D7 Abs. 115). Bei einer als Erfindung Nr. 2 bezeichneten Ausführungsform (D7c Abs. 26 ff.; Abs. 116 ff.) werden auf dem Saphir - Substrat streifenförmige Verti e- fungen erzeugt. Hinsichtlich der Richtung dieser Streifen wird ausgeführt, diese sei nicht in besonderer Weise eingeschränkt; im geschilderten Beispiel verlaufe sie in [1 - 100] - Richtung, sie könne aber zum Beispiel auch in [11 - 20] - Richtung verlaufen (D7c Abs. 120). Auf dieses Substrat wird eine Galliumnitrid - Schicht (13) aufgebracht, die aufgrund der Streifen zunächst in vertikaler und danach auch in lateraler Richtung wächst (D7c Abs. 121 mit Fig uren 5 c bis 5 e) . Al s Vorteil dieses Verfahrens wird angeführt, mit ihm könne schon durch einmaliges Aufwachsen eine Galliumnitrid - Schicht mit weniger Versetzungen erlangt werden (D7c Abs. 127). Allerdings bildeten sich in der Mitte über den Vertiefungen auf dem Saphir - Substr at Regionen mit einer vergleichsweise hohen Versetzungsdichte. Deshalb wird es als vorzugswürdig angesehen, die Halbleiter - Bauelemente zwar im Bereich der Vertiefungen, aber außerhalb von deren Mitte auszubilden (D7c Abs. 130). Als abgewandelte Ausführ ungsformen werden unter anderem der Ei n- satz anderer Materialien für das Substrat und die Ausbildung von Vertiefungen 53 54 55 56 - 20 - in einem wabenförmigen Muster vorgeschlagen. Als weitere Abwandlung wird vorgeschlagen, auf dem Saphir - Substrat eine Fehlfläche mit treppen förmigen Abstufungen auszubilden und darauf zunächst eine Pufferschicht und danach eine Galliumnitrid - Schicht aufzubringen. Bei einer als Erfindung Nr. 3 bezeichneten Ausführungsform (D7c Abs. 39 ff.; Abs. 168 ff.) wird auf dem Saphir - Substrat zunächst eine Puffe r- schicht au s Aluminiumgalliumnitrid aufgebracht und durch anschließendes Ä t- zen in eine streifenförmige Struktur gebracht. Darauf wird eine Schicht (53) aus Galliumnitrid ausgebildet. Dabei bilden sich aufgrund der unterschiedlichen Gi t- terkonstan ten zunächst einzelne Streifen im Bereich der Pufferschicht, die im weiteren Verlauf lateral zusammenwachsen (D7c Abs. 173 mit Figuren 9 c bis e). Auch für diese Ausführungsform wird es als vorzugswürdig bezeichnet, das Halbleiter - Bauelement zwar im Bereich der freiliegenden Region des S a- phir - Substrats, aber außerhalb von deren Zentrum auszubilden (D7c Abs. 180). Als Erfindungen Nr. 4 bis 6 werden Verfahren geschildert, mit denen auf den entsprechend den Erfindungen Nr. 1 bis 3 hergestellten St rukturen die we i- teren Schichten für den Halbleiterlaser aufgebracht werden. In Zusammenhang mit der Erfindung Nr. 4 wird hierbei ausgeführt, der Gratabschnitt der Dec k- schicht (110) breite sich vorzugsweise senkrecht zur Fehlrichtung der ersten Galliumnitri d - Schicht aus (D7c Abs. 196 mit Fig ur 11 ). 57 58 59 - 21 - bb) Damit ist eine Vorrichtung offenbart, deren Schichtaufbau der Mer k- malsgruppe 1 entspricht und bei der die in Merkmalsgruppe 2 definierten Anfo r- derungen an die beiden Fehlwinkel im Verhältnis zur Ebene [1 - 100] eingehalten cc) Nicht offenbar t ist demgegenüber die Ausrichtung des Streifengrats senkrech t zur M - Ebene (1 - 100), also parallel zur Richtung [1 - 100]. Wie bereits oben aufgezeigt wurde, wird in D7 eine Ausrichtung parallel zur Ebene (1 - 100) als vorzugswürdig bezeichnet. Diesen Ausführungen lässt sich zwar nicht entnehmen, dass eine abweichend e Anordnung ausscheidet. Sie geben aber keinen unmittelbaren und eindeutigen Hinweis darauf, wie eine der in D7 offenbarten Lehre entsprechende Vorrichtung ausgestaltet werden könnte, bei der der Streifengrat um 90 Grad gedreht angeordnet ist. dd) Ebenf alls nicht offenbart ist die Kombination mit der Merkmalsgru p- pe 3. 60 61 62 63 - 22 - In D7 wird als Erfindung Nr. 2 zwar eine Vorrichtung beschrieben, die ein streifenförmiges Muster aus Zonen mit geringer und hoher Versetzungsdichte aufweist. Nicht offenbart ist aber e i ne Ausführungsform, bei der diese Ausg e- staltung mit der als Erfindung Nr. 1 offenbarten Ausgestaltung einer terrasse n- förmigen Fehlfläche kombiniert ist. In einem abgewandelten Beispiel der Erfi n- dung Nr. 2 wird das streifenförmige Muster zwar auf ein mit ei ner Fehlfläche versehenes Grundsubstrat aus Graphit aufgebracht. Daraus lässt sich aber nicht entnehmen, dass auch das darauf ausgebildete Substrat aus Galliumnitrid eine solche Fehlfläche aufweist, wie dies nach der Erfindung Nr. 1 und nach dem Streitpate nt vorgesehen ist. Darüber hinaus finden sich in D7 keine Hinweise auf unterschiedliche P o laritäten und Wachstumsflächen. b) F ür den Fachmann ergaben sich allerdings schon aus D7 gewisse Hinweise darauf , dass eine Fehlfläche gemäß Erfindung Nr. 1 mit einer Stre i- fenstruktur gemäß Erfindung Nr. 2 kombiniert werden kann . Entgegen der Auffassung der Berufung stehen die einzelnen Ausfü h- rungsformen in D7 - trotz ihrer Bezeichnung als "Erfindungen" - nicht isoliert nebeneinander. D7 enthält im Zusammenhan g mit den Erfindungen Nr. 1 und 2 vielmehr konkrete Hinweise auf die Kombinati on der dort jeweils im Mittelpunkt stehenden Verfahrensweise mit anderen Methoden. So wird wie bereits e r- wähnt vorgeschlagen, die Streifenstruktur gemäß Erfindung Nr. 2 auf ein S a- phir - Substrat aufzubringen, das eine Fehlfläche aufweist. Als ergänzende Ma ß- nahme zu der Ausbildung einer Fehlfläche auf einem Galliumnitrid - Substrat gemäß Erfindung Nr. 1 wird vorgeschlagen, zunächst mit Hilfe von Siliziumd i- oxid - Streifen eine erste Galli umnitrid - Schicht herzustellen, wie sie im Stand der Technik grundsätzlich bekannt war , und erst auf dieser eine Fehlfläche als Grundlage für die nächste Galliumnitrid - Schicht auszubilden . 64 65 66 67 - 23 - Aus diesen Hinweisen ergab en sich für den Fachmann Anhaltspunkte für die Suche nach weiteren Kombinationsmöglichkeiten, um die Eigenschaften der Vorrichtung weiter zu verbessern. Im Hinblick auf die in D7 offenbarte Kombin a- tion einer Streifenstruktur mit einem geneigten Saphir - Substrat kam hierbei in s- besondere in Betra cht , eine Streifenstruktur mit dem bei Erfindung Nr. 1 eing e- setzten geneigten Galliumnitrid - Substrat zu kombinieren. Entgegen der Auffassung der Berufung stand solchen Überlegungen nicht zwingend der Umstand entgegen, dass die streifenförmige Struktur bei Erfindung Nr. 2 zu einer anisotropen Kristallanordnung führt. In D7 wird aufg e- zeigt, dass die Streifen mit hoher Versetzungsdichte hingenommen werden können, sofern die einzelnen Bauelemente in geeigneter Weise auf dem Wafer angeordnet werden. Daraus e rgab sich für den Fachmann, dass es nicht zwi n- gend erforderlich ist, über die gesamte Fläche hinweg eine einheitliche Kristal l- struktur zu erzeugen, sondern dass es ausreicht, wenn die Bereiche mit mö g- lichst niedriger Versetzungsdichte so groß sind, dass do rt mindestens jeweils ein Bauelement Platz findet, ohne dass dessen Funktion durch die Bereich e mit hoher Versetzungsdichte in nennenswertem Umfang beeinträchtigt wird. c) Vor diesem Hintergrund hatte der Fachmann Anlass , nach weiteren Methoden zur Verb esserung der Produkteigenschaften zu suchen. Diese erg a- ben sich aus der japanische n Offenlegungsschrift 2003 - 133649 (D3 , Sharp ) und de r internationale n Patentanmeldung WO 03/38957 (D18, Sharp und Sumit o- mo). aa) In D3 wird ebenfalls ein Verfahren zur Her stellung von Nitrid - Halbleiterlaser - Bauelementen offenbart. In der Beschreibung wird ähnlich wie in D7 das epitaktische laterale Überwachsen (ELO) als Stand der Technik dargestellt. Als nachteilig wird he r- ausgestellt, dass drei unterschiedliche Verfahre n s schritte mit Kristallwachstum 68 69 70 71 72 - 24 - erforderlich seien, dass die Lebensdauer insbesondere bei höheren Temperat u- ren und Leistungen unzureichend sei und dass es wegen Bruchstellen zu einer verschlechterten Ausbeute komme. Als Grund für diese Probleme werden Kri s- tallgitterdefekte benannt, deren Dichte mit 5 10 7 cm - 2 angegeben wird. Zur Überwindung dieser Probleme wird in D3 vorgeschlagen, Substrat aus Galliumnitrid einzusetzen, das in streifenförmige Bereiche eingeteilt ist, die abwechselnd eine hohe und eine niedrige Versetzungsdichte aufweisen. Hierzu wird auf eine r Grundplatte, die bevorzugt aus Galliumarsenid besteht, eine stre i- fenförmige Struktur aus Siliziumdioxid als so genannte Wachstumsmaske au f- gebracht und anschließend eine 30 mm hohe Galliumnitrid - Sc hicht ausgebildet, die in Scheiben mit einem Durchmesser von zwei Zoll und einer Dicke von 350 µm geschnitten wird . Um dieses Substrat in einen nutzbaren Zustand zu bringen, wird es durch Polieren und Schleifen geebnet (D3b Abs. 36) . Hierbei wird es als gü nstig angesehen, im Verhältnis zur (0001) - Fläche einen Fehlw i n- kel von 0,4 bis 0,8 Grad vorzusehen (D3b Abs. 37). Die so hergestellten Scheiben weisen in den Bereichen (24) , die obe r- halb der Siliziumdioxid - Schichten gewachsen sind, eine hohe und in den B ere i- chen dazwischen eine niedrige Versetzungsdichte auf (D3b Abs. 40 mit Figu - ren 1 b und 1 d) . Die Bereiche (25), in denen die einzelnen (001) - Ebenen aufeinander g e- wachsen sind, zeichnen sich durch besonders helle Lichtemission aus (D3 Abs. 43). 73 74 75 - 25 - Als Ergebnis von Untersuchungen wird berichtet, die Bereiche mit hoher Versetzungsdichte hätten mitunter ihre Polarität umgekehrt, weil in diesem B e- reich Stickstoff freiliege, während in den anderen Bereichen Gallium freiliege (D3b Abs. 41). Auf das s o hergestellte Substrat wird eine Wachstumskontrollmembran aus Siliziumdioxid aufgebracht. Bei einem ersten Ausführungsbeispiel sind die Bereiche mit hoher Versetzungsdichte jeweils vollständig durch eine solche Membran überdeckt (D3b Abs. 50). Bei einem z weiten Ausführungsbeispiel sind in diesen Bereichen jeweils drei solcher Membranen mit Abstand zueinander angeordnet, so dass es nicht zu einer vollständigen Abdeckung kommt (D3b Abs. 88 mit Fig ur 6 a) . Auf das mit den Membranen versehene Substrat we rden nacheinander die für den Halbleiterlaser benötigten Schichten aufgebracht. Die so entstand e- nen Wafer weisen lediglich im Bereich der Membranen Bruchstellen auf (D3b Abs. 69). An der Oberseite der Wafer werden in der Schicht (109) streifenförm i- ge Erheb ung en (Streifengrate) zum Einschließen des Lichts in senkrechter Richtung zum Substrat angebracht (D3b Abs. 72 mit Fig ur 2 ). 7 6 77 78 - 26 - Nach Aufbringen aller Elemente wird d er Wafer senkrecht zur Richtung der Streifengrate in Barren aufgeteilt, in denen die ein zelnen Bauelemente sei t- lich angeordnet sind (D3b Abs. 77). Zwischen diesen Bauteilen liegen die Bruchstellen, deren Breite und Form von der Dicke der Wachstumskontrol l- membran abhängt (D3b Abs. 79 mit Fig uren 3 bis 5). bb) In der Anmeldung D18, die die Priorität der Anmeldung D7 bea n- sprucht, sind acht Abwandlungen einer weitere n Ausführungsform offenbart, bei denen keine Wachstumskontrollmembran (in D18a als wachstumshemmende Schicht bezeichnet) zu m Einsatz kommt . Um negative Auswirkungen der Bere i- c he mit hoher Versetzungsdichte auf die Laserwellenleiterbereiche zu verme i- 79 80 - 27 - den, werden die genannten Komponenten relativ zueinander in bestimmten P o- sitionen angeordnet (D18a S. 24 unten). Bei der ersten dieser zusätzlichen Ausführungsformen ( in D18a als dritte Ausführungsform bezeichnet) werden hierzu Festlegungen für den Abstand d getroffen, den der Laserwellenleiterbereich (14) von dem eine hohe Verse t- zungsdichte aufweisenden Bereich (11) auf weisen soll (D18a S. 25 mit Figur 7). In dem Ausführungsb eispiel, bei dem der Abstand zwischen zwei Bere i- chen (11) 400 µm beträgt und jeweils in der Mitte ein Bereich (25) mit hoher Lumineszenz angeordnet ist (D18a S. 25), wird für den Abstand d ein Mindes t- maß von 40 µm, vorzugsweise von 60 µm angegeben (D18a S. 29). Für den Abstand P zwischen zwei Bereichen (11) werden ein Mindestwert von 300 µm und ein Höchstwert von 1000 µm genannt (D18a S. 30). In drei weiteren Be i- spielen (vierte, fünfte und sechste Ausführungsform) wird der Abstand P abg e- wandelt. Bei der vie rten Ausführungsform (D18a Fig ur 11) ist P so festgelegt, dass jeweils zwei Bauelemente darin Platz finden, bei der fünften Ausführung s- form (D18a Figur 12) sind es vier Bauelemente. Bei der sechsten Ausführung s- 81 82 - 28 - form (D18a Fig ur 13) ist P demgegenüber kleiner als die Breite des Bereichs für ein einzelne s Bauelement. cc) Daraus ergab en sich Hinweise darauf , dass die Entstehung des Streifenmusters durch zweckentsprechende Ausgestaltung der darunter liege n- den Schicht ge förd er t und positiv beeinfluss t werden kann . Aus D18 ergab sich ferner der Hinweis , dass es hierzu nicht zwingend der in D3 eingesetzte n Wachstumskontrollmembran bedarf, sofern die einzelnen Bauelemente - ei n- schließlich des Streifengrats - in zweckmäßiger Weis e zwischen zwei Streifen mit hoher Versetzungsdichte angeordnet werden. dd) Aus beiden Entgegenhaltungen konnte der Fachmann zudem Hi n- weise darauf entnehmen, dass die Ausbildung von Streifen in Zusammenhang steht mit der Polarität der jeweiligen Schich ten. Der Fachmann hatte vor diesem Hintergrund Veranlassung , nach and e- ren im Stand der Technik geläufigen Methoden zur Erreichung dieses Ziels zu suchen. Nach den Feststellungen des Patentgerichts konnte er hierzu auf al l- gemeines Fachwissen zurückgreif en, wonach der Einsatz eines Substrats mit 83 84 85 - 29 - Streifen unterschiedlicher Polarität und Versetzungsdichte Spannungen inne r- halb des Substrats mildert und die Oberflächeneigenschaften verbessert. d) E ntgegen der Auffassung des Patentgerichts ergab sich aus al ldem jedoch nicht die Anregung, auf einem Substrat, das sowohl eine Fehlfläche im Sinne der Merkmalsgruppe 2 als auch ein Streifenmuster im Sinne der Mer k- malsgruppe 3 aufweist, den Streifengrat im Wesentlichen parallel zu der Feh l- richtung A und damit im We sentlichen parallel zur Richtung [1 - 100] anzuordnen. Hierbei kann dahingestellt bleiben, ob der Fachmann schon durch den bereits erwähnten Hinweis in D7, wonach sich der Gratabschnitt vorzugsweise senkrecht zur Fehlrichtung der ersten Galliumnitrid - Schi cht ausbreitet , davon abgehalten wurde, eine hiervon diametral abweichende Ausrichtung in Betracht zu ziehen , oder ob de r vom Patentgericht in Zusammenhang mit dem erst - instanzlichen Hauptantrag erörterte Gesichtspunkt der leichteren Spaltbarkeit Anlass ga b, über Alternativen nachzudenken. Jedenfalls für ein Substrat, das streifenförmige Regionen mit abwechselnder Versetzungsdichte aufweist, erg a- ben sich nämlich auch aus D3 und D18 deutliche Hinweise darauf, dass der Streifengrat grundsätzlich parallel zu d iesen Streifen anzuordnen ist . Bei dieser Ausgangslage hatte der Fachmann jedenfalls keine Veranlassung, von der in D7 als vorzugswürdig bezeichneten Anordnung in erheblichem Ausmaß abz u- weichen. aa) Wie bereits oben aufgezeigt wurde, wird bei dem in D3 offenbarten Verfahren der Wafer nach Aufbringen aller Elemente senkrecht zur Richtung der Streifengrate in Barren aufgeteilt, in denen die einzelnen Bauelemente sei t- lich angeordnet sind (D3b Abs. 77). Zwischen diesen Bauteilen liegen die Bruchstellen, dere n Breite und Form von der Dicke der Wachstumskontrol l- membran abhängt (D3b Abs. 79 mit Fig uren 3 bis 5). 86 87 88 - 30 - Daraus ist zu entnehmen, dass die Streifengrate parallel zu den Bruc h- stellen und damit parallel zu den Streifen mit unterschiedlicher Versetzung s- di chte ausgerichtet sind. bb) Eine zusätzliche Bestätigung dafür ergibt sich aus der Beschreibung zu den weiteren Ausführungsbeispielen in D18 und den dazu gehörenden, oben wiedergegebenen Figuren 11 bis 13. In allen drei Figuren erstreckt sich der B e- rei ch für ein einzelnes Bauelement über eine Region (11) mit erhöhter Verse t- zungsdichte hinweg. Da diese Regionen als nachteilig eingestuft werden, während den dazw i- schen liegenden Regionen (25) hohe Luminiszenz bescheinigt wird, spricht a l- les dafür, den Streifengrat auch bei dieser Ausführungsform parallel zum Stre i- fenmuster des Substrats auszurichten. cc) Dies deckt sich, wie die Berufung zu Recht geltend macht, mit den Ausführungen in D7, wonach der Streifengrat bei einem Substrat gemäß der Erfindun g Nr. 1 vorzugsweise senkrecht zur Fehlrichtung anzuordnen ist. D7 lassen sich zwar keine ausdrücklichen Hinweise dazu entnehmen, wie der Streifengrat in Bezug auf ein streifenförmiges Muster aus Regionen mit geringer und hoher Versetzungsdichte angeor dnet werden soll. Bei dem zwe i- ten Ausführungsbeispiel von Erfindung Nr. 1, bei dem die Fehlfläche auf einer Galliumnitrid - Schicht ausgebildet wird, die unter Einsatz von Siliziumdioxid - Streifen hergestellt wurde und deshalb ein Streifenmuster aufweist, wir d in de n oben wiedergegebenen Figuren 3 c und 3 d aber eine Ausgestaltung gezeigt, bei der das Streifenmuster parallel zu den aufgrund der Fehlfläche entstandenen Terrassenstufen verläuft. Dies wiederum steht in Einklang mit dem erwähnten Hinweis, den Streif engrat senkrecht zur Fehlrichtung anzuordnen. An anderer Stelle der Beschreibung wird zwar ausgeführt, die Fehlrichtung könne auch um 10, 20 oder 30 Grad von einer M - Richtung abweichen. Ein ausdrücklicher Hi n- 89 90 91 92 93 - 31 - weis darauf, wie solche Ausgestaltungen mit eine m zusätzlichen Streifenmuster zu kombinieren sind, ist der Beschreibung aber nicht zu entnehmen. Selbst wenn die genannten Ausführungen und der Umstand, dass die Ausrichtung des Streifengrats in D7 nicht zwingend vorgegeben ist, dem Fachmann Anlass g e- geben hätten, eine abweichende Ausrichtung des Streifengrats in Erwägung zu ziehen, hätte sich daraus jedenfalls nicht die Anregung ergeben, von dem in D7 durch zwei Gesichtspunkt e nahegelegten Wert über die dort genannte Grenze von 30 Grad hinaus abzuweichen. dd) Vor diesem Hintergrund ergab sich für den Fachmann weder aus D7 noch aus D3 oder D18 eine Anregung, von einer parallelen Anordnung der stre i fenförmigen Regionen und der Terrassenstufen grundlegend abzurücken und stattdessen den Streifengrat im Wese ntlichen parallel zur Richtung [1 - 100] auszurichten. Hierbei kann dahingestellt bleiben, ob diese Kombination ohne weiteres oder zumindest unter bestimmten Voraussetzungen zu den von der Beklagten postulierten Vorteilen hinsichtlich der Oberflächenstru ktur und der optischen Eigenschaften führt. Selbst wenn dies zu verneinen wäre, ist nicht zu erkennen, dass die mit Patentanspruch 1 beanspruchte Kombination eine bloße Aggreg a- tion inhaltlich nicht zusammenhängender Merkmale oder eine willkürliche Au s- wahl unter mehreren im Stand der Technik bekannten und gleichermaßen n a- h e liegenden Möglichkeiten dar stellt . Die Anordnung des Streifengrats mag zwar keine Auswirkungen auf die kristallinen Eigenschaften der darunter liegenden Kristallschichten haben. Sie ist de nnoch nicht beliebig, weil die Beschaffenheit dieser Schichten nach den Ausführungen in D7, D3 und D18 Auswirkungen auf die optischen Eigenschaf ten des Laserelements hat und diese durch den Strei - fengrat ebenfalls maßgeblich beeinflusst werden. Dieser Einf luss ist nach den Feststellungen des Patentgerichts zwar umso geringer, je kleiner der Fehlwinkel ist. Daraus ergab sich für den Fachmann aber nicht die Schlussfolgerung, dass er bei einer Vorrichtung, die neben einem Fehlwinkel auch eine Struktur aus 94 95 - 32 - Stre ifen mit unterschiedlicher Versetzungsdichte aufweist, über die Anordnung des Streifengrats unabhängig von allen übrigen Parametern frei entscheiden kann. Er hatte deshalb keine Veranlassung , insoweit substantiell von den im Stand der Technik offenbarten A ns ä tz en abzuweichen . IV. Die Kostenentscheidung beruht auf § 121 Abs. 2 PatG und § 92 Abs. 1 ZPO. Meier - Beck Gröning Bacher Schuster Kober - Dehm Vorinstanz: Bundespatentgericht, Entscheidung vom 30.01.2014 - 4 Ni 38/11 (EP) - 96

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